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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 직경: | 150mm 6인치 | 두께 공차: | ±0.02mm |
|---|---|---|---|
| 전체 두께 변동: | ≤10μm | 표면 거칠성: | ≤0.5nm ra |
| 평행성: | ≤3μm | 저항률: | > 1016 Ω·cm |
| 강조하다: | 6인치 석영 결정 유리 웨이퍼,150mm 석영 결정 유리 웨이퍼,SiO₂ 석영 결정 유리 웨이퍼 |
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ZMSH는 6인치 쿼츠 웨이퍼를 제조하는 전문업체로 다음과 같은 제품을 제공합니다.
다중 크기의 커스터마이징: 표준 6인치 웨이퍼와 4′′, 8′′, 12′′ 변종
가장자리 처리: 톱니가 있는 가장자리, 톱니 및 방향 평면의 옵션
표면 처리: 맞춤 닦기, 코팅 및 패턴화 서비스
| P아라메터 | 사양 |
| 직경 | 150mm 6인치 |
| 두께 범위 | 0.5mm~3.0mm |
| 두께 허용 | ±0.02mm |
| 전체 두께 변동 | ≤ 10μm |
| 표면 거칠성 (폴리싱) | ≤0.5nm Ra |
| 평행성 | ≤3μm |
| CTE (20~300°C) | 00.55×10−6/°C |
| 송수신 @193nm | >92% |
| 저항성 | > 1016 Ω·cm |
| 진공 호환성 | 10−10 토르 |
| 융통력 (강화) | 500~700MPa |
| 특징 | 기술 사양 |
| 높은 순수성 | ≥99.999% SiO2 함량 |
| CTE (20~300°C) | 0.55×10−6/°C (극히 낮은 열 확장) |
| 팽창 강도 | 50-70 MPa (화학 강화 옵션) |
| 광전도 | >92% @190-3500nm (UV ~ NIR 스펙트럼) |
| 전기적 특성 | 저항성 > 1016 Ω·cm, 피에조 전기 계수 |
1반도체 제조
6인치 쿼츠 웨이퍼는반도체 포장,칩 제조, 및 관련 분야, 특히:
- 메모리 칩(DRAM, NAND 플래시)
- 아날로그/전력 장치(IGBT, MOSFET)
- 첨단 센서MEMS, CMOS 이미지 센서
2광학 부품
이 때문에높은 광전도성그리고매우 낮은 CTE, 쿼츠 웨이퍼는 다음과 같은 용도로 적합합니다.
- 정밀 렌즈(아스피어, 마이크로 렌즈 배열)
- 광적 필터(밴드 패스, 디크로이크)
- 파도 안내기(포토닉 IC, 섬유 결합 요소)
3MEMS (마이크로 전기 기계 시스템)
쿼츠 웨이퍼는 MEMS 장치의 프리미엄 서브스트라이트로 사용됩니다.차원 안정성그리고기계적 견고성다음을 포함합니다.
- 마이크로 센서(압, 관성, 바이오 센서)
- 마이크로 액추에이터(RF 스위치, 피에조 전기 변환기)
- 레조네이터5G 필터, 타이밍 장치
4고온 폴리-시 TFT LCD
쿼츠 웨이퍼 는 제조업 에서 매우 중요 하다고성능 디스플레이특히:
- HTPS (고온 폴리-시) TFT 백플라인
- 마이크로 디스플레이(AR/VR, LCoS)
- 고급 LCD 패널(OLED 캡슐링 기판)
우리는 종합적인 솔루션을 제공합니다.
1재료 선택: JGS1/JGS2 쿼츠, 합성 녹은 실리카
2정밀 가공:
- 레이저 절단 (±5μm 허용)
- 초음파 뚫기 (방면 비율 10:1)
3표면 엔지니어링:
- 나노 폴리싱 (Ra<0.3nm)
- DUV/IR 반사 방지 코팅
4품질 보장:
- 10급 청정실 처리
- 전체 측정 보고서 (TTV, 워크, 보우)
1질문: 반도체 제조에서 작은 크기에 비해 6인치 쿼츠 웨이퍼의 장점은 무엇입니까?
A: 6인치 (150mm) 쿼츠 웨이퍼는 4인치 웨이퍼보다 56% 더 많은 사용 가능한 공간을 제공하며, 가장자리 배제 손실을 크게 줄이고 고급 포장 및 MEMS 생산의 처리량을 향상시킵니다.
2. 질문: 쿼츠 웨이퍼 순수성 (≥99.999%) 은 고온 공정에 어떻게 영향을 미치나요?
A: 5N 순수 쿼츠는 1000 °C 이상의 HTPS TFT 및 반도체 반열 공정에서 오염 위험을 최소화하여 일관성 다이 일렉트릭 특성을 보장합니다.
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담당자: Mr. Wang
전화 번호: +8615801942596
