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| 원래 장소 | 중국 |
| 브랜드 이름 | zmsh |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | 6INCH 갈륨 비소 웨이퍼 |
4Inch 갈륨 비소 웨이퍼 갈륨 비소 기판 DSP
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갈륨 비소 웨이퍼
갈륨 비소 (GaAs)는 중요하고 성숙한 III-V 화합물 반도체 물질 중 하나이며, 그것이 넓게 광 전자 공학과 마이크로 전자공학의 분야에서 사용됩니다. 갈륨 비소 재료는 주로 2가지 범주로 분할됩니다 : 반 절연한 갈륨 비소 물질과 반도체 갈륨 비소 물질. 주로 재료가 익숙한 반 절연한 갈륨 비소는 MESFET, HEMT (고전자이동도 트랜지스터)과 헤테로바이폴러 트랜지스터 구조와 집적 회로를 생산합니다. 주로 레이더, 전자레인지와 밀리미터파 통신, 초고속 컴퓨터와 광섬유 전송과 다른 분야에 사용했습니다. 반도체 갈륨 비소 물질은 주로 반도체 레이저 (LD), 반도체 발광 다이오드 (LED), 근적외선 레이저, 양자 우물 고출력 레이저와 효율이 높은 태양 전지에서 사용됩니다.
| 타입 / 불순물 唵瞋/元素 | 반 절연한 | p형 / 아연 | n형 / Si | n형 / Si |
| 애플리케이션 用 | 극소 일레트로닉 | 이끌립니다 | 레이저 다이오드 | |
| 성장법 晶方式 | VGF | |||
| Diameter 直径 | 2 , 3 , 4 , 6 | |||
| 배향 晶向 | (100)±0.5' | |||
| 두께 厚度 (um) | 350-625um±25um | |||
| /의 徹 면 | 미국 EJ 또는 눈금 | |||
| 캐리어 농도 度 | - | (0.5-5)*1019 | (0.4-4)*1018 | (0.4-0.25)*1018 |
| 저항률 阻率 (옴-센티미터) | >107 | (1.2-9.9)*10-3 | (1.2-9.9)*10-3 | (1.2-9.9)*10-3 |
| 이동성 筐移率 (cm2/V.S.) | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| 부식 피치 비중 位密度(/cm2) | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| TTV 平整度 [P/P] (um) | <5> | |||
| TTV 平整度 [P/E] (um) | <10> | |||
| 날실 盲度 (um) | <10> | |||
| 서피스는 表面加工을 완성했습니다 | P/P, 주가 수익률, E/E | |||
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