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고 정밀 단면 닦기 장비

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August 14, 2025
예어: 반도체 장비
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태그:
#4 인치 SiC 진열 성장 오븐 #8 인치 SiC 진통 성장 오븐 #6 인치 SiC 링고트 성장 오븐
비디오 설명:
Si 웨이퍼, SiC 및 사피어 재료에 설계된 고 정밀 한 면 닦기 장비를 발견하십시오. 평면 ≤0.01 mm 및 거칠성 Ra ≤0.4 nm로 초고층 표면 완화를 달성하십시오.반도체에 적합합니다., 광학 및 세라믹 응용 프로그램.
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