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| 원래 장소 | 중국 |
| 브랜드 이름 | SICC |
| 인증 | CE |
| 모델 번호 | 4h 엔 |
2 인치 탄화 규소 웨이퍼 6H 또는 4H-N 타입 또는 반보온 SiC 기판
4H-N SiC 기판 2를 격리하는 타입 / 세미는 3 인치 6 인치 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다
SIC 웨이퍼가 무엇입니까
SIC 웨이퍼는 우수한 전기적이고 열 속성을 가지는 반도체 물질입니다. 폭 넓게 다양한 애플리케이션을 위해 이상적인 것은 고성능 반도체입니다. 고내열성 뿐 아니라 그것은 또한 견고성의 초고수준을 특징으로 합니다.
분류
탄화규소 SiC 기판은 2가지 범주로 분할될 수 있습니다 : 높은 저항성 (레지스토리비티 ≥107Ω·cm)와 반 절연한 (고순도 유엔 -도프드와 V-도핑된 4H 세미) 실리콘 카바이드 기판과 저 저항 (저항성 범위가 15-30mΩ·cm입니다)과 전도성 실리콘 카바이드 기질.
6 인치 4H-N SIC 웨이퍼를 위한 상술 .
(2inch, 3inch 4는 조금씩 움직입니다, 8inch SIC 웨이퍼가 또한 이용 가능합니다)
| 등급 |
제로 MPD 생산 (Ｚ 등급을) 등급화하세요 |
표준 생산 등급 (Ｐ 등급) |
가짜 등급 (Ｄ 등급) |
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| 99.5 mm~100.0 밀리미터 | ||||
| 4H-N | 350 μm±20 μm | 350 μm±25 μm | ||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | ||
| 웨이퍼 방향 | ||||
| 마이크로파이프 비중 | 4H-N | ≤0.5cm-2 | ≤2 cm-2 | ≤15 cm-2 |
| 4H-SI | ≤1cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | |
| ※ 저항률 | 4H-N | 0.015~0.025 Ω·cm | 0.015~0.028 Ω·cm | |
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | ||
| 1차 플래트 배향 | {10-10} ±5.0' {10-10} ±5.0' | |||
| 1차 플래트 길이 | 32.5 mm±2.0 밀리미터 | |||
| 2차 플래트 길이 | 18.0 mm±2.0 밀리미터 | |||
| 2차 플래트 배향 | 실리콘 페이스 업 : 90' CW. 중요한 플랫 ±5.0'으로부터 | |||
| 에지 배제 | 3 밀리미터 | |||
| LTV / TTV / 활 /Warp | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | ||
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※ 거칠기 |
Ra≤1 nm을 닦으세요 | |||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | |||
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고강도 빛에 의한 에지 균열
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어떤 것 | 점진적 길이 ≤ 10 밀리미터가 length≤2 밀리미터를 선발합니다 | ||
| 고강도 빛에 의한 마법 플레이트 | 누적 면적 ≤0.05% | 누적 면적 ≤0.1% | ||
| 고강도 빛에 의한 폴리타입 지역 |
어떤 것 | 누적된 area≤3% | ||
| 시각적 탄소 포함 | 누적 면적 ≤0.05% | 누적 면적 ≤3% | ||
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고강도 빛에 의한 실리콘 표면 스크래치 |
어떤 것 | 크우무라티브 len`gth≤1×wafer 지름 | ||
| 강도 광에 의해 높은 가장 자리 칩 | 어떤 것도 ≥0.2 밀리미터 폭과 깊이를 허용하지 않았습니다 | 각각 5 허락된, ≤1 밀리미터 | ||
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고강도에 의한 실리콘 표면오염 |
어떤 것 | |||
| 멀티 웨이퍼 카세트 또는 매엽 컨테이너 | ||||
산업적 체인
탄화규소 SiC 산업적 체인은 기판 재료 준비, 에피택셜 층 성장, 장치 제작과 하류 앱으로 분할됩니다. 탄화규소 단결정은 보통 물리적 증기 전달 (PVT 방법)에 의해 준비되고 그리고 나서 에피 시트가 기판에 화학적 증기 증착 (CVD 방법)에 의해 발생되고 관련 장치가 마침내 만들어집니다. SiC 장치의 산업적 체인에서, 기판 제조 기술의 어려움 때문에, 산업적 체인의 가치는 주로 상류 기판 링크에 집중됩니다.
ZMSH 회사는 공급하고 SiC가 웨이퍼로 만드는 100 밀리미터와 150 밀리미터를 제공합니다. 그것의 견고성 (SiC가 세계에서 가장 두번째로 단단한 물질입니다)과 열과 고전압 해류 하에 안정으로, 이 물질은 넓게 여러 산업에서 사용되고 있습니다.
프라이스
ZMSH 회사는 6 (6) 인치 직경에 고급 품질 SIC 웨이퍼와 실리콘 탄소 결정 기판의 시장의 최상의 가격을 올려 제공합니다. 우리의 프라이스 정합 정책은 당신에게 비슷한 상술과 SiC 크리스털 제품의 최상의 가격을 보증합니다. 당신의 인용문을 얻기 위한 오늘 접촉 미국.
특화
쿠스토미즈드 SiC 결정 제품은 고객의 특별한 요구조건과 상술을 충족시킨다고 될 수 있습니다.
에피웨이퍼는 또한 요청하는 대로 맞춤형.
FAQ
큐 : 무엇이 웨이어브 선적과 비용과 임금 용어입니까 ?
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한 : (1) 목록을 위해, MOQ는 3 PC입니다.
(2) 맞춤 제작품을 위해, MOQ는 위로 10 PC입니다.
큐 : 나는 내 필요를 기반으로 제품을 주문 제작할 수 있습니까?
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큐 : 배달 시간이 무엇입니까?
한 : (1) 표준품을 위해
목록을 위해 : 배달은 당신이 주문을 하는 후에 5 평일입니다.
맞춤 제작품을 위해 : 배달은 당신이 주문을 하는 후에 2 또는 3 주 동안입니다.
(2) 특별 모양 상품을 위해, 배달은 당신이 주문을 하는 후에 4 주 노동 시간입니다.
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