32 인치 InAs는 n형 도프하지 않은 유형 GaA 웨이퍼 가스브 웨이퍼를 웨이퍼로 만듭니다
애플리케이션
INA 단일 결정은 InAsSb/InAsPSb, 인나스즈비와 다른 이질 접합 소재를 성장시키기 위해 기판 물질로서 사용될 수 있고 생산 파장이 2~14 μ M 적외선 발광 장치입니다. INA 단결정체 기판은 또한 알가스브 초격자 구조 재료의 열벽 증착기와 중간 적외선 양자 캐스캐이드 레이저의 생산을 위해 사용될 수 있습니다. 이러한 적외선 장치는 가스 검출과 저손실 광섬유 전송의 분야에서 좋은 적용 전망을 가지고 있습니다. 게다가 InAs 단일 결정은 전자의 고이동성을 가지고 있고, 홀 소자에 쓸 이상적인 소재입니다.
제품 특성
● 크리스탈은 발달한 기술과 안정적 전기적 실행과 액체 봉인 초크랄스키 (LEC) 기술에 의해 성장됩니다
● x선 방위 측정 기구는 정확한 오리엔테이션을 위해 사용되고 결정 방위 일탈은 ± 0.5 오우 일 뿐입니다
● 웨이퍼는 화학 기계적 연마 (CMP) 기술에 의해 닦이고, 조도는 0.5nm 이합니다
●는 사용 요구를 충족시킵니다의 박스에서
● 특별한 상술 제품은 사용자 요구에 따라 처리될 수 있습니다
명세서 상세를 웨이퍼로 만듭니다
전기적 매개 변수 | ||||
불순물 | 타입 |
캐리어 농도 (cm-3) |
이동성 (cm2V-1s-1) |
전위 밀도 (cm-2) |
도프하지 않은 | n형 | <5x1016 | ≥2x104 | ≤50000 |
SN 투여됩니다 | n형 | (5-20)x1017 | >2000 | ≤50000 |
S-도핑된 | n형 | (3-80) x1017 | >2000 | ≤50000 |
아연이 첨가됩니다 | p형 | (3-80) x1017 | 60~300 | ≤50000 |
사이즈 | 2" | 3" |
지름(MM) | 50.5±0.5 | 76.2±0.5 |
두께(um) | 500±25 | 600±25 |
배향 | (100)/(111) | (100)/(111) |
배향 톨레라네 | ±0.5o | ±0.5o |
OF 길이(MM) | 16±2 | 22±2 |
2 거리 OF 길이(MM) | 8±1 | 11±1 |
TTV(um) | <10 | <10 |
활(um) | <10 | <10 |
날실(um) | <15 | <15 |
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