0.5 밀리미터 두께 비화 갈륨 웨이퍼 산화 아연 결정 기판

다른 방향, 아연산화물 단-결정에서 아연산화물 substrates,5X5mm 작은 스퀘어 산화 아연 wafer,5x5mm 아연산화물 기판.

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산화 아연 (ZnO)는 바른 흥미로운 특성과 단-결정 반도체로서 성장될 수 있습니다.

밴드갭은 청색과 보라 애플리케이션의 다수를 위해 그것을 매력적이게 하는 3.4 전자 볼트 에너지 구역에 있습니다

UV 장치와 더불어 광전자학에서. 그것은 최고 2까지 인치의 웨이퍼에, 대량으로 이용 가능합니다,

그것이 그것에게 갈륨 나이트라이드와 다른 그룹 3세 질화물에 비해 주요 이점을 줍니다.
아연산화물은 GaN을 위한 선택의 기판 물질이 되기 위해 또한 잠재성을 가집니다. GaN과 같이 그것은 격자 상수가 밀접하게 GaN (a=3.249, c=5.205)에 적합한 채로, 부르차이트 구조를 가집니다. 아연산화물은 정확하게 있습니다

래티스는 내용에서 22%로 InGaN과 일치했습니다. 아마 가장 중요하게는 그것은 부드러운 적합성 재료입니다

그것은 아마에게 믿고, 증가하는 질화 갈륨 층에 우선하여 격자 압박을 차지할 수 있습니다.

600' Ｃ상 온도에서 암모니아에서 해리한다는 것이 약점으로 고생합니다. 그것의 광대역갭으로, 산화 아연은 매우 많은 고속도 전자와 더불어 광학 적용에 유용한 것으로 입증될 수 있습니다.

아연산화물은 또한 열벽 증착기를 위한 기판으로서 사용될 수 있습니다.

애플리케이션 :

산화 아연 (ZnO) 결정 기판 제품 설명 :산화 아연 (ZnO) 결정 기판이 넓게 안에 사용됩니다

GaN (청색 LED) 에피텍셜 부재, 장치와 다른 현장을 연결시키는 광대역화.기술적인 매개 변수

일반 속성

웨이퍼를 위한 상술

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