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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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2 인치 4 인치 6 인치 8Inch 탄화 규소 웨이퍼 SIC 웨이퍼 가상 조사 중요한 등급
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2 인치 4 인치 6 인치 8Inch 탄화 규소 웨이퍼 SIC 웨이퍼 가상 조사 중요한 등급

원래 장소 중국
브랜드 이름 TANKBLUE
인증 CE
모델 번호 4h 엔
제품 상세정보
재료:
SiC 크리스털
타입:
4h 엔
순도:
99.9995%
저항률:
0.015~0.028ohm.cm
사이즈:
0 인치, 3 인치, 4inch,6inch,8inch
두께:
350 um 또는 주문 제작됩니다
MPD:
《2cm-2
애플리케이션:
SBD, MOS 장치를 위해
TTV:
《15um
절하다:
《25um
경사:
《45um
서피스:
Si 면 CMP, c-표면 MP
하이 라이트: 

8Inch 탄화 규소 웨이퍼

,

가짜 등급은 원문대로 웨이퍼로 만듭니다

,

조사 등급 탄화 규소 웨이퍼

제품 설명

2inch 4inch 6inch 8Inch 실리콘 카바이드 웨이퍼 Sic 웨이퍼 더미 연구 프라임 등급

 

 
SiC 웨이퍼는 전기적, 열적 특성이 우수한 반도체 소재입니다.다양한 응용 분야에 이상적인 고성능 반도체입니다.높은 내열성 외에도 매우 높은 수준의 경도가 특징입니다.

 

사양

폴리타입
晶型
4H -SiC 6H-SiC
지름
晶圆直径
2인치 |3인치 |4인치 |6인치 2인치 |3인치 |4인치 |6인치
두께
厚度
330μm ~ 350μm 330μm ~ 350μm
전도도
导电类型
N – 유형 / 반절연
N型导电片 / 半绝缘片
N – 유형 / 반절연
N型导电片 / 半绝缘片
도펀트
掺杂剂
N2(질소)V(바나듐) N2(질소) V(바나듐)
정위
晶向
축 <0001>
오프 축 <0001> 오프 4°
축 <0001>
오프 축 <0001> 오프 4°
비저항
电阻率
0.015~0.03옴-cm
(4H-N)
0.02~0.1옴-cm
(6H-N)
마이크로파이프 밀도(MPD)
微管密度
≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV
总厚度变化
≤ 15μm ≤ 15μm

 

실리콘 카바이드의 장점

  • 경도

보다 전통적인 실리콘 기판보다 실리콘 카바이드를 사용하면 많은 이점이 있습니다.주요 장점 중 하나는 경도입니다.이는 고속, 고온 및/또는 고전압 응용 분야에서 재료에 많은 이점을 제공합니다.

실리콘 카바이드 웨이퍼는 열전도율이 높아 한 지점에서 다른 지점으로 열을 전달할 수 있습니다.이는 SiC 웨이퍼로 전환하는 공통 목표 중 하나인 전기 전도성과 궁극적으로 소형화를 개선합니다.

  • 열 성능

열충격에 대한 높은 내성.즉, 깨지거나 갈라지지 않고 온도를 빠르게 변경할 수 있습니다.이것은 기존의 벌크 실리콘에 비해 실리콘 카바이드의 수명과 성능을 향상시키는 또 다른 인성 특성이므로 장치를 제조할 때 분명한 이점을 제공합니다.

 

 

 

산업 체인

실리콘 카바이드 SiC 산업 체인은 기판 재료 준비, 에피택셜 층 성장, 장치 제조 및 다운스트림 애플리케이션으로 나뉩니다.탄화규소 단결정은 보통 물리기상투과법(PVT법)으로 준비한 후 기판 위에 화학기상증착법(CVD법)으로 에피택셜 시트를 생성하고 관련 소자를 최종적으로 만든다.SiC 장치의 산업 체인에서 기판 제조 기술의 어려움으로 인해 산업 체인의 가치는 주로 업스트림 기판 링크에 집중되어 있습니다.

 

ZMSH 회사는 100mm 및 150mm SiC 웨이퍼를 제공합니다.경도(SiC는 세계에서 두 번째로 단단한 재료)와 열 및 고전압 전류에 대한 안정성으로 인해 이 재료는 여러 산업 분야에서 널리 사용되고 있습니다.

 

 

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자주하는 질문

 

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Q: 당신의 MOQ는 무엇입니까?

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Rm5-616,No.851, 디안샨후 비뉴, 치잉푸 지역, 상하이 시, 중국
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