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사파이어 웨이퍼 C 평면 A 0.2±0.1 ° off 99.999% Al2O3 Dia 50.8 두께 430um DSP SSP

제품 상세정보

원래 장소: 중국

브랜드 이름: zmsh

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강조하다:

C 평면 사파이어 웨이퍼

,

Al2O3 사피어 웨이퍼

,

초 얇은 사피어 웨이퍼

소재:
99.999% 사파이어 크리스탈
배향:
C 평면 (0001) a as (11-20) 0.2 ± 0.1 ° 오프
직경:
2 ", 50.8mm
활:
≤20μm
크기:
2 인치, 4 인치, 6 인치, 8 인치
TTV:
<5>
두께:
430μm
소재:
99.999% 사파이어 크리스탈
배향:
C 평면 (0001) a as (11-20) 0.2 ± 0.1 ° 오프
직경:
2 ", 50.8mm
활:
≤20μm
크기:
2 인치, 4 인치, 6 인치, 8 인치
TTV:
<5>
두께:
430μm
사파이어 웨이퍼 C 평면 A 0.2±0.1 ° off 99.999% Al2O3 Dia 50.8 두께 430um DSP SSP

2" 사파이어 웨이퍼 C 평면 A 0.2°±0.1° 오프, 99.999% Al2O₃, 430μm 두께, DSP/SSP

 

이건2인치 사파이어 웨이퍼초정확한 특징C 평면에서 A 축에 오프컷 (0.2°±0.1°)그리고99순도 0.999% (5N), 고성능의 대동맥 성장 및 전문 광전자 응용 프로그램에 최적화되었습니다.두께 430μm및 옵션두면 닦기 (DSP) 또는 단면 닦기 (SSP), 웨이퍼는 뛰어난 표면 품질 (Ra <0.3nm) 및 결정성 일관성을 제공하여 GaN 기반 장치, 레이저 시스템 및 연구 수준의 기판에 이상적입니다.그것의 제어 된 오프 축 방향성 에피택시 도중 단계 덩어리 결함을 줄여, 극도로 높은 순수성은 양자 광학과 RF 필터와 같은 민감한 응용 프로그램에서 최소한의 불순물 원동 성능 저하를 보장합니다.

 

사파이어 웨이퍼 C 평면 A 0.2±0.1 ° off 99.999% Al2O3 Dia 50.8 두께 430um DSP SSP 0

 


 

주요 특징

 

정밀 절단 방향:

C 평면에서 A 축 0.2°±0.1° 오프컷, 부피층 균일성을 향상시키고 GaN 성장의 결함을 줄이기 위해 설계되었습니다.

 

초고 순수성:

99.999% (5N) 알2O, 미세먼지 (Fe, Ti, Si) <5ppm, 고주파 및 저손실 장치에 중요합니다.

 

미생물 표면 품질:

DSP/SSP 옵션:

DSP: Ra <0.3nm (양쪽 모두), 광학 및 레이저 응용에 이상적입니다.

SSP: Ra <0.5nm (전면) 에피타크시에 비용 효율적입니다.

TTV <5μm균일한 얇은 필름 퇴적을 위해

 

물질적 우수성:

열 안정성: ~2,050°C의 녹는점, MOCVD/MBE 프로세스에 적합합니다.

광적 투명성:> 90% 전송 (400nm~4,000nm)

기계적 견고성: 9 모스 강도, 화학적 발열에 저항.

 

연구 수준의 일관성:

부착 밀도 < 300cm², 연구개발 및 파일럿 생산에 높은 생산량을 보장합니다.

 

사파이어 웨이퍼 C 평면 A 0.2±0.1 ° off 99.999% Al2O3 Dia 50.8 두께 430um DSP SSP 1

 


 

신청서

 

GaN 에피타크시:

LED/레이저 다이오드: 블루/UV 방출기, 가닥의 변형을 줄이는.

HEMT: 5G와 레이더를 위한 고전자 이동성 트랜지스터

 

광학적 부품:

레이저 창문: CO2 및 UV 레이저에 대한 낮은 분산 손실.

파도 안내기: 통합 광학용 DSP 웨이퍼.

 

음파 장치:

SAW/BAW 필터: 오프 커트 오리엔테이션은 주파수 안정성을 향상시킵니다.

 

양자 기술:

단일 광자 원천: SPDC 크리스탈을 위한 고순도 기체.

 

산업용 센서:

압력/온도 센서: 혹독한 환경에 대한 화학적으로 무활성 커버.

 

사파이어 웨이퍼 C 평면 A 0.2±0.1 ° off 99.999% Al2O3 Dia 50.8 두께 430um DSP SSP 2

 


 

사양

 

매개 변수

가치

직경 50.8mm (2") ±0.1mm
두께 430μm ±10μm
방향성 C 평면에서 A 0.2°±0.1°
순수성 990,999% (5N Al2O3)
TTV <5μm
활/구름 <20μm

 


 

질문 및 답변

 

Q1: 왜 표준 C 평면 대신 0.2° 오프컷을 선택합니까?
A1:0.2° 오프 컷은 스테프 뱅킹을 억제합니다.GaN 에피택시 과정에서 층 균일성을 개선하고 고 밝기 LED 및 레이저 다이오드의 결함을 줄입니다.

 

Q2: 5N 순수성은 RF 장치 성능에 어떻게 영향을 미치나요?
A2: 99.999% 순도 다이렉트릭 손실을 최소화합니다.5G 필터와 저소음 증폭기에 매우 중요한 높은 주파수입니다.

 

Q3: DSP 웨이퍼를 직접 접착에 사용할 수 있습니까?
A3:네, DSP<0.3nm 거칠성이질적 통합을 위해 원자 수준 결합을 가능하게합니다 (예를 들어, 사파이어-실리콘).

 

Q4: 430μm 두께의 장점은 무엇입니까?
A4:잔액기계적 강도(관리용)열전도성, 빠른 열 처리를 위해 최적입니다.