제품 소개실리콘 탄화물 웨이퍼

거짓 급료 Sic 기질 웨이퍼 6 인치 Dia 150mm 4H-N 간격 500 Mm

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거짓 급료 Sic 기질 웨이퍼 6 인치 Dia 150mm 4H-N 간격 500 Mm

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제품 상세 정보:

원래 장소: 중국
브랜드 이름: zmsh
모델 번호: 6inch-001

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 1PCS
가격: by case by FOB
포장 세부 사항: , 단 하나 웨이퍼 콘테이너의 카세트에서 종류 100 청정실 환경에서 포장하는
배달 시간: 40days 안에
공급 능력: 50pcs/months
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상세 제품 설명
애플 리케이션: , 5G 지도되는의 장치 발견자, 파워일렉트로닉스 산업: semicondctor 웨이퍼
재료: 반도체 sic 색깔: 녹색 백색 또는 파랑
경도: 9.0 유형: 4H, 6H는, 진한 액체로 처리해 진한 액체로 처리했습니다,

6inch sic 기질, 6inch sic 웨이퍼, sic 수정같은 주괴,

sic 수정같은 구획, sic 반도체 기질, 실리콘 탄화물 웨이퍼

 

6개 인치 직경, 실리콘 탄화물 (SiC) 기질 명세  
급료 영 MPD 급료 생산 급료 연구 급료 거짓 급료
직경 150.0 mm±0.2mm
ThicknessΔ 350 μm±25μm 또는 500±25un
웨이퍼 오리엔테이션 축선 떨어져: 축선에< 1120=""> 4H-N를 위한 ±0.5°로 4.0°: <0001>6H-SI/4H-SI를 위한 ±0.5°
1 차적인 평지 {10-10} ±5.0°
1 차적인 편평한 길이 47.5 mm±2.5 mm
가장자리 배타 3개 mm
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤40μm/≤60μm
Micropipe 조밀도 ≤1 cm-2 ≤5 cm-2 ≤15 cm-2 ≤100 cm-2
저항력 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
소밀 광택이 있는 Ra≤1 nm
CMP Ra≤0.5 nm
고강도 빛으로 균열 아무도 1장의 허용하는, ≤2 mm 점증적으로 길이 ≤ 10mm, 단 하나 length≤2mm
고강도 빛에 의하여 육 판 점증적으로 지역 ≤1% 점증적으로 지역 ≤2% 점증적으로 지역 ≤5%
고강도 빛에 의하여 Polytype 지역 아무도 점증적으로 area≤2% 점증적으로 area≤5%
고강도 빛에 의하여 찰상 1×wafer 직경 점증적으로 길이에 3개의 찰상 1×wafer 직경 점증적으로 길이에 5개의 찰상 1×wafer 직경 점증적으로 길이에 5개의 찰상
가장자리 칩 아무도 3장의 허용하는, ≤0.5 mm 각각 5장의 허용하는, ≤1 mm 각각
고강도 빛에 의하여 오염 아무도
거짓 급료 Sic 기질 웨이퍼 6 인치 Dia 150mm 4H-N 간격 500 Mm
6inch 크기 결정이 (쌓이고 닦는) &process 기술적인 어려움을 성장하기 때문에, 우리는 30days와 생산에 있는 일반적인 제품이 등급을 매기는 때 다만 6inch 거짓 급료 그러나 90days를 위해 비축될 필요가 있기 제공해서 좋습니다. 
 
우리의 회사에 관하여
상해 고명한 무역 CO., 주식 회사는 중국 제일 시인 상해 시에서 위치를 알아냅니다, 우리 공장은 2014년에 우시 시에서 설립되고.
우리는 전자공학, 광학, 광전자공학 및 다른 많은 분야에서 널리 이용되는 웨이퍼, 기질 및 custiomized 광학 유리 parts.components로 다양한 물자 가공을 전문화합니다. 우리는 또한 많은 국내를 바싹 사용하고 있습니다 그리고 해외 대학, 연구소 및 회사는 그들의 연구 및 개발 프로젝트를, 주문을 받아서 만들어진 제품과 서비스를 제공합니다.
우리의 좋은 reputatiaons 옆에 우리의 모든 고객을 가진 협력의 좋은 관계 유지에 우리의 시각입니다.
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연락처 세부 사항
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

담당자: Wang

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