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전력 전자, RF 장치, UV 광전자 공학용 4H 탄화규소 기판

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November 20, 2025
카테고리 연결: SiC 기판
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태그:
#sic 웨이퍼 #sic 기질 #실리콘 탄화물 기질
개요: 이 비디오에서는 고순도 단결정 구조와 초저 결함 밀도를 자랑하는 4H 탄화규소 기판을 살펴봅니다. 전력 전자, RF 장치, UV 광전자 분야에서의 응용, 정밀 CMP 연마 및 열 성능을 강조하는 내용을 시청하세요.
관련 제품 특징:
  • 초고순도, 초저 결함 밀도의 4H-SiC 단결정 재료.
  • Ra ≤ 0.5 nm의 에피택시 준비 표면을 위한 정밀 CMP 연마.
  • 뛰어난 열 전도성 (490 W/m*K) 및 고온 내성 (최대 600 °C).
  • 0.01-0.1 Ω*cm의 저항률을 갖는 안정적인 전기적 특성.
  • 비커스 경도 28-32 GPa로 높은 기계적 강도를 가집니다.
  • 전력 전자, RF 장치 및 UV 광전자 공학에 이상적입니다.
  • 맞춤형 크기, 두께 및 도핑 레벨로 제공됩니다.
  • R&D, 프로토타입 제작, 소규모 생산에 적합합니다.
질문과대답:
  • 4H-SiC가 6H-SiC에 비해 갖는 주요 장점은 무엇입니까?
    4H-SiC는 더 높은 전자 이동성, 낮은 온 저항, 그리고 고전력 및 고주파 장치에서 우수한 성능을 제공하여 MOSFET 및 다이오드에 선호되는 소재입니다.
  • 전도성 또는 반절연 SiC 기판을 제공합니까?
    네, 전력 전자 분야를 위한 N형 전도성 4H-SiC와 RF, 마이크로파, UV 감지기 응용 분야를 위한 반절연성 4H-SiC를 제공하며, 맞춤형 도핑 레벨을 지원합니다.
  • 기판을 에피택시에 직접 사용할 수 있습니까?
    네, 저희 에피 준비 완료된 4H-SiC 기판은 MOCVD, CVD, HVPE를 이용한 GaN, AlN, SiC 층의 에피택셜 성장에 적합하도록, CMP 연마된 Si-face 표면과 낮은 결함 밀도를 특징으로 합니다.
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