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4H-SEMI SIC

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August 22, 2024
카테고리 연결: SiC 기판
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4H-SEMI SIC
태그:
#sic 웨이퍼 #sic 기질 #실리콘 탄화물 기질
개요: 정밀 절단을 위한 고경도 솔루션인 4H-SEMI SiC 기판 절단 디스크를 만나보세요. 직경 10mm, 두께 5mm의 이 SiC 웨이퍼는 고주파, 고전력 전자 장치에 이상적입니다. 맞춤형으로 제작 가능하고 내구성이 뛰어나 산업 및 과학 분야에 완벽합니다.
관련 제품 특징:
  • 경도는 높으며, 최대 9.2 모스 경도로 다이아몬드 다음으로 높습니다.
  • 뛰어난 열전도성, 고온 환경에 적합합니다.
  • 높은 주파수, 높은 전력 전자 장치에 대한 넓은 대역격 특성.
  • 특정 요구 사항을 충족하도록 디자인 아트워크로 맞춤 설정 가능합니다.
  • 6각형 결정 구조 (4H SiC) 의 SiC 단결 결정으로 만들어집니다.
  • 고전력 응용 분야를 위한 낮은 캐리어 농도와 높은 절연 특성.
  • 전력 MOSFET, 전력 다이오드, RF 전력 증폭기 및 광전 센서에 적합합니다.
  • 정밀한 사양으로 프라임 등급과 더미 등급으로 제공됩니다.
질문과대답:
  • 4H-Semi SiC 절삭 블레이드의 제조 공정은 무엇입니까?
    4H 반 단열성 실리콘 탄화물 (SiC) 절단 블레이드 제조는 결정 성장, 절단, 밀링 및 롤링을 포함한 일련의 복잡한 프로세스 단계를 필요로합니다.
  • 4H-SEMI SiC의 미래 전망은 무엇입니까?
    4H-SEMI SiC의 미래 전망은 고유한 특성과 다양한 산업 분야에서 고성능 반도체 재료에 대한 수요 증가로 인해 유망해 보입니다.
  • 4H-SEMI SiC 웨이퍼는 어떤 응용 분야에 적합합니까?
    4H-SEMI SiC 웨이퍼는 높은 내전압 및 열 전도성으로 인해 전력 전자, RF 및 마이크로파 장치, 광전자 장치, 고온 및 고압 응용 분야에 적합합니다.
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