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| 원래 장소 | 중국 |
| 브랜드 이름 | zmsh |
| 인증 | no |
| 모델 번호 | ZnO |
ZnO 기질, 10X10mm 작은 정연한 산화아연 웨이퍼, 다른 오리엔테이션에 있는 5x5mm ZnO 기질, ZnO 단결정
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산화아연 (ZnO)는 아주 재미있는 재산을 가진 단결정 반도체로 성장될 수 있습니다.
bandgap는 파란과 보라빛 신청의 많은 것을 위해 매력에게 만드는 3.4 eV 범위에 있습니다
광전자공학 뿐 아니라 UV 장치에서. 그것은 2 인치까지의 웨이퍼에서 부피에서 유효합니다,
그것에게 갈륨 질화물과 다른 그룹 III 질화물에 중요한 이점을 주는지 어느 것이.
ZnO는 또한 GaN를 위한 선택의 기질 물자가 되는 가능성으로 가지고있ㅂ니다. GaN 같이 그것에는 격자 불변의 것이 우르짜이트 구조가, GaN (a=3.249, c=5.205)에 바싹 일치된 상태에서 있습니다. ZnO는 정확하게 입니다
격자는 내용에서 22%와 InGaN에 어울렸습니다. 아마 가장 중요한 것은 연약한 고분고분한 물자입니다
그것은 아마에 믿어지고 GaN 성장하고 있는 층에 우선하여 격자 긴장을 채택할지도 모릅니다.
그것은 그것의 넓은 bandgap를 가진 600°C.의 위 온도에 암모니아에서 해리하는 결점으로, 산화아연 입증할 수 있었습니다 광학적인 신청에 아주 유용한 뿐 아니라 많은 고속 전자공학 고통받습니다.
ZnO는 또한 켜쌓기 자람을 위해 기질로 사용될지도 모릅니다.
신청:
산화아연 (ZnO) 수정같은 substrateProduct 묘사: 산화아연 (ZnO) 수정같은 기질은 안으로 널리 이용됩니다
GaN (파란 LED) 코피 기질, 넓은 밴드 연결 장치 및 다른 분야. 기술적인 모수
일반적인 재산
| 순수성 wt % | > 99.99 |
| 불순: wt % | Mg: <> |
| Fe: < 0=""> | |
| 결정 구조 | 6각형: a= 3.252 å, c = 5.207 å |
| 성장 방법 | 열수 |
| 경도 | 4개의 moh 가늠자 |
| 조밀도 | 5.7 g/cm3 |
| 용해 점 | 1975년 Oc |
| 비열 | 0.125 cal/gm |
| 열전 불변의 것 | 1200 mV/좋 @ 300 Oc |
| 열 전도도 | 좋아 0.006 cal/cm/ |
| 열 확장 | 2.90 x 10-6/oK |
| 전송 범위 | 0.4 - 0.6 m > 2개 mm에 50% |
| 탈구 조밀도 | <0001> 비행기 <100>2 |
웨이퍼를 위한 명세
| 오리엔테이션 | <0001> <11-20>, <10-10>± 0.5o 또는 주문 오리엔테이션 |
| 닦은 표면 | 1명의 쌍방의 ra에 닦는 EPI < 5=""> |
| 표준 크기 | 5 x 5 mm, 10x10 mm, 20x20 mm 및 25x25 mm |
| 간격 | 0.35 mm, 0.5 mm 및 1.0 mm |
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