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| 원래 장소 | 중국 |
| 브랜드 이름 | zmsh |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | 6INCH 갈륨 비소 웨이퍼 |
10x10mm 산화갈륨 기판 단사층 구조
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스테아디-스테이트 갈륨 산화물 결정은 2개의 쪼개짐 플레인 (100)와 (001)와 단사구조를 가집니다. 성장 방법에 관한 한, 성장 방법의 그 (100) 성장이 가공처리한 반면에, 결정상 갈륨 산화물 결정이 더 쉽게 성장할 것이고의 그 (001) 크리스탈이 극단적으로 높은 프로세스 컨트롤을 요구합니다. 똑같은 공정 조건, 표면 품질과 수익률 하에의 그 (001) 표면이 더 좋고,와 그 (100) 효율적이고 높은 표면 품질 처리를 달성하는 것을 어렵게 하면서, 표면이 쉽게 갈라지고 깨집니다. 응용면으로부터, 주요한 것 (001) 크리스탈 페이스 산화갈륨이 더 전력용 반도체 장치의 사용에 적합하고 따라서 그것 주요 (001)의 성장을 제어하기 위한 힘들 크리스탈 페이스 갈륨 산화물 결정이, 그러나 그것이 큰 산업적 가치를 가지거나 큰 크기의 성장 방법을 주요하게 하지 않고 (001) 크리스탈 페이스 산화갈륨, 산화갈륨 시장 응용면이 극단적으로 과정을 장려하기가 어려울 것입니다.
산화갈륨 (Ga2O3)를 도입하기 전에 내가 또 다른 용어를 도입하게 하세요 : 와이드 밴드 갭 반도체 물질.
밴드 갭 폭은 반도체의 중요한 특성 매개변수입니다. 반도체 물질의 다른 밴드 구조에 따르면, 반도체 물질은 두 유형으로 분할될 수 있습니다 : 와이드 밴드 갭과 협대역 갭. 만약 밴드가 반도체 물질의 갭 폭은 2.3eV 이하면, 그것이 협대역 간극 반도체로 불립니다. 만약 반도체 물질의 밴드 갭 폭이 2.3eV보다 크거나 같으면, 그것이 광대역 갭반도체로 불립니다. 반도체 물질의 밴드갭 폭이 더 클수록, 전도성으로 천이하기 위한 그것의 전자가 단결하고 그러므로 더 높게 소재 캔이 견딥니다 즉, 덜 쉽게 그것이 있는 온도와 전압이 관리인이 되기 때문에 요구된 에너지가 더 큽니다.
와이드 밴드 갭 반도체 물질은 매우 방사 저항, 고주파, 좋은 방사 저항과 화확적 안정성을 가지고 있는 고전력과 고밀도 집적 전자 장치, 높은 포화된 전자 이동속도와 열전도율의 생산에 적합하고, 우수한 전기특성과 다른 특성입니다. 최근 몇 년 동안, 신속히 발전하는 와이드 밴드 갭 반도체 물질은 반도체 조명, 이동 통신의 새로운 세대, 스마트 그리드, 고속 철도 환승, 신 에너지 자동차, 가전제품과 다른 분야에서 광범위한 응용 전망을 가지고 있고, 정보, 에너지, 교통, 국방과 다른 산업의 개발을 지원하는 핵심 신재료가 될 것으로 예상됩니다. 와이드갭반도체 물질의 관련 기술 연구 개발은 세계 반도체 산업에서 새로운 전략적 고지가 되고 있습니다.
| 배향 | 100 | 100 | 100 |
| 도핑 | UID | Mg | Fe |
| 전기적 매개 변수 |
1×1017~3×1018cm-3 |
≥1010Ω·cm
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≥1010Ω·cm
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아크섹 |
≤150 | ≤150 | ≤150 |
| 전위 밀도 | <1×105 cm-2 | <1×105 cm-2 | <1×105 cm-2 |
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