제품 상세정보
Place of Origin: China
브랜드 이름: ZMSH
Model Number: N-GaAs Substrate
지불 및 배송 조건
Delivery Time: 2-4 weeks
Payment Terms: T/T
소재: |
갈륨 비소화물 |
크기: |
2인치 |
두께: |
430um |
배향: |
<111> <110> |
종류: |
앤형 |
캐비티 모드 균일성: |
≤ 1% |
소재: |
갈륨 비소화물 |
크기: |
2인치 |
두께: |
430um |
배향: |
<111> <110> |
종류: |
앤형 |
캐비티 모드 균일성: |
≤ 1% |
2인치 N-갈륨 아르세나이드 기판, N-GaAs VCSEL 에피타시얼 웨이퍼, 반도체 에피타시얼 웨이퍼, 2인치 N-GaAs 기판, GaAs 싱글 크리스탈 웨이퍼 2인치 3인치 4인치 N-GaAs 기판,반도체 웨이퍼N-갈륨 아르세나이드 레이저 에피타시얼 웨이퍼
N-GaAs 기판의 특징
- 제조에 GaAs 기판을 사용
- 디자인 아트워크와 맞춤형을 지원
- 직접 반구 틈, 효율적으로 빛을 방출, 레이저에 사용됩니다.
- 0.7μm에서 0.9μm의 파장 범위에서, 양자 우물 구조
- MOCVD 또는 MBE, 에칭, 금속화 및 포장 등의 기술을 사용하여 장치의 최종 형태를 얻습니다.
설명N-GaAs 서브스트레이트
VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) epitaxial wafers based on N-GaAs (n-type gallium arsenide) substrates are a key optoelectronic material widely used in the fields of lasers and optical communications.
N-GaAs 기판은 갈륨 (Ga) 과 아르센 (As) 으로 구성되어 있으며, 자유 전자의 농도를 높이기 위해 n형 도핑 기술을 사용합니다.따라서 전도성 및 전자 이동성을 향상시킵니다..
이 물질은 약 1.42 eV의 에너지 대역폭을 가지고 있으며 레이저 방출에 적합하며 뛰어난 광 전자 특성을 가지고 있습니다.
VCSEL의 구조는 일반적으로 N-GaAs 기판에 성장하여 효율적인 레이저 구멍을 형성하는 여러 양자 우물과 반사층을 포함합니다.
양자 우물 층은 레이저를 흥분시키고 방출하는 데 책임이 있으며 반사기는 레이저의 출력 효율을 향상시킵니다.
N-GaAs 기판의 뛰어난 열 안정성과 전기적 특성은 VCSEL의 높은 성능과 안정성을 보장하여 고속 데이터 전송에서 좋은 성능을 제공합니다.
N-GaAs 기판을 기반으로 한 VCSEL는 광섬유 통신, 레이저 프린터 및 센서와 같은 분야에서 널리 사용됩니다.
높은 효율과 낮은 전력 소비로 현대 통신 기술의 중요한 부분입니다.
고속 데이터 전송에 대한 수요가 증가함에 따라 N-GaAs 기판을 기반으로 한 VCSEL 기술은 점차 광 전자 발전의 중요한 방향이되고 있습니다.다양한 애플리케이션의 발전과 혁신을 촉진.
N-GaAs 기판에 대한 세부 정보
| 매개 변수 | VCSEL |
| 비율 | 25G/50G |
| 파장 | 850nm |
| 크기 | 4인치/6인치 |
| 하위 모드 허용 | ±3% 내 |
| 캐비티 모드 동일성 | ≤ 1% |
| 도핑 수준 허용 | ±30% 내 |
| 도핑 수준 균일성 | ≤10% |
| PL 파장 균일성 | STD.Dev 2nm @inner 140mm 보다 낫습니다 |
| 두께 균일성 | ±3% 이상 @내쪽 140mm |
| 몰 분수 x 허용량 | ±0 이내03 |
| 몰 분수 x 균일성 | ≤0.03 |
더 많은 N-GaAs 기판 샘플
* 사용자 정의 요구 사항이 있다면 저희에게 연락하십시오.
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FAQ
1Q: 다른 N-GaAs 기판에 비해 비용에 대해 어떻게 생각하십니까?기판?
A:N-GaAs 서브스트라트실리콘보다 더 비싼 경향이 있습니다기판그리고 다른 반도체 물질들도 있습니다.
2Q: 미래에 대한 전망은 어떨까요?N-GaAs 서브스트라트?
A: 미래 전망N-GaAs 서브스트라트아주 유망합니다.
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