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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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4 인치 SSP 사파이어 웨이퍼 석영 유리 두께 0.1 밀리미터 0.15 밀리미터 0.2 밀리미터
  • 4 인치 SSP 사파이어 웨이퍼 석영 유리 두께 0.1 밀리미터 0.15 밀리미터 0.2 밀리미터
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4 인치 SSP 사파이어 웨이퍼 석영 유리 두께 0.1 밀리미터 0.15 밀리미터 0.2 밀리미터

원래 장소 중국
브랜드 이름 zmkj
인증 Cz/ Rohs/ GSG
모델 번호 4.125/6.125/6 inch/8inch
제품 상세정보
재료:
Al2O3 단일결정
배향:
C 평면
서피스:
dsp 또는 스스피
두께:
650um +/- 25um(SSP) , 600um +/- 25um(DSP)
TTV:
<20um>
Application1:
광학적인 반도체 캐리어 plate/sos/ pss /
Application2:
반도체 식각 에피택시 캐리어
하이 라이트: 

SSP 사파이어 웨이퍼 석영 유리

,

4 인치 사파이어 웨이퍼

,

0.15 밀리미터 실리콘 온 사파이어 웨이퍼

제품 설명

4 인치 SSP 사파이어 웨이퍼 석영 유리 두께 0.1 밀리미터 0.15 밀리미터 0.2 밀리미터

 

4 인치 100 um 200 um 300 um 두께 사파이어 웨이퍼 석영 유리

4 인치 사파이어 웨이퍼 씨 플레인 단식 또는 양측 사이드는 Al2O3 단일 결정을 닦았습니다

4 인치 Dia100mm 평평한 단결정 사파이어가 웨이퍼로 만듭니다

2 인치 Dia50mm c 축 단결정 사파이어 웨이퍼 사파이어 기판
 Epi - 준비된 캐리어를 위한 8 인치 Dia 159 밀리미터 단일 결정 사파이어 웨이퍼
4inch/ 5inch/ 6inch/ 6.125 inch/8inch 씨 플레인 R-주축 (1-102) (10-10) 사파이어 wafer,dia200mm 사파이어 기판, 주도하는 에피레디, 사파이어 기판, Al2O3 크리스탈 광학렌즈, Epi - 준비된 캐리어를 위한 최고 price,8inch Dia 159 밀리미터 단일 결정 사파이어 웨이퍼와 양측 사이드 닦은 SSP 표면 8 " 사파이어 캐리어 웨이퍼 씨 플레인(0001)를 위한 2-6inch C-주축 두배 측면 닦인 사파이어 웨이퍼

 

 

 

ZMSH의 사파이어 기판의 특성

 

4 인치 SSP 사파이어 웨이퍼 석영 유리 두께 0.1 밀리미터 0.15 밀리미터 0.2 밀리미터 0
 
사파이어 웨이퍼, 4 인치, 씨 플레인 (0001), 중요한 등급의 상술

 

항목 4 인치 씨 플레인 (0001) 650μm 사파이어 웨이퍼
결정 재료 99,999%, 고순도, 단일결정 Al2O3
등급 중요하고 에피레디입니다
표면 배향 씨 플레인(0001)
M-주축 0.2 +/- 0.1을 향하여' 씨 플레인 오프-앵글
지름 100.0 밀리미터 +/- 0.1 밀리미터
두께 650 μm +/- 25 μm
1차 플래트 배향 A-plane(11-20) +/- 0.2'
1차 플래트 길이 30.0 밀리미터 +/- 1.0 밀리미터
일 측면은 광택이 났습니다 전면 Epi 닦은, Ra < 0="">
(SSP) 뒷 표면 미세 지면, 1.2 μm에 대한 Ra = 0.8 μm
양측 사이드는 광택이 났습니다 전면 Epi 닦은, Ra < 0="">
(DSP) 뒷 표면 Epi 닦은, Ra < 0="">
TTV < 20="">
< 20="">
날실 < 20="">
세정 / 패키징 100 고청정실 세정과 진공 포장을 분류하세요,
한 카세트 패키징 또는 단일 조각 패키징에서 25개 부분.

 

사파이어의 전기적 성질
저항률, 200-500 'C에 있는 오옴 X 센티미터 : 1011- 1016
유전체 상수 : 10.0
절연 내력, V/cm : 4 X 105
손실 탄젠트 : 1 X 10-4

 

 

애플리케이션

사파이어 웨이퍼의 약간의 핵심 특성은 그들의 고열 전도성, 높은 의학적 장점, 우수한 화학 물질과 스크래치 저항과 투명성을 스펙트럼의 상품과 근적외선 영역에 포함시킵니다. 이러한 특성은 고온과 고압과 부식성 조건과 같은 가옥한 환경에서 적용의 넓은 범위에 대해 사파이어 웨이퍼를 웰-수이티드 합니다.

 

 

사파이어 기판의 거칠기가 무엇입니까?
우리의 '기준' 사파이어 기판은 60/40 스크래치-디그의 표면 품질에 닦였고, ~0.3 nm의 RMS 거침을 가지고 있고, 대부분의 어플리케이션에 적합합니다 (분광법 또는 박막 침적을 포함하여).

 

 

생산 과정

1. 결정 성장 : 단결정 사파이어는 일반적으로 베르누이법 또는 키로풀로스법을 이용하여 성장됩니다. 베르누이법에서, 산화알루미늄 (Al2O3)의 분말 형태는 고온 불꽃을 사용하여 녹고 단일 결정으로 냉각시키고 응고하도록 그리고 나서 허용됩니다. 키로풀로스법에서, 녹는 Al2O3의 베스에 침지되고 천천히 크리스탈이 용해로부터 성장할 수 있게 허락하면서, 종 결정은 회전하는 동안 철회됩니다.

2. 잘리고 형성하는 것 : 일단 크리스탈이 성장되면, 그것은 다이아몬드톱 또는 레이저를 사용하여 웨이퍼로 절단됩니다. 웨이퍼는 그리고 나서 바람직한 두께와 표면가공도에 형성하여지고 닦입니다.

3. 세척되는 것 : 사파이어 웨이퍼는 어떠한 표면 오염 물질도 제거하고 더 나은 처리를 위해 표면으로 준비하기 위한 기계적이고 화학적이고 초음파 방법의 조합을 사용하여 청소됩니다.

4. 도핑하는 것 : 몇몇의 경우에, 불순물은 그들의 전기적 광학의 특성을 변경하기 위해 사파이어 웨이퍼에 추가될 수 있습니다. 이것은 일반적으로 이온 주입 또는 확산 방식을 사용하여 행해집니다.

5. 식각하는 것 : 사파이어 웨이퍼는 표면적으로 패턴 또는 특징을 만들기 위해 다양한 화학 또는 플라즈마-베이스드 공정을 사용하여 식각될 수 있습니다. 이것은 일반적으로 마이크로 전자 장치의 제작에서 사용됩니다.

6. 도량형학 : 사파이어 웨이퍼는 그들의 두께, 평탄성, 조도와 다른 특성을 측정하기 위해 그리고 나서 다양한 도량형 기술을 받습니다. 이것은 웨이퍼가 적절한 응용분야를 위한 요구 규격을 만족시키는 것을 보증하도록 중요합니다.

7. 패키징하는 것 : 생산 과정에서 최종 단계는 고객들에 대한 출하를 위해 사파이어 웨이퍼를 패키징하는 것입니다. 이것은 운송과 저장 동안 손상을 막기 위해 웨이퍼를 보호 컨테이너에 위치시키는 것을 일반적으로 포함합니다.

 

사파이어 웨이퍼의 포장

 4 인치 SSP 사파이어 웨이퍼 석영 유리 두께 0.1 밀리미터 0.15 밀리미터 0.2 밀리미터 14 인치 SSP 사파이어 웨이퍼 석영 유리 두께 0.1 밀리미터 0.15 밀리미터 0.2 밀리미터 2
 
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FAQ :
 
큐 : 당신의 MOQ가 무엇입니까?
한 : (1) 목록을 위해, MOQ는 10 PC입니다.
(2) 맞춤 제작품을 위해, MOQ는 위로 25 PC입니다.
 
큐 : 선적과 비용의 방법이 무엇입니까?
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목록을 위해 : 배달은 당신이 주문을 하는 후에 5 평일입니다.
맞춤 제작품을 위해 : 배달은 당신이 주문을 하는 후에 2 또는 3 주 동안입니다.
 
큐 : 당신은 표준품을 갖?
한 : 4 인치 0.65 mm,0.5mm 폴리시드 웨이퍼와 같은 stock.as의 우리의 표준품.
큐 : 지불하는 방법?
한 :배달 전신환 전까지 남아있는 50%deposit,
큐 : 나는 내 필요를 기반으로 제품을 주문 제작할 수 있습니까?
한 : 예, 우리는 당신의 광학적인 것을 위해 재료, 상술과 광학 코팅을 특화할 수 있습니다
당신의 필요를 기반으로 하는 성분.
 

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