2" InSb-Te EPI 서브스트라트 좁은 대역 반도체 서브스트라트 홀 부품

2Sb-Te EPI 기판 좁은 대역 간격 반도체 기판 홀 구성 요소

InSb-Te의 설명:

인디엄 안티모니드 (InSb이중 화합물 반도체 재료의 한 종류로서,반도체인Sb는 매우 좋은 성능을 가지고 있습니다. 인Sb는 매우 좋은 성능을 가지고 있습니다.좁은 밴드 간격, 매우 작은 전자 효과 질량과 매우 높은 전자 이동성, 특히 주목할 점은 그것은 스펙트럼 범위의 내재 흡수3~5μm, 거의 100% 양자 효율을 가지고, 중파의 준비에 선호되는 재료로적외선 감지기, 그리고 응용 가능성과 상업적 수요는 매우 크다.그리고 발렌스 전자 껍질 구조도 서로 가깝습니다이 원자는 결정에서 sb를 대체하기 위해 대체로 도핑되어 기증자의 역할을 수행합니다.CZ-pull이 방법은 일정한 te 도핑 농도를 가진 insb 몸 물질을 준비하는 데 사용될 수 있으며 te의 추가로 insb 결정의 전도 유형이 변경 될 수 있습니다.또한 재료의 전기 및 광학적 특성에 중요한 영향을 미쳤습니다.관련 연구는 공간 성장에 대한 실험적 기초를 마련했습니다.도핑 INSb.

InSb-Te의 특징:

InSb-Te의 기술적 매개 변수:

InSb-Te의 적용:

1초고속 전자 장치: 텔루륨 도핑 된 InSb 결정은 또한 초고속 전자 장치에서 잠재력을 가지고 있습니다.

2양자 구조 장치: Te 로 도핑 된 InSb 결정은 양자 구조 장치를 준비하는 데 사용할 수 있습니다.

양자 우수와 양자 점 장치.

3광전자 장치: Te 를 첨가 한 InSb 결정은 다양한 광전자 장치를 준비하는 데 사용할 수 있습니다.

광탐지, 광전력 증폭기 및 광전력 변환기

4적외선 검출기: Te로 도핑 된 InSb 결정은 고성능 적외선 검출기를 준비하는 데 사용할 수 있습니다.

텔루륨 도핑은 운반자의 농도와 이동성을 증가시킬 수 있습니다.

5적외선 레이저: Te 로 도핑 된 InSb 결정은 적외선 레이저 분야에서 응용 잠재력을 가지고 있습니다.

텔루륨 도핑 INSb 결정, INSB 결정의 대역 구조는 적외선 레이저의 작업을 실현 할 수 있습니다.

다른 인스베-테 관련 제품:

SIC 기판:

FAQ:

Q: 브랜드 이름은 무엇입니까Te-InSb?

A: 브랜드 이름Te-InSbZMSH입니다.

Q: 인증은 무엇입니까?Te-InSb?

A: 인증Te-InSbROHS입니다.

Q: 원산지는 어디인가요?Te-InSb?

A: 원산지Te-InSb중국입니다.

Q: MOQ는 무엇입니까?Te-InSb 한 번에?

A: MOQTe-InSb한 번에 25개입니다.