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| 원래 장소 | 중국 |
| 브랜드 이름 | ZMSH |
| 모델 번호 | 4시간 |
4H-N 4H 세미 2 인치 3 인치 4 인치 6Inch SiC 기판 생산 등급은 고전력 장치를 위해 등급을 더미를 만듭니다
Ｈ 고순도 실리콘 카바이드 기판, 고순도 4 인치 SiC 기판, 반도체를 위한 4inch 실리콘 카바이드 기판, 반도체를 위한 실리콘 카바이드 기판, Sic 단 결정 웨이퍼, 보석을 위한 sic 인곳
적용 분야
1 고주파와 고전력 전자 장치 쇼트키 다이오드, 접합형 전기 분해 효과 트랜지스터, BJT, 핀, 다이오드, IGBT, MOSFET
2개의 광 전자 장치 : 주로 GaN/SiC 청색 LED 기판 물질 (GaN/SiC) LED에 사용했습니다
아드밴티지먼트
오우 낮은 격자 부정합
오우 고열 전도성
오우 저 전력 소모
오우 우수한 과도 특성
오우 하이 밴드 갭
탄화규소 실리콘 탄소 결정 기판 웨이퍼 탄화규소
탄화규소 물질 특성
| 특성 | 4H-SiC, 단일 결정 | 6H-SiC, 단일 결정 |
| 격자 파라미터 | a=3.076 c=10.053 A | a=3.073 c=15.117 A |
| 퇴적 순서 | ABCB | ABCACB |
| 모스 경도 | 9.2 | 9.2 |
| 비중 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| 섬. 전개 계수 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 굴절 지수 @750nm |
어떤 = 2.61 ne = 2.66 |
어떤 = 2.60 ne = 2.65 |
| 유전체 상수 | c~9.66 | c~9.66 |
| 열전도율 (n형, 0.02 ohm.cm) |
a~4.2 Ｗ / cm·K@298K c~3.7 Ｗ / cm·K@298K |
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| 열전도율 (반 절연) |
a~4.9 Ｗ / cm·K@298K c~3.9 Ｗ / cm·K@298K |
a~4.6 Ｗ / cm·K@298K c~3.2 Ｗ / cm·K@298K |
| 밴드-갭 | 3.23 eV | 3.02 eV |
| 브레이크-다운 전기 장 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 포화 이동 속도 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
2. 6 인치에 대하여 표준이 기판 크기
| 6가지 인치 직경 4H-N &Semi 실리콘 카바이드 기판 상술 | ||||||||
| 기판 특성 | 제로 학년 | 생산 등급 | 조사 등급 | 가짜 등급 | ||||
| 지름 | 150 mm-0.05 밀리미터 | |||||||
| 표면 배향 | 비축 : 4' ± 0.5를 향하여 <11-20> ' 4H-N을 위해
계속 주축 : <0001> 4H-SI를 위한 ±0.5' |
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| 1차 플래트 배향 |
{10-10} 4H-세미를 위한 4H-N/ 눈금을 위한 ±5.0' |
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| 1차 플래트 길이 | 47.5 밀리미터 ± 2.5 밀리미터 | |||||||
| 두께 4H-N | STD 350±25um 또는 커스텀지드 500±25um | |||||||
| 두께 4H-세미 | 500±25um STD | |||||||
| 웨이퍼 에지 | 챔퍼 | |||||||
| 4H-N을 위한 마이크로파이프 비중 | <0> | ≤2micropipes/ cm2 | ≤10 micropipes/ cm2 |
≤15 micropipes/ cm2
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| 4H-세미를 위한 마이크로파이프 비중 | <1 micropipes=""> | ≤5micropipes/ cm2 | ≤10 micropipes/ cm2 | ≤20 micropipes/ cm2 | ||||
| 높은 세기의 광에 의한 폴리타입 지역 | 어떤 것도 허락하지 않았습니다 | ≤10% 지역 | ||||||
| 4H-N을 위한 저항률 | 0.015 Ω·cm~0.028 Ω·cm | (지역 75%) 0.015Ω·cm~0.028 Ω·cm | ||||||
| 4H-세미를 위한 저항률 |
≥1E9 Ω·cm |
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| LTV/TTV/BOW/WARP |
≤3 μm/≤6 μm/≤30 μm/≤40 μm |
≤5 μm/≤15 μm/≤40 μm/≤60 μm |
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고강도 리그에 의한 마법 플레이트 |
누적 면적 ≤0.05% |
누적 면적 ≤0.1% |
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고강도 빛에 의한 실리콘 표면오염 |
어떤 것 |
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시각적 탄소 포함
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누적 면적 ≤0.05% |
누적 면적 ≤3% |
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고강도 빛에 의한 폴리타입 지역
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어떤 것 |
누적된 area≤3% |
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