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에피인 GaN을 위한 MPCVD 방법 폴리타입 다이아몬드 기판 웨이퍼2023-01-03 11:49:13 |
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다이아몬드 위의 GaN과 에피 HEMT (고전자이동도 트랜지스터)과 결합에 의한 질화 갈륨 기판 위의 다이아몬드2023-01-03 11:44:58 |
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다이아몬드 템플릿 위의 AlN은 다이아몬드 기판에 AlN 에피택셜 막을 웨이퍼로 만듭니다2023-01-03 11:41:01 |
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4H-N 5x5mm은 원문대로 DSP 세라믹 촉매제 기판을 웨이퍼로 만듭니다2024-09-13 15:22:41 |
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6H-N 4H-N SiC 기판 2는 0.33 밀리미터 0.43 밀리미터 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다2022-10-28 09:37:06 |
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열 관리 구역을 위한 MPCVD 방법 GaN 다이아몬드 열 방산 웨이퍼2023-01-03 11:54:15 |
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주문 제작된 두께 1.5 밀리미터 4 " 4H-N SiC 크리스털 절단된 그대로 공백 웨이퍼2022-06-23 10:12:35 |
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3 인치 4 인치 2 인치 0.35 밀리미터 DSP는 4h-N 탄화규소 SIC 웨이퍼를 포장합니다2022-06-23 10:13:37 |
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5x40mm 맞춤형 모양 sic 크리스탈 웨이퍼 4H-N Sic 기판 칩2022-06-23 10:12:24 |
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2 SP (기술병) 4H 세미 4H-N SIC 탄화 규소 웨이퍼 10 Ｘ 10 Ｘ 0.5 밀리미터2022-10-28 09:39:06 |
