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[silicon carbide ceramic ]

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거짓 주요한 급료 6inch 실리콘 탄화물 sic 웨이퍼 0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi 간격 기질

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열 전도도 세라믹 기질 알루미늄 질화물 AlN 높은 세라믹 기질

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6 인치 1.0mm 세라믹 기질, 반도체 가공을 위한 반토 세라믹 판

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Al2O3 기계적 밀봉을 위한 세라믹 기질 웨이퍼 우수한 전기 재산

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세라믹 방위 반지 98% 순수성을 닦는 주문을 받아서 만들어진 크기 실리콘 탄화물

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SiC 세라믹 베어링 볼 G5 등급 고경도

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SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

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4H-N 5x5mm은 원문대로 DSP 세라믹 촉매제 기판을 웨이퍼로 만듭니다

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SiC Ceramic Tray for LED Wafer Epitaxy and ICP Etching Processes

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2/4/6/8 인치 시크리콘 탄화물 결정 씨앗 기판 4H-N 타입 고강도 P 등급 R 등급 D 등급

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거짓 생산 연구 급료 실리콘 탄화물 높은 순수성 4h-semi는 투명한 sic 웨이퍼를 유엔 진한 액체로 처리했습니다

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고순도 실리콘 카비드 (SiC) 분말 99.9999% (6N) HPSI 유형 100μm 입자 크기 SIC 결정 성장

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4inch Sic 주괴 실리콘 탄화물 반도체를 위한 5 - 15mm 간격

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