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고 정밀 단면 닦기 장비

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August 15, 2025
카테고리 연결: 반도체 장비
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태그:
#4 인치 SiC 진열 성장 오븐 #8 인치 SiC 진통 성장 오븐 #6 인치 SiC 링고트 성장 오븐
개요: Si 웨이퍼, SiC 및 사피어 재료에 설계된 고 정밀 한 면 닦기 장비를 발견하십시오. 평면 ≤0.01 mm 및 거칠성 Ra ≤0.4 nm로 초고층 표면 완화를 달성하십시오.반도체에 적합합니다., 광학 및 세라믹 응용 프로그램.
관련 제품 특징:
  • 단단하고 부서지기 쉬운 재료로 특화되어 있습니다. 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드, 사피르 같은 것들이요.
  • 평탄도 ≤0.01 mm 및 거칠기 Ra ≤0.4 nm로 초고정밀 표면 마감을 달성합니다.
  • 효율성을 높이기 위해 단일 조각 및 팩 처리 모두 지원합니다.
  • 안정성을 위해 통합 주조-단조 구조를 갖춘 고강성 프레임을 특징으로 합니다.
  • 정밀성을 위해 독일 SEW 및 일본 THK와 같은 국제 부품을 사용합니다.
  • 10인치 산업용 터치스크린으로 사전 설정된 레시피와 실시간 모니터링을 지원합니다.
  • 플렉서블 구성이 가능하며, 닦기 디스크 크기는 φ300mm에서 φ1900mm까지입니다.
  • 반도체, 광학, 전자, 항공우주 산업에서 널리 사용됩니다.
질문과대답:
  • 고 정밀 단면 닦기 장비의 주요 장점은 무엇입니까?
    반도체 제조에서 실리콘 웨이퍼, SiC, 사파이어에 이상적인 고효율로 서브 마이크론 정밀도를 달성합니다.
  • 이 단면 닦기 기계는 어떤 반도체 재료를 처리할 수 있을까요?
    특히 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드 (SiC) 및 사파이어 기판을 위해 설계되었습니다.
  • 이 닦기 장비 는 어떤 산업 들 에게 유익 합니까?
    반도체, 광학, 전자 및 항공 우주 산업은 정확성과 다재다능성으로 이익을 얻습니다.
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