6인치 사파이어 웨이퍼 DSP 지름 150mm 두께 350μm 전력 전자제품

6인치 사파이어 웨이퍼 DSP 지름 150mm 두께 350μm 전력 전자제품

6인치 사파이어 웨이퍼는 엣지 정의 필름 피드 성장 (EFG) 또는 키로폴로스 (KY) 방법을 통해 단일 결정 알루미늄 산화물 (α-Al2O3) 에서 제조된 대형 형식의 광학 수준의 기판입니다.150mm±0의 표준화 된 차원.2mm 지름과 사용자 정의 두께 (0.3-1.0mm). 세 번째 세대의 반도체에 중요한 기판으로,6인치 사파이어 웨이퍼높은 광전도 (> 85% 가시 스펙트럼), 낮은 격자 불일치 (GaN와 13%), 뛰어난 기계적 안정성을 결합하여 고 밝기의 LED 제조에 이상적입니다.마이크로 LED그 큰 영역 포맷은 칩 당 비용을 줄이는 동시에 대각선 생산 효율을 크게 향상시킵니다.광전자 및 반도체 산업의 발전을 주도합니다..

 

주요 특징

 

1.6인치 사파이어 웨이퍼우수한 크리스탈 품질:

· 위장 밀도 <103cm−2 및 표면 거칠성 Ra<0.3nm (C 평면으로 닦은) 은 GaN 에피택시에 대한 원자 수준 평면성 요구 사항을 충족합니다.

· 크리스탈 오리엔테이션 정확도 ±0.1° (C, R, A 평면 오리엔테이션에서 사용할 수 있습니다.)

 

 

2.6인치 사파이어 웨이퍼광학 성능:

· 85% 가시 스펙트럼 (400-800nm) 및 UV 범위 (250-400nm) 에서 > 80%의 전파성, UV 광학 장치에 적합합니다.

· LED 빛 추출 효율을 30% 이상 향상시키기 위해 사용자 정의 가능한 양면 닦은 (DSP) 또는 패턴 된 사피르 기판 (PSS) 구조.

 

 

3.6인치 사파이어 웨이퍼열/기계 안정성:

· CTE (GaN에 5.3×10−6/°C) 에 맞추어 2040°C의 녹기점으로, 발화 과정에서 열 스트레스 균열을 최소화합니다.

· MOCVD/PECVD 퇴적 과정에 플라즈마 저항성.

 

 

4.6인치 사파이어 웨이퍼넓은 면적의 장점:

· 6인치 웨이퍼당 사용 가능한 칩 면적이 4인치와 비교하면 50% 증가하여 단위 생산 비용을 크게 줄입니다.

 

 

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기술 매개 변수

 

 

 

 

재산	6인치
직경	150±0.1mm
두께	350±15um
	500 ± 15um
	1000±15um
경직성	Ra ≤ 0.2nm
워프	≤ 15um
TTV	≤ 10um
스크래치/Dig	20/10
폴란드어	DSP (두면 닦은); SSP ((일면 닦은)
형태	둥글고 평평한 16mm;오프 길이 22mm;오프 길이 30/32.5mm;오프 길이 47.5mm; NOTCH; NOTCH
가장자리 형태	45°C 모양
소재	사파이어 크리스탈, 녹은 쿼츠 JGS1/JGS2; BF33, D263; EXG 유리.
언급	위의 모든 사양은 요청에 따라 사용자 정의 될 수 있습니다

주요 용도

1. LED 제조:
6인치 사파이어 웨이퍼GaN 에피택시의 주요 기판으로, 6인치 사파이어 웨이퍼는 차세대 초고화질 디스플레이를 지원하는 높은 밝기 LED 및 미니 / 마이크로 LED 디스플레이 칩의 고출력 생산을 가능하게합니다.

2전력전자:
6인치 사파이어 웨이퍼가고 주파수/고 전력 작동을 필요로 하는 5G 기지국 및 EV 전력 인버터용 GaN-on-sapphire HEMT 장치에 사용됩니다.

3.오픽틱 컴포넌트
정밀하게 닦으면6인치 사파이어 웨이퍼극한 환경의 창문 (우주선) 또는 방사능 저항성을 가진 UV 센서 기판으로 사용됩니다.

4.S반도체 장비:
6인치 사파이어 웨이퍼부식 저항성, 고 단열성 (반항성 > 1014 Ω·cm) 의 운반판으로 사용된다.