제품 상세정보
원래 장소: 중국
브랜드 이름: zmsh
지불 및 배송 조건
배향: |
C 평면 (0001)에서 (11-20) 1 ° 오프 |
재료: |
99.999% 사파이어 크리스탈 |
TTV: |
<15um> |
활: |
<50um> |
닦은: |
dsp 또는 스스피 |
직경: |
맞춤형 |
배향: |
C 평면 (0001)에서 (11-20) 1 ° 오프 |
재료: |
99.999% 사파이어 크리스탈 |
TTV: |
<15um> |
활: |
<50um> |
닦은: |
dsp 또는 스스피 |
직경: |
맞춤형 |
사파이어 웨이퍼 C-플랜에서 A 1° 오프, 99.999% 알2O₃, 지름 2"/3"/4"/6"/8", 사용자 정의 두께
이건고밀도의 사파이르 웨이퍼특징 aC 평면에서 A 축 1° 오프 컷 오리엔테이션그리고99순도 0.999% (5N), 첨단 광전자 및 반도체 응용 프로그램에서 우수한 부피성 성장을 위해 최적화표준 지름 (2"에서 8")맞춤형 두께로 뛰어난 결정학적 균일성, 매우 낮은 결함 밀도, 뛰어난 열/화학적 안정성을 제공합니다.제어 된 1 ° 오브 컷 각은 단계 덩어리 결함을 줄임으로써 GaN 및 AlN 에피택시를 향상시킵니다., 고성능 LED, 레이저 다이오드, 전력 전자 및 RF 장치에 이상적입니다.
사파이어 웨이퍼 의 주요 특징
정밀 절단 방향
C 평면에서 A 축 1° ±0.1° 오프컷, 에피타시얼 필름 균일성을 개선하고 GaN 기반 장치의 결함을 최소화하기 위해 설계되었습니다.
초고정도 (5N Al)2O3)
990.999% 순수미세먼지 (Fe, Ti, Si) <5ppm, 최적의 전기 및 광적 성능을 보장합니다.
직경: 2′′, 3′′, 4′′, 6′′, 8′′ (±0.1mm 허용)
두께: 100μm에서 1,500μm (±5μm 허용도), 특정 애플리케이션에 맞춘다.
에피-준비 록: Ra <0.5 nm (전면) 결함 없는 얇은 필름 퇴적용
열 안정성: 녹는점 ~2,050°C, 고온 공정 (MOCVD, MBE) 에 적합합니다.
광적 투명성: > 85% 전송 (UV ~ 중 IR: 250 nm ∼ 5,000 nm)
기계적 견고성: 9 모스 경직성, 화학적 발각 및 경직에 저항성
사파이어 웨이퍼 의 사용 방법
광전자
GaN 기반 LED/레이저 다이오드: 블루/UV LED, 마이크로 LED, VCSEL.
고전력 레이저 창: CO2 및 엑시머 레이저 부품
전력 및 RF 전자
HEMT (고전자 이동성 트랜지스터): 5G/6G 전력 증폭기 및 레이더 시스템.
스콧키 다이오드 및 MOSFET: 전기차용 고전압 장치.
산업 및 국방
적외선 창문 및 미사일 돔: 가혹한 환경에서 높은 투명성.
사파이어 센서: 산업 모니터링용 부식 저항 커버
양자 & 연구 기술
초전도 큐비트의 기판(퀀텀 컴퓨팅)
SPDC (스폰타니우스 파라메트릭 다운 변환) 크리스탈양자 광학에 대한 것입니다.
반도체 및 MEMS
SOI (실리콘-온-이솔레이터) 웨이퍼첨단 IC를 위해
MEMS 압력 센서화학적 무력성을 요구합니다.
사양
|
매개 변수 |
가치 |
|---|---|
| 직경 | 2′′, 3′′, 4′′, 6′′, 8′′ (±0.1mm) |
| 두께 | 맞춤 (100~1,500μm ±5μm) |
| 방향성 | C 평면에서 A 1° ±0.1° |
| 순수성 | 990,999% (5N Al2O3) |
| 표면 거칠성 (Ra) | <0.5 nm (epi-ready) |
| 위장 밀도 | < 500cm−2 |
| TTV (총 두께 변동) | < 10μm |
| 활/구름 | <15μm |
| 광적 투명성 | 250~5,000 nm (>85%) |
질문 및 답변
Q1: 다른 절단 각을 요청할 수 있나요 (예를 들어 0.5° 또는 2°)?
A2: - 그래요±0.1° 허용도와 함께 사용자 지정 오프컷 각 (0.2°~5°) 이 제공됩니다.
Q2: 가능한 최대 두께는 무엇입니까?
A6:최대1500μm (1.5mm)높은 스트레스 적용에서 기계적 안정성
Q3: 오염을 방지하기 위해 웨이퍼를 어떻게 보관해야 합니까?
A10:보관청정실에 적합한 카세트또는 질소 캐비닛 (20~25°C, 습도 <40%).
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