에피타시얼 시트 (EPI) 및 그 적용

에피타시얼 시트 (EPI) 및 그 적용

에피타시얼 시트 (EPI) 는 기판에 자라는 반도체 필름을 가리키며, 주로 P 타입, 양자 우물 및 N 타입으로 구성됩니다.이제 주류의 대두 물질은 갈륨 질산 (GaN) 이며 기판 물질은 주로 사파이르입니다.실리콘, 탄화 3개, 양자 우물 일반적으로 5개로더 높은 기술과 더 큰 자본 투자의 필요성.

현재는 실리콘 기판의 일반 대피층, 다층 구조 대피층, 초고저항성 대피층, 초 두꺼운 대피층,에피타시얼 레이어 저항은 1000 오름 이상 도달 할 수 있습니다, 선도형은: P/P++, N/N+, N/N+, N/P/P, P/N/N /N+ 그리고 다른 많은 종류.

실리콘 대각색 웨이퍼는 소비자, 산업, 군사 및 우주 전자 분야에서 응용되는 광범위한 반도체 장치를 제조하는 데 사용되는 핵심 재료입니다.

가장 중요한 마이크로 전자 응용 프로그램 중 일부는 여러 가지 생산 검증 된 및 산업 표준 실리콘 에피택시 프로세스 기술을 사용합니다.

다이오드

• 쇼트키 다이오드

• 초고속 다이오드

• 제너 다이오드

• PIN 다이오드

• 일시적 전압 억제기 (TVS)

• 기타

트랜지스터

• 전력 IGBT

• 전력 DMO

• MOSFET

• 중량 전력

• 작은 신호

• 기타

통합 회로/양극적 통합 회로

• EEPROM

• 증폭기

• 마이크로프로세서

• 마이크로 컨트롤러

• 전파 식별

• 기타

대각선적 선택성은 일반적으로 대각선적 퇴적의 상대적 속도를 조정하고 현장 발각을 통해 달성됩니다.사용 된 기체는 일반적으로 염소를 함유 한 (Cl) 실리콘 소스 가스 DCS입니다.이 반응에서 실리콘 표면에 Cl 원자의 흡수율은 산화물이나 질소보다 작으며, 부피성 성장의 선택성은 실리콘 표면에 Cl 원자의 흡수율로 실현됩니다.SiH4는 Cl 원자를 포함하지 않고 낮은 활성화 에너지를 가지고 있기 때문에 일반적으로 낮은 온도 전체 부화 과정에서만 사용됩니다.또 다른 일반적으로 사용되는 실리콘 소스인 TCS는 저증기 압력을 가지고 있으며 방온에서는 액체로 H2 거품기를 통해 반응 챔버로 가져와야 합니다.하지만 가격은 상대적으로 저렴합니다., 그리고 그것의 빠른 성장 속도 (5 um/min까지) 는 종종 비교적 두꺼운 실리콘 부피층을 성장시키는 데 사용됩니다. 실리콘 부피층의 생산에 널리 사용되었습니다.그룹 IV 원소 중 Ge (5.646A) 의 격자 상수는 Si (5.431A) 와 가장 다르므로 SiGe와 Si 프로세스가 쉽게 통합 될 수 있습니다.단일 크리스탈 Si에서 Ge에 의해 형성된 SiGe 단일 결정층은 대역 간격 폭을 줄이고 특징적인 절단 주파수 (fT) 를 증가시킬 수 있습니다.이는 무선 및 광 통신 고 주파수 장치에 널리 사용됩니다.또한 고급 CMOS 통합 회로 프로세스에서, Ge와 Si의 격자 상수 불일치 (4%) 로 인해 생성된 격자 스트레스는 전자 또는 구멍의 이동성을 향상시키기 위해 사용될 것입니다.장치의 작동 포화 전류와 반응 속도를 높이기 위해, 이는 여러 나라에서 반도체 통합 회로 기술 연구의 뜨거운 장소가되고 있습니다.

  내부 실리콘의 전기 전도성이 좋지 않기 때문에 저항성은 일반적으로 200ohm-cm 이상입니다.그리고 일반적으로 장치의 특정 전기적 특성을 충족시키기 위해 부순물 가스 (dopant) 를 대동성 성장에 포함시키는 것이 필요합니다..불순물 가스는 두 가지 유형으로 나눌 수 있습니다. 일반적으로 사용되는 N 유형 불순물 가스는 포스포안 (PH3) 및 아르세난 (AsH3) 을 포함하고 P 유형은 주로 보란 (B2H6) 입니다.