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| 원래 장소 | 중국 |
| 브랜드 이름 | zmkj |
| 모델 번호 | si 001 |
8inch sillicon 웨이퍼 sillicon 광학 렌즈 IC sillicon 기질 sillicon 주괴 많은 sillicon 웨이퍼
1. 명세
| 직경 (mm) |
50.8
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76.2
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100개
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125
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150
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200
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| 성장 방법 |
MCZ
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| 반도체에 첨가하는 소량의 불순물을 타자를 치십시오 | N: 비소/안티모니/인/빨간 Phos | |||||
| P: 붕소 | ||||||
| 저항력 (Ω.cm) * | MCZ: 1개의 × 10-3 ~ 100 | |||||
| 간격 (μm) * |
381
|
381
|
525
|
525
|
675
|
725
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| 간격 포용력 (μm) |
전형적인 ± 25
|
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| TTV (μm) |
10
|
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| 활 (μm) |
30
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30
|
40
|
40
|
40
|
60
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* 다른 표면 상태 & 주문을 받아서 만들어진 명세는 환영받습니다
후부 물개 LTO는 & 많은 둘 다 유효합니다
다른 unmentioned 모수는 기준 당 반 입니다 |
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CZ 8inch 거짓 웨이퍼, 반도체 과정을 위한 시험 웨이퍼
직경: 200 +/- 0.5 mm; 200 +/- 0.2 mm
유형/반도체에 첨가하는 소량의 불순물: P/Boron
오리엔테이션; <100> +/- 1º
급료: 시험; 전성기
저항력: 1 - 100 Ω cm; 8 - 12 Ω cm
Resisivity 광선 기온변화도: — 지정한 대로
산소: — 지정한 대로
탄소: — 지정한 대로
금속: < 5="" x="" E10="" atoms="">
간격: 725 +/- 25 μm; 725 +/- 15 μm
TTV: <>
GTIR: <>
활/날실: <>
혼란: — <>
평지: 반 기준
입자 조사: <>= 0.2 μm; <>= 0.09 μm
닦는: 닦는 단 하나 측 또는 닦는 두 배 측
식각하는: 닦는 단 하나 측 또는 닦는 두 배 측
* 유효한 N 유형 웨이퍼
웨이퍼 과정에 관하여
결정 성장 몸---철사 톱에 의하여 >crystal 절단----->spheronizations
----->annealing------>engraving 수--->lapped &polished---> 테스트
FAQ:
Q: 선박과 비용의 방법은 무엇입니까?
A: (1) 우리는 DHL, 페더럴 익스프레스, EMS 등을 받아들입니다.
(2) 당신은 당신의 자신의 급행 계정이 있는 경우에, 중대합니다. 만약에 아닙니다, 우리는 당신이 그(것)들을 발송할 것을 도울 수 있었습니다.
운임은 실제적인 타협에 따라 입니다.
Q: 지불하는 방법?
A: T/T, Paypal, 안전한 지불 및 보험 지불.
Q: 당신의 MOQ는 무엇입니까?
A: (1) 재고목록을 위한, MOQ는 25pcs입니다.
(2) 주문을 받아서 만들어진 제품을 위한, MOQ는 위로 25pcs입니다.
Q: 배달 시간은 무엇입니까?
A: (1) 표준 제품을 위해
재고목록을 위해: 납품은 5 평일 당신이 주문한 후에 입니다.
주문을 받아서 만들어진 제품을 위해: 납품은 3 주 당신이 주문한 후에 2 또는입니다.
(2) 특별하 모양 제품을 위한, 납품은 당신이 주문한 후에 4 주당 노동시간입니다.
Q: 당신은 표준 제품이 있습니까?
A: 주식에 있는 우리의 표준 제품.
Q: 나는 나의 필요에 근거를 둔 제품을 주문을 받아서 만들어서 좋습니까?
A: 그렇습니다, 우리는 당신의 광학적인 성분을 위한 물자, 명세 및 광학적인 코팅을 주문을 받아서 만들어서 좋습니다
당신의 필요에 기초를 두는.
언제든지 우리와 연락하세요
