제품 상세정보
Place of Origin: CHINA
브랜드 이름: ZMSH
인증: rohs
Model Number: Silicon carbide resistance long crystal furnace
지불 및 배송 조건
Minimum Order Quantity: 1
가격: by case
Delivery Time: 5-10months
Payment Terms: T/T
목적을 가지세요 :: |
6 8 8 12 인치 SIC 단결정 성장 용광로 |
Dimensions (L × W × H):: |
2500 × 2400 × 3456 mm or customize |
Pressure Range:: |
1–700 Mbar |
온도 범위 :: |
900–3000 ° C |
Maximum Furnace Temperature:: |
2500°C |
회전 샤프트 직경 :: |
50 밀리미터 |
목적을 가지세요 :: |
6 8 8 12 인치 SIC 단결정 성장 용광로 |
Dimensions (L × W × H):: |
2500 × 2400 × 3456 mm or customize |
Pressure Range:: |
1–700 Mbar |
온도 범위 :: |
900–3000 ° C |
Maximum Furnace Temperature:: |
2500°C |
회전 샤프트 직경 :: |
50 밀리미터 |
실리콘 카바이드 저항 결정 오븐은 실리콘 카바이드 (SiC) 크리스탈을 재배하기 위해 특별히 사용되는 장비의 일종입니다. 넓은 대역 간격 반도체 재료의 일종으로,실리콘 카바이드 는 높은 열 전도성 같은 우수한 특성을 가지고 있습니다., 높은 분해 전기장 및 높은 전자 포화 유동 속도, 그리고 전력 전자, 전파 장치 및 고온 반도체에서 널리 사용됩니다.저항성 긴 결정 오븐은 저항성 가열을 통해 높은 온도 환경을 제공합니다, 이것은 실리콘 카바이드 크리스탈의 성장을 실현하는 핵심 장비입니다.
· 높은 온도 용량: 실리콘 카바이드 결정 성장의 요구를 충족시키기 위해 2000 °C 이상의 높은 온도 환경을 제공할 수 있습니다.
· 고 정밀 온도 제어: 온도 제어 정확도는 결정 성장의 품질을 보장하기 위해 ± 1 ° C까지 도달 할 수 있습니다.
· 높은 안정성: 저항 난방 방법은 안정적이고 신뢰할 수 있으며 장기간 연속 작업에 적합합니다.
· 낮은 오염: 고 순수성 물질과 무활성 대기가 결정 품질에 대한 불순물의 영향을 줄이기 위해 사용됩니다.
| 사양 | 세부 사항 |
|---|---|
| 크기 (L × W × H) | 2500 × 2400 × 3456mm 또는 사용자 정의 |
| 크로시블 직경 | 900mm |
| 최후 진공 압력 | 6 × 10−4 Pa (1.5시간 진공 후) |
| 누출률 | ≤5 Pa/12h (버킹 아웃) |
| 회전 샤프트 지름 | 50mm |
| 회전 속도 | 0.5~5회속 |
| 가열 방법 | 전기 저항 난방 |
| 최대 오븐 온도 | 2500°C |
| 난방력 | 40kW × 2kW × 20kW |
| 온도 측정 | 이색 적외선 피로미터 |
| 온도 범위 | 900~3000°C |
| 온도 정확성 | ± 1°C |
| 압력 범위 | 1 ∼ 700 mbar |
| 압력 조절 정확성 | 1·10 mbar: ±0.5% F.S. 10~100 mbar: ±0.5% F.S. 100~700 mbar: ±0.5% F.S |
| 작업 유형 | 바닥 로딩, 수동/자동 안전 옵션 |
| 선택 사항 | 이중 온도 측정, 여러 난방 구역 |
성장 결과
첨단 물리 증기 전송 (PVT) 을 사용하여 SiC 저항 성장 오븐은 고온에서 결정 성장 조건을 정확하게 제어하여 고품질의 성장을 보장 할 수 있습니다.저 결함 실리콘 카바이드 단일 결정장비는 고 정밀 온도 제어 (± 1 ° C), 높은 효율성과 에너지 절감, 안정적이고 신뢰할 수있는 특성으로 장기간 연속 작동에 적합합니다. The equipment provided by ZMSH is also equipped with an intelligent monitoring system that adjusts growth parameters in real time to further improve crystal consistency and yield to meet the semiconductor industry's demanding requirements for high-performance crystals.
생산 표준 반도체
ZMSH는 SiC 저항 성장 오븐 분야에서 수년 동안 기술 축적을 보유하고 있으며 장비 설계 및 제조에서 판매 후 지원에 이르기까지 원스톱 서비스를 제공합니다.우리의 장치는 반도체 산업의 표준을 충족시킬 뿐만 아니라, 그러나 또한 높은 온도, 높은 주파수 및 높은 전력 시나리오에서 우수한 결정 성능을 보장하기 위해 전력 전자, RF 장치 및 새로운 에너지와 같은 응용 프로그램에 최적화되었습니다.
ZMSH는 고성능 SiC 저항성 성장 오븐 및 장비 사용자 정의, 프로세스 최적화 및 기술 지원을 포함한 지원 서비스를 제공하는 데 중점을두고 있습니다.산업에서 오랜 경험을 가진, 우리는 고품질의 실리콘 카바이드 결정에 대한 반도체 산업의 수요를 충족시키기 위해 장비의 고 정밀 온도 제어, 안정성 및 에너지 효율성을 보장합니다.ZMSH의 강점은 빠른 배달입니다., 맞춤형 솔루션 및 24/7 판매 후 서비스, 장비 설치에서 결정 성장 프로세스 최적화까지 고객에게 포괄적인 지원을 제공합니다.고객들이 전력전자 분야에서 선도적 역할을 할 수 있도록 돕는 것, RF 장치 및 다른 분야.
1. 질문: SiC 저항 오븐은 무엇을 위해 사용합니까?
A: 고품질의 실리콘 카비드 (SiC) 결정을 물리 증기 운송 (PVT) 방법을 통해 재배하기 위해 SiC 저항 오븐이 사용됩니다.전력전자 및 반도체 용도로 필수적입니다..
2. 질문: 왜 결정 성장에 SiC 저항 오븐을 선택합니까?
A: SiC 저항 오븐은 정확한 온도 조절, 높은 안정성, 그리고 에너지 효율을 제공합니다.첨단 반도체 장치에 필요한 고순도 SiC 결정.
태그: #실리콘카바이드 저항성 긴 결정 오븐, #SIC, #고온 저항성 난방, #잉고트, #6/8/12 인치 SIC 결정 성장, #SIC 볼
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