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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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3 인치 4 인치 2 인치 0.35 밀리미터 DSP는 4h-N 탄화규소 SIC 웨이퍼를 포장합니다
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3 인치 4 인치 2 인치 0.35 밀리미터 DSP는 4h-N 탄화규소 SIC 웨이퍼를 포장합니다

원래 장소 중국
브랜드 이름 zmkj
모델 번호 4H-N, 3 인치
제품 상세정보
재료:
탄화 규소 결정
사이즈:
3 인치 또는 4 인치
신청:
장비 테스트
저항력:
0.015~0.028Ω.cm
타입:
4h-n
두께:
0.35mm
서피스:
DSP
오리엔테이션:
c-주축에서 떨어져 있는 0'
하이 라이트: 

4h-N 탄화규소는 원문대로 웨이퍼로 만듭니다

,

DSP 표면 탄화 규소 웨이퍼

,

0.35 밀리미터 탄화 규소 웨이퍼

제품 설명

4 인치 dia100m 4H-N 타입 생산 등급 가상 등급 SiC 기판, 반도체 디바이스를 위한 실리콘 카바이드 기판,

주문 제작된 두께 4 인치 4H-N 탄화규소 결정 sic은 4 인치 종 결정 등급 동안 웨이퍼로 만듭니다 ;

3 인치 4 인치 4h 엔 4h 세미 가짜 테스트 성적 탄화규소는 원문대로 웨이퍼로 만듭니다

 

탄화규소 실리콘 탄소 결정 기판 웨이퍼 탄화규소

탄화규소 물질 특성

 
상품 이름 : 탄화규소 (SiC) 결정 기판
제품 설명 : 2-6inch
기술적인 매개 변수 :
셀 구조 6 각형입니다
격자 상수 = 3.08 A c = 15.08 A
우선 사항 ABCACB (6H)
성장법 유기 금속 CVD 법
방향 성장 축선 또는 부분적 (0001) 3.5'
끝마무리 Si 표면 폴리싱
밴드갭 (간접적인) 2.93 eV
도전성 타입 엔 또는 세이미, 고순도
저항률 0.076 옴-센티미터
유전율 E (11) = E (22) = 9.66 E (33) = 10.33
300K에 있는 열전도율 5 W / 센티미터. K
견고성 9.2 모스
상술 : dia2 x0.33mm, dia2 x0.43mm,dia2"x1mmt, 10x5mm 단일 행정 또는 이중 드로우인 10x10mm, Ra를 반 절연하는 6H n형 4H n형 <10a>
표준 패키징 : 1000년은 방, 100개의 깨끗한 가방 또는 단일 박스 패키징을 청소합니다

 

전력 소자 산업에서 탄화규소의 적용
 

수행 유닛 실리콘 탄화규소 SiC 갈륨 나이트라이드 GaN
밴드 갭 eV                                  1.12 3.26 3.41 1.12 3.26 3.41
파괴전계 MV / 센티미터      0.23 2.2 3.3
전자 이동도 cm^2/Vs             1400 950 1500
이동속도 10^7 센티미터 / S                     1 2.7 2.5
시이엠케이와 열전도율             1.5 3.8 1.3 1.5 3.8 1.3 1.5 3.8 1.3
 
실리콘 (Si) 장치, 탄화규소와 비교해서 (SiC) 전력 소자는 효과적으로 고효율, 소형화와 전력 전자 시스템의 경량을 달성할 수 있습니다. 탄화 규소 파워 장치의 에너지 손실은 단지 Si 장치의 그것의 50%이고, 발열이 단지 실리콘 장치의 그것의 50%이고, 그것이 더 높은 전류 밀도를 가지고 있습니다. 똑같은 전원 수준에, 탄화규소 전력 모듈의 양은 의미 심장하게 실리콘 전력 모듈의 그것보다 작습니다. 한 예로 아이피엠 장치 IPM을 잡으면서, 탄화 규소 파워 장치를 사용할 때, 모듈 크기는 실리콘 전력 모듈 중 1/3 내지 2/3으로 감소할 수 있습니다.
 
3개 종류의 탄화규소 전력 다이오드가 있습니다 : 쇼트키 다이오드 (SBD), 핀다이오드와 접합 장벽 제어 쇼트키 다이오드 (JBS). 쇼트키 접합 때문에, SBD가 더 낮은 결합 장벽 높이를 가지고 있어서 SBD는 낮은 순방향 전압이라는 유리한 입장에 있습니다. 탄화규소 SBD의 출현은 250V에서부터 1200V까지 SBD의 활용 범위를 증가시켰습니다. 동시에, 그것의 높은 온도 특성은 실온에서 외피에 의해 제한된 175' C까지, 좋습니다, 리버스 누설 전류가 거의 증가하지 않습니다. 3kV 이상 정류기의 어플리케이션 필드에서, 탄화규소 핀과 탄화규소 JBS 다이오드는 실리콘 정류기 보다 그들의 더 높은 항복 전압, 더 빨리 교환 속도, 더 작은 크기와 경량으로 인해 주의를 끌었습니다.
 
탄화규소 파워 MOSFET 디바이스는 이상적 게이트 저항, 고속 스위칭 성능, 낮은 온 저항과 고안정성을 가지고 있습니다. 그것은 300V 이하 전력 소자의 분야에서 선호 장치입니다. 그것은 10kV의 블로킹 전압과 탄화규소 MOSFET이 성공적으로 개발되었다는 보고서가 있습니다. 탄화규소 MOSFET이 3kV 내지 5kV의 분야에서 유리한 위치를 차지할 것이라고 연구자들은 믿습니다.
 
탄화규소는 게이트 바이폴라 트랜지스터 (SiC BJT, SiC IGBT)와 탄화규소 사이리스터 (SiC 사이리스터)을 격리했습니다, 12kV의 블로킹 전압과 탄화규소 p-형 IGBT 장치가 좋은 순방향 전류 역량을 가집니다. 탄화규소 IGBT 장치의 온 저항은 단극 탄화규소 전력 소자와 비교해서 있을 수 있습니다. 실리콘 쌍극성 반도체 장치와 비교해서, SiC 바이폴라 트랜지스터는 더 20-50 배 낮은 스위칭 로스와 낮은 전도성 전압 강하를 가지고 있습니다. 탄화규소 BJT는 주로 에피택셜 이미터와 이온 이식된 방출기 BJT로 분할되고 전형적 전류 이득이 10-50의 사이에 있습니다.
 
 

2. 표준의 기판 사이즈

 

4 인치 직경 탄화규소 (SiC) 기판 상술

등급 제로 MPD 등급 생산 등급 조사 등급 가짜 등급
지름 76.2 mm±0.3 밀리미터
두께 350 μm±25μm (또한 200-2000um 두께는 괜찮습니다)
웨이퍼 방향 축 이탈 : 4H-N 표준 크기를 위한 4.0' ±0.5를 향하여 <1120> '
마이크로파이프 비중 ≤1 cm-2 ≤5 cm-2 ≤15 cm-2 ≤50 cm-2
저항률 4H-N 0.015~0.028 Ωocm
6H-N 0.02~0.1 Ωocm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
1차 플래트와 길이 {10-10}±5.0', 32.5 mm±2.0 밀리미터
2차 플래트 길이 18.0mm±2.0 밀리미터
2차 플래트 배향 실리콘 페이스 업 : 90' CW. 중요한 플랫 ±5.0'으로부터
에지 배제 3 밀리미터
TTV / 활 /Warp ≤15μm /≤25μm /≤40μm
거칠기 CMP Ra≤0.5 nm, Ra≤1 nm을 닦습니다
고강도 빛에 의한 결함 어떤 것 1 허락된, ≤2 밀리미터 점진적 길이 ≤ 10 밀리미터가 length≤2mm을 선발합니다
고강도 빛에 의한 마법 플레이트 누적 면적 ≤1% 누적 면적 ≤1% 누적 면적 ≤3%
고강도 빛에 의한 폴리타입 지역 어떤 것 누적 면적 ≤2% 누적 면적 ≤5%
       

SIC 웨이퍼와 잉곳 2-6inch와 다른 주문 제작된 사이즈   또한 제공될 수 있습니다.

 

3.제품 상세 디스플레이

3 인치 4 인치 2 인치 0.35 밀리미터 DSP는 4h-N 탄화규소 SIC 웨이퍼를 포장합니다 0

3 인치 4 인치 2 인치 0.35 밀리미터 DSP는 4h-N 탄화규소 SIC 웨이퍼를 포장합니다 13 인치 4 인치 2 인치 0.35 밀리미터 DSP는 4h-N 탄화규소 SIC 웨이퍼를 포장합니다 2

 

 

배달 & 소포

3 인치 4 인치 2 인치 0.35 밀리미터 DSP는 4h-N 탄화규소 SIC 웨이퍼를 포장합니다 3

FAQ
  • Q1. 당신의 회사가 공장 또는 거래 기업입니까?
  •  
  • 우리는 공장이고 또한 자신을 수출할 수 있습니다.
  •  
  • Q2.Is 당신이 탄화실리콘 사업과 유일한 일을 따릅니까?
  • 예 ; 그러나 우리는 본인에 의해 SiC 크리스털을 성장시키지 않습니다.
  •  
  •  
  • Q3. 샘플을 공급할 수 있겠습니까?
  • 예, 우리는 고객의 요구조건에 따라 청옥 표본을 공급할 수 있습니다
  •  
  • Q4. 당신은 SIC 웨이퍼의 어떠한 주식도 가지고 있습니까 ?
  • 우리는 보통 주식에서 2-6inch 웨이퍼로부터 약간의 표준 크기 SIC 웨이퍼를 막습니다
  •  
  • Q5.Where는 위치한 당신의 회사입니다.
  • 안에 위치한 우리의 회사는 상하입니다, 중국.
  •  
  • Q6. 얼마나 오래 제품을 얻기 위해 걸릴 것입니다.
  • 일반적으로 그것은 처리하기 위한 3~4 주를 걸릴 것입니다.그것은 있고 제품의 그와 그 크기에 의존합니다.

 

언제든지 우리와 연락하세요

86-1580-1942596
Rm5-616,No.851, 디안샨후 비뉴, 치잉푸 지역, 상하이 시, 중국
직접적으로 당신의 조사를 우리에게 보내세요