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LED 및 레이저 다이오드 응용 분야용 2인치 아연 도핑 갈륨 비소(GaAs) 웨이퍼

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December 29, 2025
카테고리 연결: 갈륨 비소 웨이퍼
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태그:
#인듐 비화물 웨이퍼 #gaas 웨이퍼 #laalo3 기질
개요: 이 고성능 반도체 소재가 다른 옵션과 어떻게 비교되는지 궁금하십니까? 이 비디오에서는 2인치 Zn 도핑 갈륨 비소(GaAs) 웨이퍼에 대한 자세한 설명을 제공하여 주요 특성과 제조 공정을 보여줍니다. VGF 결정 성장 방법과 아연 도핑이 어떻게 안정적인 p형 특성을 제공하여 LED, 레이저 다이오드 및 광전자 장치 제조에 이상적인지 확인할 수 있습니다. 또한 연구 및 생산 환경 모두에서 안정적인 성능을 보장하는 웨이퍼의 광택 표면, 방향 옵션 및 품질 관리를 시연할 것입니다.
관련 제품 특징:
  • 고품질의 결정 구조를 위해 VGF(Vertical Gradient Freeze) 결정 성장 공법을 사용하여 제조되었습니다.
  • 아연 도핑은 안정적인 장치 성능을 위해 안정적이고 균일한 p형 전기적 특성을 제공합니다.
  • 2°, 6° 또는 15° 오프(110) 오방향 옵션이 있는 (100) 크리스탈 방향이 특징입니다.
  • 일관된 전기적 특성을 위해 (0.3 - 1.0) × 101⁸ cm⁻³ 범위의 제어된 캐리어 농도를 제공합니다.
  • 5,000cm⁻² 이하의 낮은 에칭 피트 밀도와 1,500~3,000cm²/V*s의 높은 홀 이동성을 제공합니다.
  • 고급 가공을 위해 평탄도, 보우, 워프를 엄격하게 제어한 광택 표면 마감(P/P 또는 P/E)이 포함되어 있습니다.
  • 유연한 식별을 위해 선택적 오리엔테이션 플랫, 노치 구성 및 후면 레이저 마킹을 지원합니다.
  • 입자 오염이 적은 MBE 또는 MOCVD 에피택시 성장 공정에 직접 사용하기에 적합합니다.
질문과대답:
  • 이 GaAs 웨이퍼는 LED 및 레이저 다이오드 제조에 적합한가요?
    예. (100) 방향 및 제어된 캐리어 농도와 결합된 Zn 도핑된 p형 전기 특성은 LED 및 레이저 다이오드 제조에서 안정적인 발광과 일관된 장치 성능을 지원합니다.
  • 이 웨이퍼를 에피택셜 성장에 직접 사용할 수 있습니까?
    예. 웨이퍼는 연마된 표면, 낮은 입자 오염, 엄격한 평탄도 제어 기능을 갖추고 있어 MBE 또는 MOCVD 에피택시 성장 공정에 직접 사용할 수 있습니다.
  • 다양한 프로세스 요구 사항에 맞게 웨이퍼 사양을 맞춤 설정할 수 있나요?
    예. 오리엔테이션 플랫, 노치 구성, 후면 레이저 마킹, 표면 마감, 선택한 전기 매개변수 등의 옵션은 요청 시 특정 장비 및 프로세스 요구 사항을 충족하도록 조정할 수 있습니다.
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