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웨이퍼 희석 장비

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April 15, 2025
예어: 반도체 장비
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태그:
#4 인치 SiC 진열 성장 오븐 #8 인치 SiC 진통 성장 오븐 #6 인치 SiC 링고트 성장 오븐
비디오 설명:
웨이퍼 얇게 만들기 시스템 정밀 얇게 만들기 장비로, 4-12인치 SiC, Si, GaAs, 사파이어 웨이퍼와 호환됩니다. 첨단 패키징 및 전력 소자 제작을 위해 ±1 μm 두께 제어 및 ≤2 μm TTV를 달성하십시오. SiC와 같은 광대역 갭 반도체에 최적화되었습니다.
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