제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 산업: | 반도체 기질 | 기재: | sic 결정 |
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| 응용 프로그램: | 5G의 장치 물자, MOCVD의 파워일렉트로닉스 | 유형: | 4H-N, 반, 진한 액체로 처리되는 |
| 색깔: | , 파란 녹색, 백색 | Hardeness: | 9.0 위로 |
| 하이 라이트: | silicon carbide substrate,sic wafer |
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6inch sic 기질, 4h-n, 4H-SEMI의 sic 주괴 sic 수정같은 주괴 sic 수정같은 구획 sic 반도체 기질, 높은 순수성 실리콘 탄화물
SiC 웨이퍼
SiC 결정은 조각으로 cutted, 닦아서, SiC 웨이퍼는 옵니다. 명세와 세부사항을 위해, 페이지의 밑에 방문하십시오.
SiC 결정 성장
대량 결정 성장은 더 장치 가공을 위한 기초를 만드는 단 하나 크리스탈 기질의 제작을 위한 기술 입니다. SiC 기술에 있는 돌파구가 있기 위하여는 명백하게 우리는 재생 가능한 process.6H-를 가진 SiC 기질의 생산에는 필요로 하고 4H- SiC 결정은 도가니에 있는 작용 온도가 유도 적이고 (RF) 또는 저항하는 난방에 의해 제공되는 2100-2500°C.까지 고열에 흑연 도가니에서 성장됩니다. 성장은 얇은 SiC 씨에 일어납니다. 근원은 다결정 SiC 분말 책임을 대표합니다. 성장 약실에 있는 SiC 수증기는 주로 3개의 종, 운반 기체에 의해 묽게 되는 즉, Si, Si2C 및 SiC2로, 예를 들면, 아르곤 이루어져 있습니다. SiC 근원 발전은 유공성과 과립 직경의 둘 다 시간 변동과 분말 과립의 흑연화를 포함합니다.
SiC epi 웨이퍼
SiC 결정 구조
polytypes에게 불리는 SiC 결정에는 많은 다른 결정 구조가 있습니다. 곧 전자공학을 위해 발전되는 SiC의 일반적인 polytypes는 입방 3C SiC, 6각형 4H SiC 및 6H SiC 및 마름모 15R SiC입니다. 이 polytypes는 SiC 구조의 biatom 층의 겹쳐 쌓이는 순서이 특징입니다
sic 수정같은 결점
SiC에서 관찰된 결점의 대부분은 또한 다른 크리스탈 물자에서 관찰되었습니다. 탈구, 겹쳐 쌓이는 결함 (SFs), 낮은 각 경계 (LABs) 및 쌍둥이 같이. 몇몇 다른 사람은 IDBs 같이 Zing 혼합 또는 우르짜이트 구조가, 있는 물자에서 나타납니다. 다른 단계에서 Micropipes 그리고 포함은 SiC에서 주로 나타납니다.
SiC 결정 신청
많은 연구원은 일반적인 SiC 신청을 알고 있습니다: III-V 질화물 공술서; 광전자 공학 장치; 고성능 장치; 고열 장치; 고주파 힘 Devices.But 몇몇 사람은 세부사항 신청을, 우리 목록으로 만듭니다 어떤 세부사항을 알고 있습니다
물자 신청 및 advantagement
• 낮은 격자 미스매치
• 높은 열 전도도
• 저출력 소비
• 우수한 일시적인 특성
• 높은 띠 간격
신청:
• GaN 켜쌓기 장치
• 광전자 공학 장치
• 고주파 장치
• 고성능 장치
• 고열 장치
• 발광 다이오드
| 재산 | 4H SiC의 단결정 | 6H SiC의 단결정 |
| 격자 모수 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| 순서를 겹쳐 쌓이기 | ABCB | ABCACB |
| Mohs 경도 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| 조밀도 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm. 확장 계수 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 굴절 색인 @750nm |
= 2.61 ne = 2.66 |
= 2.60 ne = 2.65 |
| 절연성 불변의 것 | c~9.66 | c~9.66 |
| 열 전도도 (N 유형, 0.02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| 열 전도도 (반 격리) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| 밴드 간격 | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 고장 전기장 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 포화 표류 속도 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
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선적 & 포장
담당자: Wang
