제품 소개갈륨 질화물 웨이퍼

2 / 사파이어, Sic 기질에 4 인치 갈륨 질화물 AlN 템플렛 웨이퍼

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2 / 사파이어, Sic 기질에 4 인치 갈륨 질화물 AlN 템플렛 웨이퍼

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큰 이미지 :  2 / 사파이어, Sic 기질에 4 인치 갈륨 질화물 AlN 템플렛 웨이퍼

제품 상세 정보:

원래 장소: 중국
브랜드 이름: zmkj
모델 번호: 4inch AlN

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 2pc
가격: by case
포장 세부 사항: 100 급료 청정실에 있는 단 하나 웨이퍼 상자
배달 시간: 2~4주
지불 조건: L / C, T / T
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상세 제품 설명
재료: 웨이퍼에 AlN 방법: HVPE
크기: 4inch 두께: 430+15um 또는 650um
산업: , 레이저 장치 지도되는, LD 발견자, 표면: 닦는 복식 혹은 단식 측

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  1. III 질화물 (GaN, AlN의 여인숙)

금지된 (발광과 흡수) 대역폭 덮개 자외선, 가시 광선 및 적외선.

제품  알루미늄 질화물 (AlN) 영화
제품 설명: AllN Epitxial는 saphhire 수소화물 수증기 단계 켜쌓기 (HVPE) 모형 방법을 제시했습니다. 알루미늄 질화물 영화는 또한 알루미늄 질화물 단결정 기질을 대체하는 비용 효과적인 방법 입니다. 근실하의 분지 결정 환영 당신 조회!
기술적인 모수:
크기 50mm ± 2mm
사파이어 기질 오리엔테이션 c 축선 (0001) ± 1.0deg
큰 결점 조밀도 <5cm-2>
유효한 표면 90%
전에 지상 처리 Epi 준비되어 있 성장되는
콘테이너 단 하나 칩

 

명세:

10x10x0.5mm, 10x10x1mm, dia2 “x1mm;

고객 요구 특별한 오리엔테이션 및 크기에 따라 주문을 받아서 만들어질 수 있습니다.

기준 포장: 1000 청정실, 100 청결한 부대 또는 단 하나 상자 포장
 

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GaN는 발광 다이오드 표시 고에너지 탐지 및 화상 진찰과 같은 많은 지역에서 사용될 수 있습니다,
레이저 투상 전시, 힘 장치, 등.
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명세:

  4" AlN 템플렛 또한 2-4inch 크기 ok
품목 AlN-T
차원 Ф 100±0.3mm
기질 사파이어, SiC, GaN
간격 1000nm+/- 10% (AlN 간격)
오리엔테이션 C 축선 (0001) ± 1°
유도 유형 반 격리
탈구 조밀도 XRD FWHM의 (0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHM의 (10-12) < 1000="" arcsec="">
쓸모 있는 표면 > 80%
폴란드어 기준: SSP
선택권: DSP
포장 , 질소 대기권의 밑에 25pcs 단 하나 웨이퍼 콘테이너의 카세트에서 종류 100 청정실 환경에서 포장하는. 또는 단 하나 카세트.

다른 사람은 또한 aslike 5x5mm, 10x10mm, 2inch, 3inch를 수 있습니다 주문을 받아서 만들어질 치수를 잽니다. 

 

우리의 팀에 관하여

    ZMKJ는 중국 제일 시인 상해 시에서 위치를 알아냅니다,

그리고 우리 공장은 2014년에 우시 시에서, 그러나 반도체 물자에서 설립됩니다,

10years를 위한 좋은 경험이 거의 있으십시오.
   우리는 전자공학, 광학, 광전자공학 및 다른 많은 분야에서 널리 이용되는 웨이퍼, 기질 및 custiomized 광학 유리 parts.components로 다양한 물자 가공을 전문화합니다. 우리는 또한 많은 국내를 바싹 사용하고 있습니다 그리고 해외 대학, 연구소 및 회사는 그들의 연구 및 개발 프로젝트를, 주문을 받아서 만들어진 제품과 서비스를 제공합니다.
     우리의 좋은 reputatiaons 옆에 우리의 모든 고객을 가진 협력의 좋은 관계 유지에 우리의 시각입니다.


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연락처 세부 사항
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

담당자: Wang

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