2 인치 A-비행기 단결정 사파이어 웨이퍼 기판 Al2O3 단일결정

2는 평평한 단결정 사파이어 웨이퍼 기판 Al2O3으로 조금씩 움직입니다

2 인치 Dia50mm ｃ 축 단결정 사파이어 웨이퍼 사파이어 기판
Epi - 준비된 캐리어를 위한 8 인치 Dia 159 밀리미터 단일 결정 사파이어 웨이퍼
4inch/ 5inch/ 6inch/ 6.125 inch/8inch 씨 플레인 R-주축 (1-102) (10-10) 사파이어 wafer,dia200mm 사파이어 기판, 주도하는 에피레디, 사파이어 기판, Al2O3 크리스탈 광학렌즈, Epi - 준비된 캐리어를 위한 최고 price,8inch Dia 159 밀리미터 단일 결정 사파이어 웨이퍼와 양측 사이드 닦은 SSP 표면 8 " 사파이어 캐리어 웨이퍼 씨 플레인(0001)를 위한 2-6inch C-주축 두배 측면 닦인 사파이어 웨이퍼
 

제품 설명

사파이어는 물리적이고 화학적이고 광학 특성의 특이 조합의 물질이며, 그것이 그것을 고온, 열 충격, 물과 샌드 이로전과 스크래칭에 저항력이 있게 합니다. 그것은 3 um 내지 5 um으로부터의 많은 IR 응용에 쓸 뛰어난 창문재입니다. 넓게 기판이 익숙한 씨 플레인 사파이어가 청색 LED와 레이저 다이오드를 위한 GaN과 같은 III-V와 II-VI 화합물을 성장시키는 반면에, r-평면 사파이어 기판은 마이크로 전자 공학 IC 애플리케이션을 위한 실리콘의 헤테로-에피텍시얼 기탁을 위해 사용됩니다.

Epi - 준비된 캐리어를 위한 사파이어 웨이퍼의 상술

• 재료 : 고순도 >99.996%, 단일 결정 Al2오우3
• 차원 : 50.8 밀리미터 +/- 0.1 밀리미터
• 두께 : 0.50 밀리미터 표준
• 격자 파라미터 : c=12.991 A인 한 a=4.785
• 비중 : 3.98 Ｇ / 센티미터3
• 배향 : A-비행기 (11-20) 0.2 +/- 0.1 급
• 1차 플래트 배향 : 씨 플레인
• 1차 플래트 길이 : 16.0 +/- 1 밀리미터
• 총 두께 변화 : <10 um="">
• 휘어지세요 : <10 um="">
• 휘세요 : <10 um="">
• 열팽창계수 : 6.66 Ｘ 10-6/ 'Ｃ는 ｃ 축, 5 Ｘ 10에 비깁니다-6ｃ 축과 직각인 /' Ｃ
• 절연 내력 : 48,000 V/cm (1,200 Ｖ / 밀리리터)
• 광택이 나는 것 : 일 측면 닦은 Ra < 0="">

특징

모든 배향은 이용 가능합니다, 맞춘 배향이 환영받습니다
2부터 6 인치까지 웨이퍼 크기는 모든 종류가 가능합니다
2 인치 동안 250 um, 4 인치 동안 300 um과 6 인치 동안 300 um의 아래의 박형 웨이퍼

애플리케이션

• III-V와 II-VI 합성물을 위한 성장 기판
• 전자공학과 광 전자 공학
• IR 애플리케이션
• 실리콘 온 사파이어 통합된 회로(SOS)
• 무선 주파수 통합된 회로(rfic)

 
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사파이어 웨이퍼의 포장 :

 
 
관련 상품 : 갈륨 비소 웨이퍼

 
 
FAQ :
 
큐 : 당신의 MOQ가 무엇입니까?
한 : (1) 목록을 위해, MOQ는 10 PC입니다.
(2) 맞춤 제작품을 위해, MOQ는 위로 25 PC입니다.
 
큐 : 선적과 비용의 방법이 무엇입니까?
한 :(1) 우리는 DHL, 페덱스, EMS 기타 등등을 받아들입니다.
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화물은 실제 정착에 따라 있습니다.
 
큐 : 배달 시간이 무엇입니까?
목록을 위해 : 배달은 당신이 주문을 하는 후에 5 평일입니다.
맞춤 제작품을 위해 : 배달은 당신이 주문을 하는 후에 2 또는 3 주 동안입니다.
 
큐 : 당신은 표준품을 갖?
한 : 4 인치 0.65 mm,0.5mm 폴리시드 웨이퍼와 같은 stock.as의 우리의 표준품.
큐 : 지불하는 방법?
한 :배달 전신환 전까지 남아있는 50%deposit,
큐 : 나는 내 필요를 기반으로 제품을 주문 제작할 수 있습니까?
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