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게르마늄 단결정 인듐 인화물 웨이퍼는 Ge 광학 렌즈 4/6 인치를 주문을 받아서 만들었습니다

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2 - 6 인치 갈륨 인화물 수정같은 기질 간격 웨이퍼 0.1 - 2mm 간격

반 4 인치 - LD 레이저 다이오드를 위한 격리 인듐 인화물 웨이퍼

N / P는 게르마늄 웨이퍼, 게르마늄 광학 판 직경 0.5 ~ 150mm를 타자를 칩니다

Ge 광학적인 판 인듐 인화물 웨이퍼 우수한 반도체 물자

인듐 인화물 웨이퍼

(8)

게르마늄 단결정 인듐 인화물 웨이퍼는 Ge 광학 렌즈 4/6 인치를 주문을 받아서 만들었습니다
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4inch 6inch 게르마늄 단결정 Ge 기질 웨이퍼, 주문을 받아서 만들어진 Ge 광학 렌즈 게르마늄 기질 신청: 반도체 소자, 적외선 광학 장치, 태양 전지의 침몰 물자의 생산에서 이용되는 게르마늄 웨이퍼. 주요 재산 기간 생산법 Czochralski 방법 (CZ... Read More

2019-07-10 17:43:54

중국 2 - 6 인치 갈륨 인화물 수정같은 기질 간격 웨이퍼 0.1 - 2mm 간격 공장

2 - 6 인치 갈륨 인화물 수정같은 기질 간격 웨이퍼 0.1 - 2mm 간격
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2-6 인치 갈륨 인화물 (간격) 결정 수정같은 기질, 간격 웨이퍼 ZMKJ 깡통은 직경에 있는 전자와 광전자 공학 기업에 고품질 단결정 간격 웨이퍼 (갈륨 인화물)를 2 인치까지 제공합니다. 갈륨 인화물 (간격) 결정은 2개 성분, 갈륨 및 인화물의 액체에 의하여 ... Read More

2019-07-10 17:43:54

중국 반 4 인치 - LD 레이저 다이오드를 위한 격리 인듐 인화물 웨이퍼 공장

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4inch LD 레이저 다이오드를 위한 반 격리 인듐 인화물 InP 웨이퍼, 반도체 웨이퍼, 3inch InP 웨이퍼, LD 신청을 위한 단결정 wafer2inch 3inch 4inch InP 기질, 반도체 웨이퍼, InP 웨이퍼, 단결정 웨이퍼 InP는 소개합니다 ... Read More

2019-07-10 17:43:54

중국 N / P는 게르마늄 웨이퍼, 게르마늄 광학 판 직경 0.5 ~ 150mm를 타자를 칩니다 공장

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2inch 4inch 6inch N 유형 P 유형은 게르마늄 단결정 웨이퍼를 진한 액체로 처리했습니다, 게르마늄 단결정 광학적인 판 Ge 웨이퍼/Ge 창 게르마늄 (Ge)는 8-12 um 파장 밴드에 있는 고성능 적외선 촬영 장치를 위한 선호한 렌즈와 창 물자입니다. ... Read More

2019-07-10 17:43:54

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게르마늄 단결정 웨이퍼, Ge 광학적인 판 게르마늄 기질 신청: 반도체 소자, 적외선 광학 장치, 태양 전지의 침몰 물자의 생산에서 이용되는 게르마늄 웨이퍼. 주요 재산 기간 생산법 Czochralski 방법 (CZ) 결정 구조 입방체 격자 불변의 것 a=5.65754... Read More

2019-07-10 17:43:54

중국 LD를 위한 1 차/거짓 급료 인듐 인화물 웨이퍼 간격 350um 공장

LD를 위한 1 차/거짓 급료 인듐 인화물 웨이퍼 간격 350um
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LD를 위한 2inch N 유형 P 유형 간격 350um 초등학년 거짓 급료 인듐 인화물 수정같은 InP 기질 웨이퍼 인듐 인화물 단결정 물자는 인듐 인화물 기질 (LD)의 레이저 다이오드를 위한 중요한 원료인 최대 중요한 반도체 화합물의 하나, 발광 다이오드 (LED... Read More

2019-07-10 17:43:54

중국 3.58 조밀도 Mgo 기질/Mgo 웨이퍼 산화마그네슘 결정 기질 공장

3.58 조밀도 Mgo 기질/Mgo 웨이퍼 산화마그네슘 결정 기질
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MgO 기질, 10X10mm MgO 웨이퍼, 반도체 웨이퍼, 산화마그네슘 (MgO) 수정같은 기질, 결정 공급자 MgO 웨이퍼 5x5mm 제품 설명:산화마그네슘 (MgO)는 monocrystalline 기질을 위해 우수합니다 ferroelectric 박막의 생산에서 널... Read More

2019-07-10 17:43:54

까만 인듐 인화물 웨이퍼, LD 신청을 위한 반도체 웨이퍼
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LD 신청을 위한 2inch 3inch 4inch InP 기질, 반도체 웨이퍼, InP 웨이퍼, 단결정 웨이퍼 InP는 소개합니다 InP 단결정 tCZ 성장 (Czochralski 변경된 방법)는씨에서 출발 붕소 산화물 액체 encapsulant를 통해 단결정을 당기기 ... Read More

2019-07-10 17:43:54

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