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4H-N형 SiC 기판 10x10mm 파워 전자제품 웨이퍼

SiC 기판

2025-07-31

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#sic 웨이퍼 #sic 기질 #실리콘 탄화물 기질

SiC 10×10 소형 웨이퍼는 3세대 반도체 재료인 탄화규소(SiC)를 기반으로 개발된 고성능 반도체 제품입니다. 물리적 증기 수송(PVT) 또는 고온 화학 기상 증착(HTCVD) 공정을 사용하여 제조되었으며, 4H-SiC 또는 6H-SiC의 두 가지 폴리타입 옵션을 제공합니다. 치수 공차는 ±0.05mm 이내로 제어되고 표면 거칠기 Ra < 0.5nm이... 더 견해

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