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웨이퍼 희석 장비

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April 15, 2025
카테고리 연결: 반도체 장비
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이 장비는 실리콘 (Si), 실리콘 카비드 (SiC), 갈륨 아르세나이드 (GaAs) 및 사피르 기판을 포함한 4 "~ 12"의 부서지기 쉬운 반도체 물질의 정밀 얇게 만드는 것을 가능하게합니다.고도의 포장 및 전력 장치 제조의 엄격한 요구 사항을 충족시키기 위해 두께 제어 정확도 ±1μm 및 전체 두께 변동 (TTV) ≤2μm을 달성합니다..
태그:
#4 인치 SiC 진열 성장 오븐 #8 인치 SiC 진통 성장 오븐 #6 인치 SiC 링고트 성장 오븐
개요: 웨이퍼 얇게 만들기 시스템 정밀 얇게 만들기 장비로, 4-12인치 SiC, Si, GaAs, 사파이어 웨이퍼와 호환됩니다. 첨단 패키징 및 전력 소자 제작을 위해 ±1 μm 두께 제어 및 ≤2 μm TTV를 달성하십시오. SiC와 같은 광대역 갭 반도체에 최적화되었습니다.
관련 제품 특징:
  • Si, SiC, GaAs, 사파이어를 포함한 4~12인치 취성 반도체 재료의 정밀 박막화.
  • 두께 조절 정확도는 ±1μm, TTV ≤2μm이다.
  • 다양한 재료 특성에 최적화된 연삭 매개변수 및 연마 공정.
  • 안정적인 성능을 위해 통합 자동 실시간 두께 모니터링
  • 불규칙 제품용 맞춤형 진공 턱 솔루션
  • 우수한 가공 정밀도를 갖춘 고정밀 인피드 스핀들 연삭.
  • 에르고노믹한 HMI와 정밀한 Z축 제어로 사용자 친화적인 조작
  • 실시간 두께 측정을 통해 완전 자동 및 반자동 작동 모드를 지원합니다.
질문과대답:
  • 웨이퍼 박막화 장비는 맞춤 제작을 지원합니까?
    예, 우리는 완전히 맞춤형 솔루션을 제공합니다. 불규칙한 웨이퍼를 위한 전문 턱과 맞춤형 프로세스 레시피 개발을 포함합니다.
  • 웨이퍼 얇게 만드는 기계는 두께 조절의 정확도를 얼마나 높일 수 있습니까?
    프리미엄 모델은 TTV≤1μm (레이저 간섭 측정 두께 모니터링 시스템) 와 함께 ±0.5μm 두께 균일성을 달성합니다.
  • 어떤 재료가 웨이퍼 희석 시스템과 호환됩니까?
    이 시스템은 실리콘(Si), 탄화규소(SiC), 비소 갈륨(GaAs), 사파이어 기판을 포함한 4~12인치 취성 반도체 재료와 호환됩니다.
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