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고 정밀 단면 닦기 장비

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August 15, 2025
카테고리 연결: 반도체 장비
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고정밀 단면 연마 장비는 경질 및 취성 재료(예: 반도체 실리콘 웨이퍼, 탄화규소, 갈륨 비소, 사파이어, 석영, 세라믹)를 위해 설계된 특수 정밀 가공 도구입니다. 단방향 회전 연삭과 화학적 시너지를 통해 평탄도 ≤0.01 mm 및 표면 거칠기 Ra ≤0.4 nm의 초고 표면 마감을 달성합니다. 이 장비는 반도체 웨이퍼 얇게 만들기, 광학 렌즈 연마, 세라믹 밀봉 부품 가공에 널리 사용되며, 개별 및 일괄 처리를 모두 지원하여 효율성과 일관성을 크게 향상시킵니다.
태그:
#4 인치 SiC 진열 성장 오븐 #8 인치 SiC 진통 성장 오븐 #6 인치 SiC 링고트 성장 오븐
개요: Si 웨이퍼, SiC 및 사피어 재료에 설계된 고 정밀 한 면 닦기 장비를 발견하십시오. 평면 ≤0.01 mm 및 거칠성 Ra ≤0.4 nm로 초고층 표면 완화를 달성하십시오.반도체에 적합합니다., 광학 및 세라믹 응용 프로그램.
관련 제품 특징:
  • 단단하고 부서지기 쉬운 재료로 특화되어 있습니다. 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드, 사피르 같은 것들이요.
  • 평탄도 ≤0.01 mm 및 거칠기 Ra ≤0.4 nm로 초고정밀 표면 마감을 달성합니다.
  • 효율성을 높이기 위해 단일 조각 및 팩 처리 모두 지원합니다.
  • Features a high-rigidity frame with integrated casting-forging structure for stability.
  • 정밀성을 위해 독일 SEW 및 일본 THK와 같은 국제 부품을 사용합니다.
  • 10-inch industrial touchscreen for preset recipes and real-time monitoring.
  • Flexible configuration with polishing disc sizes from φ300 mm to φ1900 mm.
  • 반도체, 광학, 전자, 항공우주 산업에서 널리 사용됩니다.
질문과대답:
  • 고 정밀 단면 닦기 장비의 주요 장점은 무엇입니까?
    반도체 제조에서 실리콘 웨이퍼, SiC, 사파이어에 이상적인 고효율로 서브 마이크론 정밀도를 달성합니다.
  • 이 단면 닦기 기계는 어떤 반도체 재료를 처리할 수 있을까요?
    특히 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드 (SiC) 및 사파이어 기판을 위해 설계되었습니다.
  • 이 닦기 장비 는 어떤 산업 들 에게 유익 합니까?
    반도체, 광학, 전자 및 항공 우주 산업은 정확성과 다재다능성으로 이익을 얻습니다.
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