4" 4H-반 고분성 SIC 웨이퍼 최고급 반도체 EPI 기판

4H-Semi-High-Purity SIC 웨이퍼 초등급 반도체 EPI 서브스트라트

HP 4H 반 SIC 설명:

1고 순수성 반열 4H-SiC (실리콘 카바이드) 웨이퍼는 매우 이상적인 반도체 재료입니다.

2반 단열 된 4H-SiC 시트는 고온 피로리시, 결정 성장 및 절단 과정으로 준비됩니다.

3고 순수 반 단열 된 4H-SiC 시트는 운반자 농도가 낮고 단열 특성이 높습니다.

4. 4H-SiC는 여섯 각 격자이다. 이 결정 구조는 4H-SiC에 뛰어난 물리적 및 전기적 특성을 제공합니다.

5이 과정은 높은 순수성 원료와 정밀성을 요구하여 실리콘 웨이퍼의 일관성 구조를 보장합니다.

특징HP 4H 반 SIC:

고순도 반열 4H-SiC (실리콘 카바이드) 엽은 이상적인 반도체 재료입니다.

1대역 간격 너비: 일반적으로 4H-SiC는 약 3.26 전자 볼트 (eV) 의 넓은 대역 간격 너비가 있습니다.

2열 안정성 및 단열 특성으로 인해 4H-SiC는 광범위한 온도 범위에서 작동 할 수 있습니다.

34H-SiC는 핵 에너지 및 고 에너지 물리 실험에서 사용되는 방사선에 높은 저항력을 가지고 있습니다.

44H-SiC는 높은 경화와 기계적 강도를 가지고 있으며, 이는 탁월한 안정성과 신뢰성을 제공합니다.

54H-SiC는 100-800 평방 센티미터 (cm ^ 2 / V · s) 의 범위에서 높은 전자 이동성을 가지고 있습니다.

6높은 열전도: 4H-SiC는 매우 높은 열전도, 약 490-530 와트/m-kelle (W/(m·K) 를 가지고 있습니다.

7고전압 저항: 4H-SiC는 우수한 전압 저항을 가지고 있으며 고전압 응용 프로그램에 적합합니다.

 

기술 매개 변수HP 4H 반 SIC:

고 순수 반열 4H-SiC (실리콘 카바이드) 시트는 많은 분야에서 널리 사용됩니다.

1광전자 장치: 반 단열 된 4H-SiC는 광전자 장치의 제조에 널리 사용됩니다.

2RF 및 마이크로 웨브 장치: 반 단열 된 4H-SiC의 높은 전자 이동성 및 낮은 손실 특성.

3다른 분야: 반 단열 된 4H-SiC는 또한 방사선 탐지 장치와 같은 다른 분야에서 일부 응용 프로그램을 가지고 있습니다.

4높은 열 전도성 및 우수한 기계적 강성 때문에 4H-반 SiC극한의 온도에서

5전력 전자 장치: 반 단열 된 4H-SiC는 고전력 전력 장치의 제조에 널리 사용됩니다.

다른 관련 제품 HP 4-H 반 SIC:

4H-N SIC

HPSI에 대한 FAQ4H 반 SIC:

Q: 브랜드 이름은 무엇입니까HPSI 4h 반 SIC?

A: 브랜드 이름HPSI 4h 반 SICZMSH입니다.

Q: 인증은 무엇입니까?HPSI 4h 반 SIC?

A: 인증HPSI 4h 반 SICROHS입니다.

Q: 원산지는 어디인가요?HPSI 4h 반 SIC?

A: 원산지HPSI 4h 반 SIC중국입니다.

Q: MOQ는 무엇입니까?한 번에 HPSI 4h 반 SIC?

A: MOQHPSI 4h 반 SIC한 번에 25개입니다.