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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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마이크로 전자공학을 위한 3 인치 76.2 밀리미터 n형 S 도핑된 비화 갈륨 웨이퍼
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마이크로 전자공학을 위한 3 인치 76.2 밀리미터 n형 S 도핑된 비화 갈륨 웨이퍼

원래 장소 중국
브랜드 이름 zmsh
인증 no
모델 번호 GaAs-3inch
제품 상세정보
재료:
갈륨-비소 단결정체 기판
산업:
반도체 웨이퍼
애플리케이션:
반도체 기판, LED 칩, 광학 유리창, 장치 기판
방법:
VFG
사이즈:
2-6inch
두께:
675 um
타입:
n형
배향:
15'
두께:
450 um
하이 라이트: 

마이크로 일렉트로닉스 갈륨 비소 웨이퍼

,

76.2mm 갈륨 비소 웨이퍼

,

마이크로 일렉트로닉스 가스 웨이퍼

제품 설명

 

마이크로 전자공학을 위한 VFG 메토드 n형 3 inch,4inch, 6inch dia150mm GAA 비화 갈륨 웨이퍼 반 절연 타입,

 

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GaAs) 비화 갈륨 웨이퍼

갈륨 비소 (GaAs)는 요소 갈륨과 비소의 합성물입니다. 그것은 섬아연광 결정 구조와 III-V 직접적인 밴드 갭 반도체입니다.

갈륨 비소는 마이크로파 진동수 집적 회로, 집적화 기술, 적외선 발광 소자 LED, 레이저 다이오드, 태양 전지와 광학적창문과 같은 장치의 제조에서 사용됩니다.[2]

비소화 갈륨은 종종 인듐 갈륨 비화물, 비화 알루미늄 갈륨과 다른 사람을 포함하는 다른 III-V 반도체의 열벽 증착기에 쓸 기판 물질로서 사용됩니다.

갈륨 비소 웨이퍼 특징과 앱

특징 어플리케이션 필드
전자의 고이동성 발광 다이오드
고주파 레이저 다이오드
고변환 효율 기전력 디바이스
저 전력 소모 고전자이동도 트랜지스터
직접형 대역간극 이종 접합 트랜지스터

 

상술

언도핑 gaas

비소화 갈륨 상술을 반 절연하기

 

성장법 VGF
불순물 탄소
웨이퍼 Shape* (DIA를 둥글게 하세요 : 2, 3, 4, 및 6 )
서피스 Orientation** (100)±0.5'

요청하는 대로 이용 가능한 *5 " 웨이퍼

요청하는 대로 아마 이용 가능한 **Other 배향

 

저항률 (Ω.cm) ≥1 × 107 ≥1 × 108
이동성 (cm2/V.S) ≥ 5,000 ≥ 4,000
부식 피치 비중 (cm2) 1,500-5,000 1,500-5,000

 

웨이퍼 직경 (밀리미터) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3 150±0.3
두께 (um) 350±25 625±25 625±25 675±25
TTV [P/P] (um) ≤ 4 ≤ 4 ≤ 4 ≤ 4
TTV [P/E] (um) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
날실 (um) ≤10 ≤10 ≤10 ≤5
OF (밀리미터) 17±1 22±1 32.5±1 눈금
OF / 조건 (밀리미터) 7±1 12±1 18±1 이용 불가능
Polish* E/E, 주가 수익률, P/P E/E, 주가 수익률, P/P E/E, 주가 수익률, P/P E/E, 주가 수익률, P/P

*E=Etched, P=Polished

 

마이크로 전자공학을 위한 3 인치 76.2 밀리미터 n형 S 도핑된 비화 갈륨 웨이퍼 0

마이크로 전자공학을 위한 3 인치 76.2 밀리미터 n형 S 도핑된 비화 갈륨 웨이퍼 1

FAQ -
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(2) 만약 당신이 당신 자신의 명시된 수를 가지고 있다면, 그것이 큽니다.
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큐 : 배달 시간이 무엇입니까?
(1) 볼 렌즈와 같은 표준품을 위한, 포웰 렌즈와 시준기 렌즈 :
목록을 위해 : 배달은 주문 뒤에 5 평일입니다.
맞춤 제작품을 위해 : 배달은 주문 뒤에 2 또는 3 주 노동 시간입니다.
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(2) 맞춤 제작품을 위해 MOQ는 5pcs-20pcs입니다.
그것은 양과 기교에 의존합니다

큐 : 당신은 물질을 위한 검사 보고서를 합니까?
우리는 자사 제품을 위한 상세 리포트를 공급할 수 있습니다.
 

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