제품 소개갈륨 질화물 웨이퍼

Wurtzite 결정 구조 LED 웨이퍼 GaN 갈륨 질화물 기질 템플렛

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Wurtzite 결정 구조 LED 웨이퍼 GaN 갈륨 질화물 기질 템플렛

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큰 이미지 :  Wurtzite 결정 구조 LED 웨이퍼 GaN 갈륨 질화물 기질 템플렛

제품 상세 정보:

원래 장소: 중국
브랜드 이름: zmkj
모델 번호: GaN 템플렛

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 5pc
가격: by case
포장 세부 사항: 100 급료 청정실에 있는 단 하나 웨이퍼 상자
배달 시간: 2~4주
지불 조건: L / C, T / T
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상세 제품 설명
재료: 사파이어 운반대에 GaN epi 방법: HVPE
크기: 2inch 두께: 430um
산업: , 레이저 장치 지도되는, LD 발견자, 표면: 닦는 단 하나 측

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GaN 명세/특징:

  1. 갈륨 질화물 (GaN)는 wurtzite가 결정 구조 있는 아주 단단한 한 물자에는이고 3 세 물자로 아마 가장 중요한 반도체 물자입니다.
  2.  그것은 화려한 빛을 발광 다이오드 (LEDs) 및 레이저 다이오드의 모양으로 방출하고기 위하여, 뿐 아니라 차세대 고주파를 위한 주요 물질, 고열에 운영하기 가능한 고성능 트랜지스터에이기 위하여 이용될 수 있습니다.
  3. GaN는 사파이어 기질, 직경에 코피 웨이퍼 (사파이어, SiC) 코피 웨이퍼가 MBE 또는 MOCVD 방법으로 성장되는, 1개의 층 또는 다중층 구조의 4 인치까지 기초를 두었습니다.

(발광과 흡수) III 질화물 (GaN, AlN의 여인숙) 금지된 대역폭 덮개 자외선,

가시 광선 및 infrared.GaN는 발광 다이오드 표시 고에너지 탐지와 같은 많은 지역에서 사용될 수 있습니다

그리고 화상 진찰, 레이저 투상 전시, 힘 장치, 등.

 Wurtzite 결정 구조 LED 웨이퍼 GaN 갈륨 질화물 기질 템플렛
 
명세:
 

2" GaN 템플렛

 

 품목

 

GaN-T-N  

GaN-T-S

차원

Ф 2"

 간격

15 μm, 20 μm, 30 μm, 40 μm

30 μm, 90 μm

 오리엔테이션

C 축선 (0001) ± 1°

유도 유형

N 유형

반 격리

 저항력 (300K)

< 0="">Ω·cm

>106 Ω·cm

 탈구 조밀도

1x108 cm-2 보다는 더 적은

기질 구조

 
430um 또는 330um 사파이어에 두꺼운 GaN (0001)

 

 쓸모 있는 표면

> 90%

폴란드어

기준: SSP 선택권: DSP

 포장

, 질소 대기권의 밑에 25pcs 단 하나 웨이퍼 콘테이너의 카세트에서 종류 100 청정실 환경에서 포장하는.

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- FAQ –
Q: 당신은 무엇 근수와 비용을 공급할 수 있습니까?
(1) 우리는 DHL, 페더럴 익스프레스, TNT, UPS, EMS, FOB에 의하여 SF를 받아들입니다.
Q: 배달 시간은 무엇입니까?
(1) 2inch 0.33mm 웨이퍼와 같은 표준 제품을 위해.
재고목록을 위해: 납품은 순서 후에 5 평일입니다.
주문을 받아서 만들어진 제품을 위해: 납품은 순서 후에 2 3 주당 노동시간입니다.
Q: 지불하는 방법?
미리 100%T/T, Paypal의 서쪽 조합, MoneyGram,


 

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