SiC 에피택셜 웨이퍼의 생산과 애플리케이션

SiC 탄화규소는 탄소로 구성된 화합물 반도체 소재고 고온, 고주파, 고전력과 고전압 장치를 만들기 위한 이상적인 소재 중 하나인 실리콘 요소입니다.

      종래 실리콘 물질 (Si)와 비교하여, 탄화규소 (SiC)의 밴드갭 폭은 실리콘의 것보다 3배입니다 ; 열전도율은 실리콘의 것보다 4-5 배입니다 ; 항복 전압은 실리콘의 것보다 8-10 배입니다 ; 전자 포말 드리프트 레이트는 실리콘의 것보다 2-3 배입니다.

탄화규소 원료의 핵심 장점은 안에 반영됩니다 :
1) 높은 전압 저항 특성 : 더 작은 제품 설계와 더 높은 효율의 결과를 초래한 더 낮은 임피던스, 더 큰 전류와 전압에 견딜 수 있는 더 넓은 밴드갭 ;
2) 고주파 저항특성 : SiC 장치는 셧다운 프로세스 동안 끌리는 경향을 가지고 있지 않으며, 그것이 효과적으로 더 높은 주파수와 더 빠른 교환 속도에 적합한 성분의 교환 속도를 (대략 3-10 번 Si의 그것) 향상시킬 수 있습니다 ;
3) 고온저항 : SiC는 실리콘과 비교하여 높은 열전도율을 가지고 있고, 더 높은 온도에 작동할 수 있습니다.

     프로세서 플로우의 가능성으로부터 ; SiC 분말은 궁극적으로 기판을 형성하기 위해 결정화와 처리, 절단, 연마, 끝마무리와 세정 공정을 겪습니다. 기판은 에피택셜 웨이퍼를 획득하기 위해 열벽 증착기를 겪습니다. 에피택셜 웨이퍼는 사진 석판술, 에칭, 이온 주입과 기탁과 같은 단계를 통한 장치로 제조됩니다.

    웨이퍼를 다이로 절단하고, 장치를 패키징하고, 특별한 케이스에서 모듈 안으로 그들을 모으세요. 산업적 체인은 상류 기판과 에피, 도중 기기와 모듈 제조업과 하류로 흐르는 터미널 애플리케이션을 포함합니다.

     탄화규소로 만들어진 전력 소자는 그들의 전기적 성능 차이를 기반으로 2가지 부문으로 분할되고, 넓게 신 에너지 자동차, 태양광 발전, 철도 운송과 5G 통신과 같은 분야에서 사용됩니다. 다른 전기적 성질에 따르면, 탄화 규소 소재로 만들어진 장치는 탄화규소 장치의 두 유형을 위한 다양한 터미널 애플리케이션 분야로, 전도성 있는 탄화규소 전력 소자와 세미 절연 탄화규소 장치로 분할됩니다.

     전도성 있는 탄화 규소 파워 장치는 실리콘 탄화물 에피택셜층을 전도성 기판에서 성장시키고, 탄화규소 에피택셜 웨이퍼를 획득하고 더욱 그들을 처리함으로써 주로 만들어집니다. 다양성은 쇼트키 다이오드, MOSFET, IGBT, 기타 등등을 포함합니다. 그들은 주로 전기 자동차, 태양광 발전, 철도 운송, 데이터 센터와 같은 인프라 구축에서 사용되고, 청구하고 있습니다.

세미 절연 탄화규소 기반을 둔 RF 장치는 탄화규소 기반을 둔 갈륨 나이트라이드 에피택셜 웨이퍼를 획득하기 위한 세미 절연성 탄화규소 기판 위의 갈륨 나이트라이드 에피택셜 층을 성장시킴으로써 만들어집니다. 이러한 기기는 HEMT (고전자이동도 트랜지스터)을 포함하고 다른 갈륨이 주로 5G 통신, 차량 통신, 국가적 방어 응용, 데이터 전송과 항공 우주를 위해 사용되는 RF 기기를 질화처리합니다.