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웨이퍼 결합 장비 방 온도

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April 15, 2025
카테고리 연결: 반도체 장비
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이 시스템은 2~12인치 웨이퍼 사양을 지원하는 실리콘 카비드 (SiC) 전력 장치 제조를 위해 특별히 설계된 고급 접착 장비입니다.이 시스템은 고급 실온 직접 접착 및 표면 활성화 접착 기술을 포함합니다., SiC-SiC 및 SiC-Si 이질적인 결합 과정에 대한 특별한 최적화.
태그:
#4 인치 SiC 진열 성장 오븐 #8 인치 SiC 진통 성장 오븐 #6 인치 SiC 링고트 성장 오븐
개요: 2~12인치 사이즈의 Si-SiC와 Si-Si 웨이퍼의 실내 온도와 수분 친화적 결합을 위해 설계된 첨단 웨이퍼 결합 장비를 알아보세요.이 고급 시스템은 초고정도의 광학 정렬을 갖추고 있습니다., 닫힌 루프 온도 / 압력 제어, 그리고 전력 반도체 장치 제조를위한 다양한 접착 프로세스를 지원합니다.
관련 제품 특징:
  • 2~12인치 웨이퍼의 직접 결합과 플라즈마 활성화 결합을 지원합니다.
  • ±0.5 μm 이하의 초정밀 광학 정렬.
  • 정밀 조절 가능한 압력 조절 0~10MPa
  • 상온 ~ 500°C 온도 범위, 선택 사양으로 예열/어닐링 모듈.
  • 오염물질 없는 결합을 위한 초고 진공 환경 (≤5×10−6 Torr)
  • 산업용 터치 HMI, ≥50개의 저장된 공정 레시피.
  • 안전성 (압/온도/실공) 을 위해 세 번 잠금 보호
  • 선택 사양인 로봇 웨이퍼 취급 및 SECS/GEM 통신 프로토콜 지원.
질문과대답:
  • 열 결합에 비해 방온 웨이퍼 결합의 장점은 무엇입니까?
    상온 접합은 열 응력 및 재료 열화를 방지하여 고온 제한 없이 이종 재료(예: SiC-LiNbO₃)의 직접 접합을 가능하게 합니다.
  • 상온 웨이퍼 접합 기술을 사용하여 접합할 수 있는 재료는 무엇입니까?
    반도체(Si, SiC, GaN), 산화물(LiNbO₃, SiO₂), 금속(Cu, Au)의 접합을 지원하며, MEMS, 3D IC, 광전자 집적에 이상적입니다.
  • 웨이퍼 결합 장치는 어떤 용도로 적합합니까?
    MEMS 장치 패키지, CIS 이미지 센서, 3D IC 통합, 복합 반도체 장치 및 바이오 칩 제조에 이상적입니다.
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