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| 원래 장소 | 중국 |
| 브랜드 이름 | zmsh |
| 모델 번호 | GaN-001 |
2inch HVPE 방법 갈륨 질화물 GaN 웨이퍼, LD를 위한 GaN 자유로운 서 있는 기질, 10x10mm 크기 GaN 칩, HVPE GaN 웨이퍼
GaN 특징에 관하여 소개하십시오
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고속의, 고열과 높은 힘 취급 기능을 위한 성장 수요는 만들었습니다 반도체 공업은 반도체로 이용된 자료 선정을 재고합니다. 예를 들면, 각종 더 빠르고 더 작은 계산 장치가 발생하는 때, 실리콘의 사용에 의하여 Moore의 법률을 지탱하 것을 어려운 하고 있습니다. 또한 파워일렉트로닉스, 그래서 GaN 반도체 웨이퍼에서 필요를 위해 밖으로 성장됩니다. 그것의 유일한 특성 (높은 최대 현재, 높은 고장 전압 및 높은 전환 빈도) 때문이, 갈륨 질화물 GaN 미래의 에너지 문제를 해결하는 선택의 유일한 물자는. GaN에는 체계의 있어 고성능 효율성이 기초를 두어, 따라서 환원력 손실은 더 높은 빈도에, 전환해, 따라서 크기와 무게를 감소시키. GaN 기술은 산업의 소비자 및 서버 전력 공급, 태양, AC 드라이브 및 UPS 변환장치 및 잡종과 전차와 같은 수많은 높 힘 신청에서 사용됩니다. 게다가, GaN는 세포질 기지국 레이다 및 유선 텔레비전과 같은 RF 신청을 위해 이상적으로 적응됩니다 네트워킹, 항공 우주 및 방위 분야, 그것의 높은 고장 힘에게 감사에 있는 기반, 저잡음 숫자 및 높은 선형성.
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2" GaN 기질 | |
| 품목 | GaN FS N | GaN FS SI |
| 차원 | Ф 50.8mm ± 1mm | |
| Marco 결점 조밀도 | 수준 | ≤ 2 cm-2 |
| B 수준 | > 2 cm-2 | |
| 간격 | 330 ± 25 µm | |
| 오리엔테이션 | C 축선 (0001) ± 0.5° | |
| 편평한 오리엔테이션 | (1-100) ± 0.5°의 16.0 ± 1.0mm | |
| 편평한 이차 오리엔테이션 | (11-20) ± 3°의 8.0 ± 1.0mm | |
| TTV (총 간격 변이) | ≤15 µm | |
| 활 | ≤20 µm | |
| 유도 유형 | N 유형 | 반 격리 |
| 저항력 (300K) | < 0=""> | >106 Ω·cm |
| 탈구 조밀도 | 5x106 cm-2 보다는 더 적은 | |
| 쓸모 있는 표면 | > 90% | |
| 폴란드어 | 정면 표면: ra < 0=""> | |
| 뒤 표면: 정밀한 배경 | ||
| 포장 | , 단 하나 웨이퍼 콘테이너에서, 질소 대기권의 밑에 종류 100 청정실 환경에서 포장하는. | |
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