SIC EPI WAFER 개요 초 고전압 (UHV) MOS 장치의 경우 4H 6 인치 SIC 에피 택셜 웨이퍼 100μm/200μm/300μm 4H-SIC 에피 택셜 웨이퍼는 화학 증기 증착 (CVD)을 통해 4H-SIC 단축 기질 상에 제조 된 탄소 이황화 (SIC) ... 자세히보기

2025-09-04 13:07:50

6인치 초고전압 SiC 에피택셜 웨이퍼 100–500 µm (MOSFET 장치용)
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6인치 초고전압 SiC 에피택셜 웨이퍼 주요 소개 6인치 초고전압 SiC 에피택셜 웨이퍼 100–500 μm MOSFET 장치용 이 제품은 6인치 N형 4H-SiC 전도성 기판 위에 고온 화학 기상 증착(HT-CVD) 기술을 통해 성장한 100~500 μm 두께의 고순... 자세히보기

2025-09-04 13:07:33

맞춤형 사각 광학 윈도우 그린 모이사나이트 SiC 결정 고경도
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그린 모이사나이트 사각 윈도우 개요 맞춤형 사각 광학 윈도우 그린 모이사나이트 SiC 결정 고경도 그린 모이사나이트 사각 윈도우는 실험실에서 성장시킨 탄화규소(SiC) 단결정 재료로 제작된 고정밀 광학 평판입니다. 보석 장식을 위한 것이 아니라 가혹한 환경에서 뷰잉 윈... 자세히보기

2025-09-04 13:07:31

4인치 6인치 8인치 SICOI 웨이퍼 4H-SiC 온 인슐레이터 100~150 mm sic 필름 ON 실리콘
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SICOI 웨이퍼 개요 4인치 6인치 8인치 SICOI 웨이퍼 절연체 위의 4H-SiC 100~150mm sic 필름 ON 실리콘 특징 카테고리 세부 매개변수/성능 기술적 장점 재료 구조 SiC 단결정층(4H/6H-SiC) + 절연층(SiO₂/Si₃N₄) + 지지 기판... 자세히보기

2025-08-14 11:19:19

2인치 4인치 6인치 8인치 5x5 mm 10x10 mm 4H-SiC 기판 3C-N 타입 MOS 등급
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3C-SiC 기판 개요 2인치 4인치 6인치 8인치 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC 기판 3C-N 타입 MOS 등급 3C-N 타입 탄화규소(3C-SiC) 기판은 입방 결정 구조(3C)를 기반으로 하는 광대역 반도체 재료로, 액상 에피택시(LPE) 또는 물리 기... 자세히보기

2025-08-14 11:19:17

3C-SiC 기판 N형 제품 등급, 5G 통신용
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3C-SiC 기판 제품 설명 3C-SiC 서브스트라트 N형 5G 통신용 제품 등급 ZMSH는 3세대 반도체 소재의 연구개발 및 생산에 특화되어 있으며 10년 이상의 산업 전문 지식을 보유하고 있습니다.우리는 사파이어와 같은 반도체 재료에 대한 맞춤 서비스를 제공합니다.... 자세히보기

2025-08-14 11:19:16

고순도 실리콘 카비드 (SiC) 분말 99.9999% (6N) HPSI 유형 100μm 입자 크기 SIC 결정 성장
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요약 고순도 실리콘 카비드 (SiC) 분말 99.9999% (6N) HPSI 유형 100μm 입자 크기 SIC 결정 성장 세 번째 세대의 반도체에 대한 핵심 재료로 실리콘 카바이드 분말 (SiC) 은 높은 열 전도성 (490 W/m·K), 극심한 경화 (Mohs 9... 자세히보기

2025-08-14 11:19:05

6인치 8인치 4H-SEMI SiC 기판
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6 인치 8 인치 4H-SEMI SIC 기판 개요 광학 등급 6 인치 8 인치 4H- 세미 타입 SIC 기판 AR 안경 AR 안경을 위해 특별히 설계되었으며, 물리 증기 수송 (PVT)을 통해 성장하고 나노 규모의 연마 및 스트레스가 낮은 슬라이싱을 통해 정제 된 혁신... 자세히보기

2025-08-08 11:34:11

AR 안경 및 5G RF 장치용 6인치 4H-SEMI SiC 기판
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6인치 4H-SEMI SiC 기판 개요 AR 안경용 6인치 4H-SEMI형 SiC 기판 6인치 4H-SEMI 실리콘 카바이드 (4H-SiC) 기판은 육각형 결정 구조 (4H 폴리 타입) 를 기반으로 한 넓은 대역 반도체 물질입니다.반열성 특성을 갖도록 설계된 (반열성 ... 자세히보기

2025-08-08 11:34:11

4H-N형 SiC 기판 10x10mm 파워 전자제품 웨이퍼
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SiC 10×10 소형 웨이퍼는 3세대 반도체 재료인 탄화규소(SiC)를 기반으로 개발된 고성능 반도체 제품입니다. 물리적 증기 수송(PVT) 또는 고온 화학 기상 증착(HTCVD) 공정을 사용하여 제조되었으며, 4H-SiC 또는 6H-SiC의 두 가지 폴리타입 옵션을 ... 자세히보기

2025-07-31 09:09:08

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