제품 상세정보
원래 장소: 중국
브랜드 이름: ZMSH
인증: rohs
모델 번호: SiC 기판
지불 및 배송 조건
Packaging Details: customzied plastic box
배달 시간: 2-4 주
Payment Terms: T/T
표면 경화: |
HV0.3>2500 |
항복 전압: |
5.5MV/센티미터 |
팽창 강도: |
>400MPa |
기판 형태: |
기판 |
밀도: |
3.21G/cm3 |
도펀트: |
이용 불가능 |
크기: |
맞춤형 |
열팽창 계수: |
4.5 Ｘ 10-6/K |
표면 경화: |
HV0.3>2500 |
항복 전압: |
5.5MV/센티미터 |
팽창 강도: |
>400MPa |
기판 형태: |
기판 |
밀도: |
3.21G/cm3 |
도펀트: |
이용 불가능 |
크기: |
맞춤형 |
열팽창 계수: |
4.5 Ｘ 10-6/K |
SiC 에피타시얼 웨이퍼 기판 반도체 산업용 4H-N
실리콘 카바이드 (SiC 기판이 물질 은 1893 년 에 깎는 바퀴 와 자동차 브레이크 를 위한 산업용 가러미 물질 로 발견 되었다. 20 세기 중반 에,SiC 기판사용은 LED 기술에 포함되었습니다. 그 이후로, 그것은 유리 한 물리적 특성으로 인해 수많은 반도체 응용 분야로 확장되었습니다.이 특성은 반도체 산업 내와 외부의 광범위한 사용에서 분명합니다.무어의 법칙이 한계에 도달하는 것처럼 보이기 때문에 반도체 산업의 많은 회사는 미래의 반도체 재료로 실리콘 탄화물을 찾고 있습니다.
SiC 기판여러 가지 SiC 폴리 타입을 사용하여 생산 할 수 있지만 반도체 산업 내에서 대부분의 기판은 4H-SiC이며, SiC 시장이 성장함에 따라 6H-가 덜 일반화됩니다.4H-와 6H-실리콘 카바이드에 관한 경우, H는 결정 격자 구조를 나타냅니다. 숫자는 결정 구조 내의 원자의 쌓기 순서를 나타냅니다. 이것은 아래 SVM 기능 차트에 설명되어 있습니다.
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4H-N SiC (실리콘카바이드) 는 뛰어난 열전도성으로 인해 고성능 전자 장치에서 널리 사용되는 반도체 재료입니다.전기적 특성과 화학적 안정성.특히 고온, 고압 또는 고주파 환경에서 4H-N SiC의 특성은 그것을 이상적인 선택으로 만듭니다.이 물질은 주로 높은 성능의 전력 장치 및 Schottky 다이오드와 같은 전자 부품의 제조에 사용됩니다.금속산화 반도체 필드 효과 트랜지스터 (MOSFET) 및 단열 게이트 양극 트랜지스터 (IGBT).또한, 4H-N SiC는 또한 LED 조명 및 고주파 통신 시스템에 대한 부품의 생산에 사용됩니다.시스템 에너지 소비를 효과적으로 줄이고 전반적인 성능과 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문에.
ZMSH SIC010는 다재다능하며 다양한 산업 분야에서 사용할 수 있습니다. 우수한 특성이 고온, 고전력 및 혹독한 환경에 이상적인 선택이됩니다.맞춤형 플라스틱 상자는 쉽게 운송 및 실리콘 카바이드 웨이퍼를 저장.
ZMSH SIC 기판 제품 사용자 정의 서비스:
| 브랜드 이름 | ZMSH |
| 지불 조건 | T/T |
| 최소 주문량 | 10% |
| 표면 거칠성 | Ra<0.5nm |
| 압축력 | > 1000MPa |
| 팽창 강도 | > 400MPa |
제품 패키지:
SiC 기판 제품은 운송 중 안전성을 보장하기 위해 거품 포장으로 조심스럽게 포장됩니다.포장 된 기판은 그 다음 견고한 고리 상자에 배치되고 운송 중에 손상을 방지하기 위해 봉인됩니다..
운송:
SiC 기판 제품은 DHL 또는 FedEx와 같은 추적 정보를 제공하는 신뢰할 수있는 택배 서비스를 통해 배송됩니다.배송 비용은 목적지와 패키지의 무게에 따라 달라집니다.예상 배송 시간은 또한 수신자의 위치에 달려 있습니다.
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