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3 인치 VGF 갈륨 비소 웨이퍼 연구 테스트 성적 n 형 GaAs 기 판
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3 인치 VGF 갈륨 비소 웨이퍼 연구 테스트 성적 n 형 GaAs 기 판

원래 장소 중국
브랜드 이름 zmsh
인증 ROHS
모델 번호 6INCH 갈륨 비소 웨이퍼
제품 상세정보
재료:
단결정 갈륨 비소
산업:
반도체는 ld를 위해 웨이퍼로 만들거나, 이르렀습니다
애플리케이션:
반도체 기판, LED 칩, 광학 유리창, 장치 기판
방법:
CZ
사이즈:
2inch~6inch
두께:
0.425 밀리미터
표면:
에칭된 cmp /
도핑됩니다:
규소 도핑된
MOQ:
10PCS
등급:
조사 등급 / 가짜 등급
하이 라이트: 

연구 테스트 성적 비화 갈륨 웨이퍼

,

앤형 갈륨 비소 기판

,

3 인치 비소화 갈륨 epi 웨이퍼

제품 설명

3 인치 VGF 비소화 갈륨은 연구 테스트 성적 n형의 GaAs 기판 425 um을 웨이퍼로 만듭니다

VGF 방법 n형이 GaAs 기판을 도프하지 않은 2 인치당 3 인치당 4 인치당 6 인치당 2 급은 675 um SSP DSP 갈륨 비소 웨이퍼를 중단합니다


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갈륨 비소 웨이퍼 (갈륨 비소)은 반도체 산업에서 진화한 실리콘에 대한 비교 우위입니다. 이 갈륨 비소 웨이퍼에 의해 제공된 적은 전력 소비와 더 많은 효율은 이로써 갈륨 비소 웨이퍼에 대한 수요를 증가시키면서, 이러한 웨이퍼를 채택하기 위해 시장 참여자들을 끌어당기고 있습니다. 일반적으로, 이 웨이퍼는 저-용융 합금의 제조에서 응용을 발견하는 것 외에, 반도체, 발광 다이오드, 온도계, 전자 회로와 바로미터를 제조하는데 사용됩니다. 반도체와 전자적 회로 업계가 계속 새로운 성수기를 접촉한 것처럼, GAA 시장은 폭등하고 있습니다. 갈륨 비소 웨이퍼의 갈륨 비소는 전기로부터 레이저 광을 발생시키는 전력을 가집니다. 특히 다결정질이고 단일 결정은 갈륨 비소 웨이퍼의 2가지 주요 유형이며, 그것이 LD와 LED와 마이크로파회로를 만들기 위해 둘다 마이크로 전자공학과 광 전자 공학의 생산에서 이용됩니다. 그러므로, 특히 광 전자 공학과 마이크로일렉트로닉스 업계에서, GAA 어플리케이션의 폭 넓은 범위는 테가스 웨이퍼 시장에서 수요 유입을 만들고 있습니다. 이전에, 광 전자 장치는 주로 쇼트-레인지 광통신과 컴퓨터 주변 장치에서 폭 넓은 범위에 사용되었습니다. 하지만 지금 그들은 라이더와 증강 현실과 얼굴 인식과 같은 약간의 부상하는 애플리케이션에 대한 수요에 있습니다. LEC과 VGF는 전기적 성질과 우수한 표면 품질의 높은 균일성으로 갈륨 비소 웨이퍼의 생산을 향상시키고 있는 2 인기있는 방법입니다. 전자 이동도, 단접합 밴드-갭, 더 높은 효율, 열과 내습성과 뛰어난 유연성은 GAA의 5 뚜렷한 이점이며, 그것이 반도체 산업에서 갈륨 비소 웨이퍼에 대한 수락을 향상시키고 있습니다.

명세서 상세
 
주도하는 애플리케이션을 위한 비소화 갈륨 (갈륨 비소)
항목 상술 발언
도전 타입 SC / n형  
성장법 VGF  
불순물 실리콘  
웨이퍼 직경 2, 3과 4 인치 금은괴 또는 절단된 그대로 있는 이용 가능합니다
결정 방위 (100)2' /6' /15는' (110)를 중단합니다 이용 가능한 다른 방향이탈
EJ 또는 우리  
캐리어 농도 (0.4~2.5)E18/cm3  
RT에 있는 저항률 (1.5~9)E-3 Ohm.cm  
이동성 1500~3000 cm2/V.sec  
에치 피트 밀도 <500>  
레이저 마킹 촉탁  
표면가공도 주가 수익률 또는 P/P  
두께 220~350um  
에피택시 준비  
패키지 매엽 컨테이너 또는 카세트  

 

마이크로일렉트로닉스 응용을 위해 반 절연하는 비소화 갈륨 (갈륨 비소)

 

항목
상술
발언
도전 타입
절연
 
성장법
VGF
 
불순물
언도핑됩니다
 
웨이퍼 직경
2, 3, 4와 6 인치
이용 가능한 금은괴
결정 방위
(100)+/- 0.5'
 
EJ, 미국 또는 눈금
 
캐리어 농도
이용 불가능
 
RT에 있는 저항률
>1E7 Ohm.cm
 
이동성
>5000 cm2/V.sec
 
에치 피트 밀도
<8000>
 
레이저 마킹
촉탁
 
표면가공도
P/P
 
두께
350~675um
 
에피택시 준비
 
패키지
매엽 컨테이너 또는 카세트
 
아니오. 항목 표준 명세서
1 사이즈   2" 3" 4" 6"
2 지름 밀리미터 50.8±0.2 76.2±0.2 100±0.2 150±0.5
3 성장법   VGF
4 도핑됩니다   도프하지 않은, 또는 규소 도핑된, 또는 아연이 첨가됩니다
5 도체 유형   이용 불가능, 또는 SC/N, 또는 SC/P
6 두께 μm (220-350)±20 또는 (350-675)±25
7 결정 방위   <100>±0.5 또는 떨어져서 2
OF / 배향 선택 면   EJ, 우리 또는 눈금
배향 평판 (OF) 밀리미터 16±1 22±1 32±1 -
식별 플랫 (조건) 밀리미터 8±1 11±1 18±1 -
8 저항률 (전혀을 위해
기계적입니다
등급이세요)
Ω.cm (1-30)'107, 또는 (0.8-9)'10-3, 또는 1'10-2-10-3
이동성 cm2/v.s ≥ 5,000 또는 1,500-3,000
캐리어 농도 cm-3 (0.3-1.0)x1018 또는 (0.4-4.0)x1018,
또는 세미로서
9 TTV μm ≤10
μm ≤10
날실 μm ≤10
EPD cm-2 ≤ 8,000 또는 ≤ 5,000
앞 / 뒷 표면   주가 수익률, P/P
에지 프로파일   세미로서
입자 계수   <50>0.3 μm, 총수 / 웨이퍼),
또는 세미로서
10 레이저 마크   후면 또는 촉탁
11 패키징   매엽 컨테이너 또는 카세트

3 인치 VGF 갈륨 비소 웨이퍼 연구 테스트 성적 n 형 GaAs 기 판 03 인치 VGF 갈륨 비소 웨이퍼 연구 테스트 성적 n 형 GaAs 기 판 13 인치 VGF 갈륨 비소 웨이퍼 연구 테스트 성적 n 형 GaAs 기 판 2


우리의 ZMKJ에 대하여

ZMKJ는 중국의 최고의 도시인 상하이 시에 살고 우리의 공장이 설립됩니다
2014년에 우시 시에서.우리는 재료의 바리티를 웨이퍼, 기판으로 처리하는 것을 전문으로 합니다
그리고 쿠스티오미즈드 광학유리 parts.components는 넓게 전자공학, 광학에 사용했습니다,
광 전자 공학과 많은 다른 분야. 우리는 또한 밀접하게 많은 국내인 것 함께 일했습니다
그리고 해외 대학, 조사 기관과 회사가 맞춤 제작품을 공급합니다
그리고 그들의 연구 개발 사업을 위한 서비스.
지나서 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다 우리의
좋은 레푸타티아언스. 그래서 우리는 또한 다음과 같은으로서 약간의 다른 재료 기판을 제공할 수 있습니다 :
3 인치 VGF 갈륨 비소 웨이퍼 연구 테스트 성적 n 형 GaAs 기 판 3
패키징 - 로그스트크스
월드호크는 패키지, 안티 스태틱인 세정, 전기쇼크요법에 대한 세부 사항과 각각 관계가 있습니다 .
제품의 양과 모양에 따르면, 우리는 다른 패키징 공정을 취할 것입니다!
3 인치 VGF 갈륨 비소 웨이퍼 연구 테스트 성적 n 형 GaAs 기 판 4
FAQ -
큐 : 당신이 물류관리와 비용을 공급할 수 있는 것?
(1) 우리는 DHL, 페덱스, TNT, UPS, EMS, SF와 지나서 FOB를 받아들입니다
 그리고 배달 전에 50% deposit,50%의 조건을 지불하세요.
 
큐 : 배달 시간이 무엇입니까?
목록을 위해 : 배달은 주문 뒤에 5 평일입니다.
맞춤 제작품을 위해 : 배달은 주문 뒤에 2 또는 3 주 노동 시간입니다.
 

큐 : MOQ가 무엇입니까?
(1) 목록을 위해, MOQ는 5 PC입니다.
(2) 맞춤 제작품을 위해 MOQ는 10pcs-30pcs입니다.
큐 : 당신은 물질을 위한 검사 보고서를 합니까?
우리는 자사 제품을 위한 상세 리포트를 공급할 수 있습니다.

 

언제든지 우리와 연락하세요

86-1580-1942596
Rm5-616,No.851, 디안샨후 비뉴, 치잉푸 지역, 상하이 시, 중국
직접적으로 당신의 조사를 우리에게 보내세요