12인치 사파이어 웨이퍼:C-플레인 SSP / DSP 광전자 장치 12인치 산업용

제품 개요

12인치 (300mm) 사파이어 웨이퍼는 사파이어 기판 부문에서 고급 대형 형식의 사피러 웨이퍼입니다.그것은 4N5에서 5N 등급의 고순도 합성 단일 결정 알루미나 (α-Al2O3) 에서 제조됩니다., 키로폴로스 방법과 같은 첨단 공정을 통해 자라는 단일 크리스탈 잉글로, 그 다음에는 멀티 와이어 슬라이싱을 포함한 반도체 수준의 절차,정밀 랩링 및 화학 기계 롤링 (CMP).세 번째 세대의 반도체 산업의 대형 기초 기판으로서 12인치 표준 반도체 생산 라인과 완전히 호환됩니다.한 웨이퍼의 효과적인 부피는 4인치 웨이퍼의 약 9배이고8인치 웨이퍼의.25배, 칩 생산량을 크게 증가시키고 칩당 기판 비용을 크게 줄입니다.이 제품은 큰 크기의 결정 성장 균일성 같은 기술적 어려움을 극복합니다., 전체 평면성 제어 및 고온 공정에서 warpage 저항,다음 세대의 미니 / 마이크로 LED 디스플레이 및 대형 형식의 GaN 전력 장치의 대량 생산에 핵심 지원 재료로 사용됩니다..

주요 기술 특성

1대량 생산을 위한 초대형

300mm의 큰 지름은 기판 면적의 도약을 달성합니다. 12인치 표준 MOCVD 에피택시 장비와 반도체 백엔드 생산 라인,8인치 웨이퍼와 비교하면 칩 생산량을 두 배 이상 증가시킵니다., 그리고 장비 절감 및 프로세스 비용을 크게 절감합니다.그것은 optoelectronic 및 전력 장치 산업에서 비용 절감 및 효율성 향상을위한 주요 기술 업그레이드 방향입니다..

2높은 균일성 고 순수성 단일 결정 물질

단일 결정은 고 순수 알루미나 원료로 자란다. 큰 크기의 잉글릿에 있는 축적 및 방사성 불순물 분포에 대한 엄격한 통제를 받으며,전체 웨이퍼에서 일관성 있는 결정 구조와 균일한 굴절 밀도를 보장합니다.그것은 큰 크기의 사피르 결정에서 흔히 볼 수있는 구성 요소 분리 및 불균형 스트레스와 같은 문제를 해결하고 대피 자전 성장 및 장치 성능에서 웨이퍼 전체 일관성을 보장합니다.

3대용량용 고온 열 안정성
녹는점은 2050°C로, 결정 구조는 1000~1200°C의 고온 에피택시 환경에서 안정적으로 유지됩니다.결정 성장 스트레스 조절 및 처리 스트레스 완화 과정을 통해, 그것은 고 온도 사이클 프로세스 동안 큰 크기의 웨이퍼의 warpage 및 변형을 효과적으로 억제하여 부피층 성장과 장치 양산의 균일성을 보장합니다.

4우수한 전기 단열 및 다이 일렉트릭 특성
내성 고순결 사파이어는 방온 저항성이 1014 Ω·cm 이상이며, 전기 단열이 우수하고 변압 손실이 매우 낮다.그것은 장치 사이의 신뢰할 수있는 전기 격리를 제공합니다, 고전압 조건에서 누출 및 신호 교란을 억제하고 고전압 GaN 전원 장치 및 고주파 RF 장치의 성능 요구 사항을 충족합니다.

5웨이퍼 전체 초정밀 표면 평면 제어

싱글 사이드 폴리싱 (SSP) 및 더블 사이드 폴리싱 (DSP) 프로세스 모두 사용할 수 있습니다. 대동면은 CMP를 통해 원자 수준 평면성을 달성하며, 폴리싱 표면 거칠さは Ra ≤ 0.2nm입니다.12인치 대형 포맷의 특성을 목표로, 글로벌 총 두께 변동 (TTV), 활과 워크는 특별히 제어되며 우수한 웨이퍼 전체 평면성 균일성을 갖추고 있으며, 큰 형식의 MOCVD 부근 성장의 요구 사항을 완전히 충족합니다.

6화학물질과 플라즈마에 대한 저항력이 뛰어나다.
사파이어는 극도로 강한 화학적 무력성을 가지고 있으며, 실내 온도에서 대부분의 산, 알칼리 및 유기 용매에 녹지 않습니다. 그것은 플라스마 에칭과 같은 가혹한 공정 환경에 견딜 수 있습니다.반도체 제조업의 습기 청소 및 고온 응열, 최소한의 부식 손상과 표면에 입자가 분출되어 프로세스 청결과 장기적인 장치 신뢰성을 보장합니다.

7.다양한 크리스탈 오리엔테이션 & 전체 매개 변수 사용자 정의

C 평면 (0001) 지향은 표준으로 제공되며, A 평면, R 평면 및 M 평면을 포함한 특수 지향도 사용할 수 있으며, 커스터마이징 할 수있는 오프 앵글 사양이 있습니다.웨이퍼 두께와 같은 매개 변수, 가장자리 샴퍼, 크리치 및 표면 청결은 모두 고객의 요구 사항에 따라 사용자 정의 할 수 있으며, 다른 장치 프로세스와 장비 표준에 적응합니다.

8높은 기계적 강도 및 표준 프로세스 호환성

9의 모스 경직성으로, 우수한 기계적 경직성 및 구부러지기 저항력을 가지고 있습니다.각종 후처리 절차를 견딜 수 있도록 해주는 것, 컷, PSS 패턴 및 금속화 및 12 인치 표준 반도체 장비의 처리 및 처리 흐름에 적응합니다.

표준 사양

전형적 사용법

1. 디스플레이 광전자 필드: 대형 미니/마이크로 LED 디스플레이 칩, 고급 디스플레이 패널 대량 생산 라인의 에피타시얼 성장
2. 전력 반도체 분야: 12인치 GaN 기반의 고전압 전력 장치, 고속 충전 칩, 자동차 전력 전자제품 대량 생산
3. 통합 회로 필드: 실리콘 온 사피어 (SOS) RF 통합 회로, 12인치 호환되는 고주파 마이크로 전자 장치
4. 광전시장: 큰 크기의 고정도 광전시장, 적외선 감지 창, 특수 광 보호 부품
5. 특수 전자 분야: 고온 전자 장치, 항공용 방사능 내성 전자 부품, MEMS 센서용 대형 기판

품질 관리

12인치 크기의 큰 웨이퍼에 대해 반도체 등급의 특수 전체 공정 품질 관리 시스템이 구축됩니다. 웨이퍼 전체 다차원 검사는 각 팩에 수행됩니다.그리고 완전한 분석 인증서 (COA) 를 제공 할 수 있습니다.주요 검사 항목은: 웨이퍼 전체의 차원 정확성 및 두께 균일성 검사, 결정 지향 오리엔테이션 오차 검증, 전체 평면성 및 거칠성 스캔,웨이퍼 전체의 시각적 결함 지도 검사, 청결성 및 표면 스트레스 테스트, 가장자리 품질 및 포장 밀폐 검증, 대용량 제품의 매개 변수 일관성 및 공정 신뢰성을 보장합니다.

FAQ

12인치 사파이어 웨이퍼와 6인치 / 8인치 작은 웨이퍼의 주요 차이점은 무엇입니까?

12인치 (300mm) 웨이퍼는 훨씬 더 큰 사용 가능한 대피 부위를 제공합니다. 8인치 웨이퍼의 약 2.25배와 4인치 웨이퍼의 9배.그것은 12 인치 표준 반도체 생산 라인과 고 용량 MOCVD 원자로와 호환됩니다., 대량 칩 생산량을 크게 높이고 칩 단위 비용을 낮추는. 그것은 미니 / 마이크로 LED 디스플레이 및 고전압 GaN 전원 장치의 대량 생산을 위해 설계되었습니다.6/8인치 웨이퍼는 연구개발에 더 많이 사용되고 있습니다., 중소량 생산 및 전통적인 LED 라인.

12인치 사파이어 웨이퍼의 두께를 사용자 정의할 수 있나요?

예. 표준 두께 옵션은 800μm, 1000μm 및 1200μm를 포함하며 고객 프로세스 요구 사항에 따라 사용자 지정 두께 사양이 제조 될 수 있습니다.보우와 워크는 모든 두께 옵션을 엄격하게 제어하여 웨이퍼 전체의 평면성과 프로세스 호환성을 보장합니다..

C 평면 (0001) 이외의 크리스탈 지향을 제공합니까?

    네. GaN LED와 전력 장치의 표준 C 평면 지향 외에도, SOS RF 장치에 A 평면, R 평면 및 M 평면 지향이 있습니다.비극적인 GaN 장치 및 특수 광학 애플리케이션또한 정확한 오프 앵글은 고객 도면 또는 에피타시얼 프로세스 요구 사항에 따라 최적화 할 수 있습니다.

12인치 웨이퍼에 PSS 패턴 또는 금속화 같은 추가 처리가 적용될 수 있습니까?

    예. PSS/NPSS 패턴, 완전 또는 지역화 된 뒷쪽 금속화, 정밀 한자 캄퍼링 및 초 얇은 웨이퍼 희석 등 부가가치 서비스를 사용할 수 있습니다.실행 가능성은 패턴 크기에 달려 있습니다, 코팅 재료, 웨이퍼 두께와 필요한 기계적 강도.

어떻게 12인치 큰 사이즈의 사파이어 웨이퍼를 위해 고온 공정에서 워크페이지를 제어합니까? 

    워크페이지는 전체 생산 체인을 통해 제어됩니다. 우리는 잉크 성장 중에 결정 성장 스트레스를 최적화,그리고 정밀 가장자리 chanfering 디자인을 적용. 고온 MOCVD 프로세스 하에서 차원 안정성과 균일한 대각성 성장을 보장하기 위해 보우와 워프 값은 배달 전에 엄격하게 검사됩니다.

12인치 사파이어 웨이퍼의 소량 프로토타입 주문을 지원하시나요?

예, 프로토타입 수량, 실험실 규모의 시험 대량 및 유지보수 교체 주문은 모두 받아들여집니다.가공의 어려움 및 요구되는 품질 등급.

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