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| 브랜드 이름: | zmsh |
| 모델 번호: | 6inch씨 웨이퍼 |
| MOQ: | 3PCS |
| 가격: | by case |
| 배달 시간: | 안에서 30days |
| 지불 조건: | T/T |
6 인치 생산은 탄화실리콘 성장률을 위한 SiC 크리스털 실리콘 카바이드 시드 웨이퍼 0.6 밀리미터 두께를 준비합니다
6는 SiC 기판으로 조금씩 움직입니다, sic 인곳 SiC 크리스털 잉곳 SiC 크리스털 블록 SiC 반도체 기판 2가 3 인치 4 인치 6 인치 4h 아니오 도핑된 웨이퍼로 조금씩 움직입니다
우리는 고급 품질 단일 결정 SIC 웨이퍼 (탄화규소)을 전자적이고 광전자 산업에게 제공할 수 있습니다 . SIC 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼와 갈륨 비소 웨이퍼와 비교하여, 유일한 전기적 성질과 우수한 열 속성으로, 차세대 반도체 물질입니다, SIC 웨이퍼가 더 고온과 고전력 장치 애플리케이션에 적합합니다 . SIC 웨이퍼는 지름 2 -6inch, 양쪽 4H와 6H SiC, n형, 도핑된 질소와 이용 가능한 반보온 타입에서 공급될 수 있습니다 . 더 많은 제품 정보를 위해 우리에 연락하세요 .
1.material 애플리케이션과 아드밴티지먼트
애플리케이션 :
오우 GaN 에피택시 장치
오우 광 전자 장치
오우 고주파 장치
오우 고출력 장치
오우 고온 장치
오우 발광 다이오드
오우 낮은 격자 부정합
오우 고열 전도성
오우 저 전력 소모
오우 우수한 과도 특성
오우 하이 밴드 갭
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탄화규소 물질 특성
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폴리타입
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단일 결정 4H
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단일 결정 6H
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격자 파라미터
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a=3.076 A
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a=3.073 A
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c=10.053 A
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c=15.117 A
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퇴적 순서
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ABCB
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ABCACB
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밴드-갭
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3.26 eV
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3.03 eV
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비중
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3.21 · 103 kg/m3
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3.21 · 103 kg/m3
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섬. 전개 계수
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4-5×10-6/K
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4-5×10-6/K
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굴절 지수
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어떤 = 2.719
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어떤 = 2.707
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ne = 2.777
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ne = 2.755
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유전체 상수
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9.6
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9.66
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열전도율
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마크와 490
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마크와 490
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브레이크-다운 전기 장
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2 - 4 · 108 볼트 퍼 미터
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2 - 4 · 108 볼트 퍼 미터
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포화 이동 속도
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2.0 · 105 초당 미터
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2.0 · 105 초당 미터
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전자 이동도
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800 cm2/V·S
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400 cm2/V·S
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홀 이동성
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115 cm2/V·S
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90 cm2/V·S
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모스 경도
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~9
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FAQ :
큐 : 당신의 MOQ와 배달 시간이 무엇입니까?
한 : (1) 목록을 위해, MOQ는 3 PC입니다. 5-10pcs 그것이 10-30days에 더 나으면
(2) 6 인치 맞춤 제작품을 위해, MOQ는 30-50days에서 위로 10 PC입니다
큐 : 선적과 비용의 방법이 무엇입니까?
한 :(1) 우리는 DHL, 페덱스, EMS 기타 등등을 받아들입니다.
(2) 당신이 당신 자신의 명시 계좌를 가지고 있는지는 좋고, 지 않으면, 우리가 당신이 그들을 수송할 수 있도록 도와 줄 수 있고 화물이 실제 정착에 따라 있습니다.
큐 : 지불하는 방법?
한 : 전신환, 100%
큐 : 당신은 표준품을 갖?
한 :우리의 표준품이 안에 저장한 6 인치가 가 아니라 있지 않습니다.
그러나 기판과 같이로서 4 인치 0.33 밀리미터 2 SP (기술병) 두께는 주식에서 일부를 가지고 있습니다
화면
