제품 상세정보
원래 장소: 중국
브랜드 이름: ZMSH
인증: rohs
Model Number: 6inch Sapphire Wafer
지불 및 배송 조건
Minimum Order Quantity: 25
배달 시간: 2-4 주
Payment Terms: T/T
Material: |
99.999％ Al2O3 |
Size: |
Customized |
Vision Light Transmissivity: |
90％ |
Suraface: |
DSP |
TTV: |
≤ 10um |
Industry: |
LED chip manufacturing, Optical Windows and sensors |
Material: |
99.999％ Al2O3 |
Size: |
Customized |
Vision Light Transmissivity: |
90％ |
Suraface: |
DSP |
TTV: |
≤ 10um |
Industry: |
LED chip manufacturing, Optical Windows and sensors |
제품 설명
6인치 사파이어 웨이퍼 DSP 지름 150mm 두께 350μm 전력 전자제품
6인치 사파이어 웨이퍼는 엣지 정의 필름 피드 성장 (EFG) 또는 키로폴로스 (KY) 방법을 통해 단일 결정 알루미늄 산화물 (α-Al2O3) 에서 제조된 대형 형식의 광학 수준의 기판입니다.150mm±0의 표준화 된 차원.2mm 지름과 사용자 정의 두께 (0.3-1.0mm). 세 번째 세대의 반도체에 중요한 기판으로,6인치 사파이어 웨이퍼높은 광전도 (> 85% 가시 스펙트럼), 낮은 격자 불일치 (GaN와 13%), 뛰어난 기계적 안정성을 결합하여 고 밝기의 LED 제조에 이상적입니다.마이크로 LED그 큰 영역 포맷은 칩 당 비용을 줄이는 동시에 대각선 생산 효율을 크게 향상시킵니다.광전자 및 반도체 산업의 발전을 주도합니다..
주요 특징
1.6인치 사파이어 웨이퍼우수한 크리스탈 품질:
· 위장 밀도 <103cm−2 및 표면 거칠성 Ra<0.3nm (C 평면으로 닦은) 은 GaN 에피택시에 대한 원자 수준 평면성 요구 사항을 충족합니다.
· 크리스탈 오리엔테이션 정확도 ±0.1° (C, R, A 평면 오리엔테이션에서 사용할 수 있습니다.)
2.6인치 사파이어 웨이퍼광학 성능:
· 85% 가시 스펙트럼 (400-800nm) 및 UV 범위 (250-400nm) 에서 > 80%의 전파성, UV 광학 장치에 적합합니다.
· LED 빛 추출 효율을 30% 이상 향상시키기 위해 사용자 정의 가능한 양면 닦은 (DSP) 또는 패턴 된 사피르 기판 (PSS) 구조.
3.6인치 사파이어 웨이퍼열/기계 안정성:
· CTE (GaN에 5.3×10−6/°C) 에 맞추어 2040°C의 녹기점으로, 발화 과정에서 열 스트레스 균열을 최소화합니다.
· MOCVD/PECVD 퇴적 과정에 플라즈마 저항성.
4.6인치 사파이어 웨이퍼넓은 면적의 장점:
· 6인치 웨이퍼당 사용 가능한 칩 면적이 4인치와 비교하면 50% 증가하여 단위 생산 비용을 크게 줄입니다.
기술 매개 변수
| 재산 | 6인치 |
| 직경 | 150±0.1mm |
| 두께 | 350±15um |
| 500 ± 15um | |
| 1000±15um | |
| 경직성 | Ra ≤ 0.2nm |
| 워프 | ≤ 15um |
| TTV | ≤ 10um |
| 스크래치/Dig | 20/10 |
| 폴란드어 | DSP (두면 닦은); SSP ((일면 닦은) |
| 형태 | 둥글고 평평한 16mm;오프 길이 22mm;오프 길이 30/32.5mm;오프 길이 47.5mm; NOTCH; NOTCH |
| 가장자리 형태 | 45°C 모양 |
| 소재 | 사파이어 크리스탈, 녹은 쿼츠 JGS1/JGS2; BF33, D263; EXG 유리. |
| 언급 | 위의 모든 사양은 요청에 따라 사용자 정의 될 수 있습니다 |
주요 용도
1. LED 제조:
6인치 사파이어 웨이퍼GaN 에피택시의 주요 기판으로, 6인치 사파이어 웨이퍼는 차세대 초고화질 디스플레이를 지원하는 높은 밝기 LED 및 미니 / 마이크로 LED 디스플레이 칩의 고출력 생산을 가능하게합니다.
2전력전자:
6인치 사파이어 웨이퍼가고 주파수/고 전력 작동을 필요로 하는 5G 기지국 및 EV 전력 인버터용 GaN-on-sapphire HEMT 장치에 사용됩니다.
3.오픽틱 컴포넌트
정밀하게 닦으면6인치 사파이어 웨이퍼극한 환경의 창문 (우주선) 또는 방사능 저항성을 가진 UV 센서 기판으로 사용됩니다.
4.S반도체 장비:
6인치 사파이어 웨이퍼부식 저항성, 고 단열성 (반항성 > 1014 Ω·cm) 의 운반판으로 사용된다.
FAQ
1질문: 마이크로 LED 생산을 위해 6인치 사파이어 웨이퍼를 선택하는 이유는 무엇입니까?
A: 6인치 사파이어 웨이퍼는 Ra≤0.2nm의 4인치 웨이퍼보다 50% 더 많은 사용 가능한 영역을 제공하며 고출력 마이크로 LED 제조를 가능하게합니다.
2Q: 6인치 사피어 웨이퍼가 GaN 전력 장치에 적합합니까?
A: 예, 낮은 격자 불일치 (GaN와 13%), 열 안정성 (CTE 5.3×10−6/°C) 은 전력 전자 장치의 성능을 최적화합니다.
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