무색인 투명한 탄화규소 SiC 폴리시드 웨이퍼 렌즈

물리적이 & SiC의 전자 특성이 가아아와 Si와 비교했습니다

광 에너지 밴드갭 (eV)

4H-SiC : 3.26 6H-SiC : 3.03 비소화 갈륨 : 1.43 Si : 1.12

SiC로 형성된 전자 장치는 넓은 에너지띠 간격 때문에 본질적 전도 현상을 고통을 겪지 않고 극단적으로 높은 온도에 작동할 수 있습니다. 또한, 이 특성은 SiC가 청색 발광 다이오드와 가능한 거의 태양 블라인드 UV 광검출기의 제작을 만드는 단파장 광을 분사하고 발견할 수 있게 허락합니다.

(1000 Ｖ 수술을 위한)] 고항복 전기장 [Ｖ / 센티미터

4H-SiC : 2.2 Ｘ 106* 6H-SiC : 2.4 Ｘ 106* GAA : 3 Ｘ 105 Si : 2.5 Ｘ 105

SiC는 애벌런치 항복을 겪지 않고 Si 또는 GAA 보다 더 큰 8 번 동안 전압 물매 (또는 전기장에) 견딜 수 있습니다. 이 높은 파괴전계는 고전력 마이크로파 소자와 더불어, 다이오드, 전력 트랜지스터, 파워 다이리스터와 서지 흡수기들과 같은 매우 하이-볼타게, 고전력 장치의 제작을 가능하게 합니다. 덧붙여, 그것은 매우 위치되기 위한 장치가 집적 회로에게 높은 디바이스 기록 밀도를 제공하면서, 함께 마감되도록 허락합니다.

고열 전도성 (RT에 있는 Ｗ / 센티미터 · Ｋ)
4H-SiC : 3.0-3.8 6H-SiC : 3.0-3.8 비소화 갈륨 : 0.5 Si : 1.5

SiC는 우수한 열전도체입니다. 열은 다른 반도체 물질 보다 SiC를 통해 더 즉시 흐를 것입니다. 실제로 실온에서 SiC는 어떠한 금속 보다 높은 열전도율을 가지고 있습니다. 이 특성은 SiC 장치가 극단적으로 높은 전원 수준에 작동하고 발생된 다량의 과도한 열을 여전히 식힐 수 있게 합니다.

높은 포화 전자 드리프트 속도 [센티미터 / 초 (@ Ｅ ≥ 2 Ｘ 105 Ｖ / 센티미터)]

4H-SiC : 2.0 Ｘ 107 6H-SiC : 2.0 Ｘ 107 GAA : 1.0 Ｘ 107 Si : 1.0 Ｘ 107
SiC 장치는 SiC의 높은 포화 전자 드리프트 속도 때문에 고주파 (RF와 전자 레인지)로 작동할 수 있습니다.