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| 원래 장소 | 중국 |
| 브랜드 이름 | ZMSH |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | GaP 웨이퍼 |
GaP 반 단열 웨이퍼 P 타입 N 타입 400um 500um 녹색 LED 빨간 녹색 빛 방출
설명:
갈륨 포스피드는 일반적으로 사용되는 반도체 물질로, 높은 전도성 및 높은 광 전기 변환 효율의 특성을 가지고 있습니다.갈륨 포스피드는 태양 전지 제조에 사용될 수 있습니다., 광탐지, 광전도 및 LED 장치. 갈륨 인화물 (GaP) 은 녹색 광 발광 다이오드에서 오랫동안 활성 물질로 사용되어 온 중요한 광 물질입니다.GaP는 간접적인 간격입니다 (2.26 eV) 반도체, 높은 굴절 지수 (n> 3) 와 3차 비선형, 450nm에서 11μm의 파장 범위에서 투명비중심 대칭성 결정으로 큰 2차 비선형 및 0이 아닌 피에조 전기 계수, 가시, 근 적외선, 통신 및 중 적외선 대역에서 미래의 통합 광학 응용에 적합합니다.
특징:
다른 III-V 화합물 물질과 마찬가지로 독특한 전기적 특성을 가진 중요한 반도체 인 갈륨 인산 GaP는 열역학적으로 안정적인 큐브 ZB 구조에서 결정화됩니다.2의 간접 밴드 간격을 가진 오렌지 노란색 반투명 결정 물질.26 eV (300K), 6N 7N 고순도 갈륨과 인산에서 합성되어 액체 캡슐화 Czochralski (LEC) 기술로 단일 결정으로 성장합니다.갈륨 엽수화물 결정은 n형 반도체를 얻기 위해 황 또는 텔루륨을 도핑합니다., 그리고 염색소가 p형 전도성으로 도핑되어 원하는 웨이퍼로 제조됩니다. 광 시스템, 전자 및 기타 광 전자 장치에 응용됩니다.단일 크리스탈 GaP 웨이퍼는 준비 될 수 있습니다 Epi-ready 당신의 LPE, MOCVD 및 MBE 대동부 응용 고품질 단일 결정 갈륨 인산 GaP 웨이퍼 p 타입,n형 또는 Western Minmetals (SC) Corporation에서 도핑되지 않은 전도성은 2′′와 3′′ (50mm) 사이즈로 제공 될 수 있습니다., 75mm 지름), 지향 <100>,<111> 가 절단, 닦거나 에피 준비 된 공정의 표면 완공으로.
기술 매개 변수:
| 부문 | 매개 변수 |
| 색상 | 투명한 오렌지 빨간색 |
| 직경 | 2~4~ |
| 두께 | 400mm 500mm |
| 종류 | N형 P형 |
| 밀도 | 4.350g/cm3 |
| 녹는점 | 1500°C |
| 성장 방법 | VPE |
| 용해성 | 용해성 |
| 방향성 | (100) |
| 굴절 지수 | 4.30 |
| 워프 | 5m |
| 굴복 | 5m |
| TTV | 5m |
| 등급 | R |
| 소재 | GaP 웨이퍼 |
| 원산지 | 중국 |
응용 프로그램:
LED 조명 장치: GaP는 조명 및 디스플레이 장치에 사용되는 LED 재료로 사용됩니다.
태양전지: 태양 에너지를 전기 에너지로 변환하기 위해 태양 전지판 제조에 사용됩니다.
스펙트럼 분석 기기: 광학 스펙트럼 분석을 위해 실험실 및 과학 연구에 사용됩니다.
반도체 증폭기: RF 및 마이크로파 애플리케이션을 위한 증폭기 및 통합 회로에 적용된다.
광 탐지기: 광학 측정 및 감지 응용을위한 광학 센서 및 탐지기에 사용됩니다.
마이크로 웨브 RF 장치: 고 주파수 및 마이크로 웨브 회로에서 고 성능 부품으로 사용됩니다.
고온 전자 장치: 고온 환경에서 작동하는 전자 장치에서 사용됩니다.
고주파 전자 장치: RF 전력 증폭기와 같은 고주파 전자 시스템에서 사용됩니다.
다른 제품:
FAQ:
Q: 이 제품의 브랜드 이름은 무엇입니까?GaP 반 단열 웨이퍼?
A: 제품의 브랜드 이름GaP 반 단열 웨이퍼ZMSH입니다.
Q: 인증은 무엇입니까?GaP 반 단열 웨이퍼?
A: 인증GaP 반 단열 웨이퍼ROHS입니다.
질문: 원산지는 어디인가요?GaP 반 단열 웨이퍼?
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