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2 인치 갈륨 질화물 웨이퍼 사파이어 빛 템플릿 Epi는 웨이퍼로 만듭니다
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2 인치 갈륨 질화물 웨이퍼 사파이어 빛 템플릿 Epi는 웨이퍼로 만듭니다

원래 장소 중국
브랜드 이름 ZMSH
인증 rohs
모델 번호 2 인치 GaN-사파이어 부착 gan 템플릿
제품 상세정보
재료:
GaN ON 사파이어 빛 에피웨이퍼
기판:
사파이어
사이즈:
2-6inch
서피스:
SSP / DSP
OEM MOQ:
8 PC
두께:
2 인치 동안 430 um
epi 두께:
1-5um
애플리케이션:
에피 HEMT (고전자이동도 트랜지스터)
주문 제작됩니다:
좋아요
하이 라이트: 

템플릿 epi 웨이퍼

,

Epi 비화 갈륨 웨이퍼

,

갈륨은 사파이어 기판을 질화처리합니다

제품 설명

 

 

2 인치 4 인치 6 인치 GaN-사파이어 부착 파란색은 녹색 LED 에피-웨이퍼 PSS 웨이퍼를 이끌었습니다

 

2 인치 4 인치 uGaN/nGaN/pGaN-on-Sapphire 템플릿 에피웨이퍼

 

GaN (갈륨 나이트라이드) epi의 선두 제조업체와 공급자가 웨이퍼로 만든 것처럼, 우리는 씨 플레인 사파이어 기판 위의 2의 두께와 마이크로웨이브 일렉트로닉스 응용을 위한 사파이어 빛 epi 웨이퍼 위의 2-6inch GaN에게 430 um 인치를 제공하고 4 인치 520 um, 650 um과 6 인치 1000-1300um, GaN 버퍼층의 정상치는 2-4um입니다 ; 우리는 또한 고객 요구 사항에 따라 주문 제작된 구조와 매개 변수를 제공할 수 있습니다.

 

 

사파이어 빛 템플릿 위의 GaN

 

사파이어 빛 템플릿 위의 GaN은 2에서 6까지! 지름에 이용할 수 있고, 사파이어 기판에 HVPE에 의해 성장된 수정같은 GaN의 박막으로 구성됩니다. 지금 이용 가능한 에피레디 템플릿

GaN (갈륨 나이트라이드) epi의 선두 제조업체와 공급자가 웨이퍼로 만든 것처럼, 우리는 씨 플레인 사파이어 기판 위의 2의 두께와 마이크로웨이브 일렉트로닉스 응용을 위한 사파이어 빛 epi 웨이퍼 위의 2-6inch GaN에게 430 um 인치를 제공하고 4 인치 520 um, 650 um과 6 인치 1000-1300um, GaN 버퍼층의 정상치는 2-4um입니다 ; 우리는 또한 고객 요구 사항에 따라 주문 제작된 구조와 매개 변수를 제공할 수 있습니다.

 

uGaN/nGaN/pGaN-on-Sapphire 템플릿을 위한 스펙
ZMKJ 반도체는 고급 품질 uGaN/nGaN/pGaN 물질을 평탄구조에서 생산하는 것에 전념합니다
2 인치 내지 6 인치로부터의 다양한 웨이퍼 크기와 사파이어 기판 또는 PSS. 웨이퍼 특성은 더를 만납니다
다음과 같은 스펙 :
Items/
 

2 인치 갈륨 질화물 웨이퍼 사파이어 빛 템플릿 Epi는 웨이퍼로 만듭니다 0

 

 

더 많은 정보를 원하면 미안하지만, 우리의 웹사이트 다른 페이지를 방문하세요 ;
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ZMSH는 중국에 반도체 물질의 선두 제조업체입니다. ZMSH는 진보적 결정 성장과 켜쌓기 기술, 제조 절차, 공학 기판과 반도체 디바이스를 개발합니다. 우리의 기술은 더 높은 성능과 반도체 웨이퍼의 더 저렴하 제조업을 가능하게 합니다.

당신은 우리의 조회로부터의 무료 기술 서비스에게 반도체 라인의 경험을 멈추게 할 수 있습니다.

 

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