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SiC 실리콘 탄화물 세라믹 트레이 플릿 웨이퍼 홀더 ICP 에피타시얼 성장 처리를 위한 에칭 프로세스

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SiC 실리콘 탄화물 세라믹 트레이 플릿 웨이퍼 홀더 ICP 에피타시얼 성장 처리를 위한 에칭 프로세스

SiC Silicon Carbide Ceramic Trays Plate Wafer Holder ICP Etching Process For Epitaxial Growth Processing
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큰 이미지 :  SiC 실리콘 탄화물 세라믹 트레이 플릿 웨이퍼 홀더 ICP 에피타시얼 성장 처리를 위한 에칭 프로세스

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: ZMSH
인증: rohs
모델 번호: SiC 세라믹 트레이
결제 및 배송 조건:
배달 시간: 2-4 주
지불 조건: T/T
접촉
상세 제품 설명
제품 이름: 탄화 실리콘 트레이 소재: 실리콘 카바이드 세락믹
색상: 비어있는 순수성: 99.999%
용인성: ±0.001mm 적용: 열벽 증착기 처리
크기: 사용자 정의 크기
강조하다:

실리콘 카비드 세라믹 트레이 판

,

에피타시얼 성장 처리 세라믹 트레이

,

ICP 에칭 프로세스 세라믹 트레이 판

제품 설명

SiC 실리콘 탄화물 세라믹 트레이 판 웨이퍼 홀더 ICP 에치싱 프로세스 사용

비산화물 세라믹, 실리콘 카바이드 세라믹 (SiC) 은 모스 척도의 9.5까지의 경도를 가진 초고속 물질입니다.실리콘 탄화물 세라믹은 방 온도에서 우수한 기계적 특성을 가지고있을뿐만 아니라, 높은 굴절 강도, 우수한 산화 저항성, 좋은 경화 저항성, 높은 마모 저항성 및 낮은 마찰 계수, 그러나 또한 우수한 기계적 특성 (강도,크리프 저항성) 과 높은 온도에서 고온 강도를 1600 °C까지 유지할 수 있으며 이는 모든 세라믹 재료 중 가장 좋습니다.실리콘 카비드 세라믹의 산화 저항도 모든 비 산화 세라믹 중 가장 좋습니다..

SiC 실리콘 탄화물 세라믹 트레이 플릿 웨이퍼 홀더 ICP 에피타시얼 성장 처리를 위한 에칭 프로세스 0

특징

- 껍질을 벗기지 말고 모든 표면이 코팅되었는지 확인하십시오.

고온 산화 저항성: 1600°C까지의 고온에서 안정성

높은 순수성: 고온 염화 조건에서 CVD 화학 증기 퇴적에 의해 만들어집니다.

SiC 실리콘 탄화물 세라믹 트레이 플릿 웨이퍼 홀더 ICP 에피타시얼 성장 처리를 위한 에칭 프로세스 1SiC 실리콘 탄화물 세라믹 트레이 플릿 웨이퍼 홀더 ICP 에피타시얼 성장 처리를 위한 에칭 프로세스 2

부식 저항성: 높은 강도, 밀도가 높은 표면, 미세 입자

부식 저항성: 산, 알칼리, 소금 및 유기 반응 물질에 저항합니다.

- 최적의 라미나 공기 흐름 패턴을 달성

- 일률적인 열 분포를 보장합니다

- 오염 또는 불순물의 확산을 방지합니다

기술 매개 변수

SiC 실리콘 탄화물 세라믹 트레이 플릿 웨이퍼 홀더 ICP 에피타시얼 성장 처리를 위한 에칭 프로세스 3

신청서

- 기계식 봉인 고리

- 밸브 공, 좌석, 부싱

- 오븐 가구

- 열 교환기

- 터빈 부품 고정 및 이동

- 밀링 매개체

- 군용 방탄 장착장

- 연장기 부품

- 세라믹 베어링

SiC 실리콘 탄화물 세라믹 트레이 플릿 웨이퍼 홀더 ICP 에피타시얼 성장 처리를 위한 에칭 프로세스 4SiC 실리콘 탄화물 세라믹 트레이 플릿 웨이퍼 홀더 ICP 에피타시얼 성장 처리를 위한 에칭 프로세스 5

우리의 서비스

1공장 직접 생산 및 판매.

2빠르고 정확한 인용구

324시간 이내에 답변합니다

4ODM: 맞춤형 디자인은 가능합니다.

5빠른 배송과 값비싼 배송

FAQ

1. Q: MOQ는 얼마인가요?
A: (1) 인벤토리를 위해, MOQ는 3pcs입니다.
(2) 맞춤형 제품에 대한 MOQ는 10pcs입니다.

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재고: 배달은 주문 후 5 일입니다.
맞춤형 제품: 배송은 주문 후 2 ~ 3 주입니다.
(2) 특수 모양의 제품, 배송은 주문 후 4 작업 주입니다.

3.Q: 배송 방법과 비용은?
A: (1) 우리는 DHL, FEDEX, EMS 등을 받아 들인다.
(2) 자신의 익스프레스 계좌를 가지고 있다면, 그것은 훌륭합니다. 그렇지 않으면, 우리는 당신이 그들을 배송 도울 수 있습니다.
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태그:

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연락처 세부 사항
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담당자: Mr. Wang

전화 번호: +8615801942596

회사에 직접 문의 보내기 (0 / 3000)

SiC 기판

높은 순수성 도핑되지 않은 실리콘 카바이드 sic 웨이퍼, 6Inch 4H-Semi Sic 실리콘 카바이드 기질

2 인치 6H - 발견자를 위한 반 실리콘 탄화물 웨이퍼 저출력 소비

4inch Sic 주괴 실리콘 탄화물 반도체를 위한 5 - 15mm 간격

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