제품 소개갈륨 질화물 웨이퍼

단 하나 크리스탈 알루미늄 질화물 기질, 알루미늄 질화물 웨이퍼 템플렛

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단 하나 크리스탈 알루미늄 질화물 기질, 알루미늄 질화물 웨이퍼 템플렛

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제품 상세 정보:

원래 장소: 중국
브랜드 이름: zmkj
모델 번호: 2inch AlN

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 5pc
가격: by case
포장 세부 사항: 100 급료 청정실에 있는 단 하나 웨이퍼 상자
배달 시간: 2~4주
지불 조건: L / C, T / T
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상세 제품 설명
재료: 웨이퍼에 AlN 방법: HVPE
크기: 2inch 두께: 430+15um
산업: , 레이저 장치 지도되는, LD 발견자, 표면: DSP

사파이어 sic 기질의 HVPE 갈륨 질화물 웨이퍼, GaN에 AlN 기질에 2inch AlN 템플렛

우리는 UV LEDs, 반도체 소자 및 AlGaN 켜쌓기 자람을 위한 AlN 웨이퍼 또는 AlN 템플렛을, 부른 c 비행기 사파이어 템플렛에 AlN 단 하나 크리스탈 기질을 제안합니다. 우리의 epi 준비되어 있는의 C 비행기 AlN 기질 좋은 XRD FWHM 또는 탈구 조밀도가 있습니다. 유효한 간격은 30nm에서 5um에 입니다.
낮은 탈구를 가진 우리의 단결정 알루미늄 질화물 기질에는 신청이 넓게 있습니다: UV LED, 발견자의 IR 찾는 사람 창, III 질화물, 레이저, RF 트랜지스터 및 다른 반도체 소자의 켜쌓기 자람을 포함하여.

금지된 (발광과 흡수) 대역폭 덮개 자외선, 가시 광선 및 적외선.
AlN 템플렛은 HEMT 구조, 울리는 터널을 파는 다이오드의 발달을 위해 이용됩니다

acoustoelectronic 장치

 단 하나 크리스탈 알루미늄 질화물 기질, 알루미늄 질화물 웨이퍼 템플렛


명세:

 

  2" AlN 템플렛  
품목 AlN-T
차원 Ф 2"
기질 사파이어, SiC, GaN
간격 1000nm+/- 10%
오리엔테이션 C 축선 (0001) ± 1°
유도 유형 반 격리
탈구 조밀도 XRD FWHM의 (0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHM의 (10-12) < 1000="" arcsec="">
쓸모 있는 표면 > 80%
폴란드어 기준: SSP
선택권: DSP
포장 , 질소 대기권의 밑에 25pcs 단 하나 웨이퍼 콘테이너의 카세트에서 종류 100 청정실 환경에서 포장하는.
FAQ

Q: 얼마나 당신의 배달 시간은 입니까?

A: 상품이 주식에 있는 경우에 일반적으로 5-10 일입니다. 또는 상품이 주식에 없는 경우에 15-20 일입니다,

그것은 양에 따라 입니다.

Q: 당신은 표본을 제공합니까? 그것은 자유로우나 여분 입니까?

A: 그렇습니다, 우리는 우리가 FOB에 의하여 담당 표본을 제안하는 그것을 위해 유감스럽습니다.

 

Q: 지불의 당신의 기간은 무엇입니까?

A: Payment=1000USD<>, 미리 30% T/T,

shippment의 앞에 균형.
당신은 다른 질문이 있는 경우에는, pls는 아래에로 저희에게 연락하게 자유롭게 느낍니다:

 

연락처 세부 사항
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

담당자: Wang

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