HVPE 갈륨 질화물 GaN 웨이퍼, Gan 칩 자유로운 입상 10 x 10 mm 크기

 고속의, 고열과 높은 힘 취급 기능을 위한 성장 수요는 madethe 반도체 기업을 반도체로 이용된 자료 선정을 재고해 달라고 합니다. 예를 들면,                      

각종 더 빠르고 더 작은 계산 장치가 발생하는 때, 실리콘의 사용에 의하여 Moore의 법률을 지탱하 것을 어려운 하고 있습니다. 또한 파워일렉트로닉스, 그래서 GaN 반도체 웨이퍼에서 필요를 위해 밖으로 성장됩니다.              

 그것의 유일한 특성 (높은 최대 현재, 높은 고장 전압 및 높은 전환 빈도) 때문이, 갈륨 질화물 GaN 미래의 에너지 문제를 해결하는 선택의 유일한 물자는.   GaN에는 체계의 있어 고성능 효율성이 기초를 두어, 따라서 환원력 손실은 더 높은 빈도에, 전환해, 따라서 크기와 무게를 감소시키.    

   GaN 기술은 산업의 소비자 및 서버 전력 공급, 태양, AC 드라이브 및 UPS 변환장치 및 잡종과 전차와 같은 수많은 높 힘 신청에서 사용됩니다. 게다가,                       

GaN는 세포질 기지국 레이다 및 유선 텔레비전과 같은 RF 신청을 위해 이상적으로 적응됩니다                             

그것의 높은 고장 힘에게 네트워킹에 있는 기반, 항공 우주와 방위 분야, 감사, 저잡음 숫자 및 높은 선형성.