2차원 재료, 그래핀 전자제품 및 깊은 자외선 애플리케이션을 위한 장치급 hBN 싱글 크리스탈
디바이스 등급 육각형 보론 질소 (hBN) 싱글 크리스탈은 고순도 대량 결정 물질로 독자적인 대기 압력 성장 과정을 사용하여 재배됩니다.첨단 연구 및 차세대 전자 및 광학 장치에 특별히 설계되었습니다.이 결정들은 그래핀 헤테로구조, 반데르왈스 장치, 나노 광학, 그리고 깊은 자외선 광전자에 대한 초정결하고 원자적으로 평평한 플랫폼을 제공한다.
이 물질은 탁월한 결정 질, 낮은 결함 밀도, 우수한 변압력, 뛰어난 광학적 특성을 나타냅니다.독립적인 제3자 검증은 전자 장치 성능이 주요 hBN 크리스탈 생산자들에 의해 설정된 현재 학술 기준과 비교되거나 초과되는 것을 입증했습니다..
천연 성장 측면과 밀리미터 규모의 대용량 결정으로 제공됩니다.장치 차원 hBN 싱글 크리스탈은 고 이동성 그래핀 장치 및 신흥 2 차원 재료 시스템에 대한 이상적인 기판 및 캡슐화 재료입니다..
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| 매개 변수 | 사양 |
|---|---|
| 소재 | 헥사고널 보론 나이트라이드 (hBN) 단일 크리스탈 |
| 크리스탈 등급 | 장치 등급 |
| 크리스탈 형태 | 대용량 단일 결정 |
| 성장 방법 | 독자적 인 대기 압력 증가 |
| 전형적인 옆구리 크기 | ≥ 1mm |
| 크리스탈 표면 | 자연적 인 성장 의 측면 |
| 포장 | 칩 운반기 |
| 패키지당 양 | 5~10 크리스탈 |
| 매개 변수 | 전형적 가치 |
| 다이렉트릭 분해 필드 | 10.64 ± 0.06 V/nm |
| 매개 변수 | 전형적 가치 |
| UV 밴드 엣지 방출 | ~215 nm |
| 라만 E2g FWHM | 70.88cm-1 |
| 크리스탈 광화질 | 최첨단 수준 |
| 매개 변수 | 전형적 가치 |
| 그래핀 실온 이동성 | ~80,000cm2/V·s |
| 운반자 밀도 | 1 × 1012cm−2 |
| 측정 온도 | 300K |
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장치 수준의 hBN은 그래핀 트랜지스터, 홀 장치 및 고주파 전자 부품의 캡슐화 계층 및 기판 재료로 널리 사용됩니다.원자적으로 부드러운 표면은 전하의 산란을 최소화하고 초고량 운반자 이동성을 가능하게 합니다..
이 물질은 그래핀, 전환 금속 디칼코겐이드 (TMD) 및 다른 신흥 2차원 물질을 포함하는 반 데르 발스 이원 구조의 중요한 구성 요소로 작용합니다.
고품질의 hBN은 포논-포라리톤 전파를 지원하며 나노 광학 장치, 광학 메타 표면 및 양자 광학 연구에서 점점 더 많이 사용됩니다.
특징적인 대역 가장자리 방출이 215nm에 가깝고, hBN 단일 결정은 깊은 UV 방출기, 탐지기 및 차세대 광학 시스템에 대한 유망한 재료입니다.
연구자들은 moiré 초열망, 상관 전자 시스템 및 양자 운송을 포함한 새로운 양자 현상을 조사하기 위해 hBN을 초정화형 변압기 플랫폼으로 사용합니다.
기존의 폴리 크리스탈린 보론 나이트라이드 물질과 비교하면 장치 수준의 hBN 단일 결정은 다음과 같습니다.
이러한 특성으로 hBN은 현대 2차원 전자 및 광학 기술의 가장 중요한 지원 재료 중 하나입니다.
장치 차원의 hBN 단일 크리스탈은 안전한 운송과 편리한 실험실 처리를 보장하기 위해 보호 칩 운반기에서 공급됩니다.각 패키지는 일반적으로 1mm를 초과하는 대표적인 측면 크기의 5~10개의 결정이 포함되어 있습니다..
주문형 결정 선택과 연구용 재료 공급은 요청에 따라 가능합니다.
장치 등급 hBN은 전자, 광학 및 양자 장치 제조를 위해 특별히 최적화된 여섯 각성 붕산화소의 고순도, 결함이 낮은 단일 결정입니다.
hBN는 원자적으로 부드럽고 전기적으로 단열 된 표면을 제공하여 기존 기판에 비해 그래핀 운반자의 이동성과 장치 성능을 크게 향상시킵니다.
고품질의 hBN은 215nm에 가까운 대역출력을 가지고 있어
표준 장치 등급의 결정은 일반적으로 1mm 이상의 측면 크기를 제공합니다. 생산 대량에 따라 더 큰 결정과 사용자 지정 선택이 사용할 수 있습니다.
예, 장치 수준의 hBN 단일 결정은 학술 연구, 첨단 재료 연구, 그래핀 전자, 나노 광학 및 프로토타입 장치 제조에 널리 사용됩니다.